Placa descubierta 6-WDFN FET simple, MOSFET

Demostración

de 133

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	113,694 En stock	1 : $0.61000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13553 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	10A (Ta)	1.5V, 4.5V	15.3mOhm a 4A, 4.5V	1V a 1mA	29.9 nC @ 4.5 V	±8V	2600 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD25310Q2 MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON Texas Instruments	11,663 En stock	1 : $0.65000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14811 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	20A (Ta)	1.8V, 4.5V	23.9mOhm a 5A, 4.5V	1.1V a 250µA	4.7 nC @ 4.5 V	±8V	655 pF @ 10 V	-	2.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WSON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM6K361NU,LF MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	25,741 En stock	1 : $0.70000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15705 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVIII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.5A (Ta)	4.5V, 10V	69mOhm a 2A, 10V	2.5V a 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM6J507NU,LF MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	53,965 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16103 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10A (Ta)	4V, 10V	20mOhm a 4A, 10V	2.2V a 250µA	20.4 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	1150 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM6K341NU,LF MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	13,727 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16103 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVIII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	6A (Ta)	4V, 10V	36mOhm a 4A, 10V	2.5V a 100µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 10 V	-	2.5W (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD17313Q2 MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Texas Instruments	26,358 En stock	1 : $0.75000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17550 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5A (Tc)	3V, 8V	30mOhm a 4A, 8V	1.8V a 250µA	2.7 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	340 pF @ 15 V	-	2.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WSON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD19538Q2 MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON Texas Instruments	52,303 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17955 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	13.1A (Tc)	6V, 10V	59mOhm a 5A, 10V	3.8V a 250µA	5.6 nC @ 10 V	±20V	454 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WSON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
NTLJF3117PT1G MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN onsemi	8,942 En stock	1 : $0.77000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.18115 Cinta y rollo (TR)	-	µCool™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	100mOhm a 2A, 4.5V	1V a 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	±8V	531 pF @ 10 V	Diodo Schottky (aislado)	710mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WDFN (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA905P MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET onsemi	7,295 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24135 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	10A (Ta)	1.8V, 4.5V	16mOhm a 10A, 4.5V	1V a 250µA	29 nC @ 6 V	±8V	3405 pF @ 6 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA507PZ MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET onsemi	27,299 En stock Este producto tiene un límite de compra máximo.	1 : $1.00000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24646 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	7.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	24mOhm a 7.8A, 5V	1.5V a 250µA	42 nC @ 5 V	±8V	2015 pF @ 10 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA530PZ MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET onsemi	2,392 En stock	1 : $1.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.36650 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6.8 A (Ta)	4.5V, 10V	35mOhm a 6.8A, 10V	3V a 250µA	24 nC @ 10 V	±25V	1070 pF @ 15 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD17313Q2T MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Texas Instruments	17,845 En stock	1 : $1.75000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.64640 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5A (Ta)	3V, 8V	30mOhm a 4A, 8V	1.8V a 250µA	2.7 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	340 pF @ 15 V	-	2.4W (Ta), 17W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WSON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA8878 MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET onsemi	18,194 En stock	1 : $2.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.62114 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9A (Ta), 10A (Tc)	4.5V, 10V	16mOhm a 9A, 10V	3V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	720 pF @ 15 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD17318Q2 MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON Texas Instruments	9,295 En stock	1 : $0.61000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13974 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	25A (Tc)	2.5V, 8V	15.1mOhm a 8A, 8V	1.2V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±10V	879 pF @ 15 V	-	16W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WSON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD15571Q2 MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Texas Instruments	1,099 En stock	1 : $0.62000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14113 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	22A (Ta)	4.5V, 10V	15mOhm a 5A, 10V	1.9V a 250µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	419 pF @ 10 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-SON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD13202Q2 MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Texas Instruments	5,251 En stock	1 : $0.66000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15089 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	22A (Ta)	2.5V, 4.5V	9.3mOhm a 5A, 4.5V	1.1V a 250µA	6.6 nC @ 4.5 V	±8V	997 pF @ 6 V	-	2.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WSON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD17571Q2 MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON Texas Instruments	9,421 En stock	1 : $0.69000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16114 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	7.6A (Ta)	4.5V, 10V	29mOhm a 5A, 4.5V	2V a 250µA	3.1 nC @ 4.5 V	±20V	468 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-SON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM6K513NU,LF MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	41,305 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16103 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	15 A (Ta)	4.5V, 10V	8.9mOhm a 4A, 10V	2.1V a 100µA	7.5 nC @ 4.5 V	±20V	1130 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	150°C (TA)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA291P MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET onsemi	4,780 En stock	1 : $0.85000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20347 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6.6 A (Ta)	1.8V, 4.5V	42mOhm a 6.6A, 4.5V	1V a 250µA	14 nC @ 4.5 V	±8V	1000 pF @ 10 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
MCM1216A-TP MOSFET P-CH 20V 16A DFN2020-6JA MCC (Micro Commercial Components)	5,584 En stock	1 : $0.86000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20610 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	16A (Tc)	-	17mOhm a 10A, 4.5V	1V a 250µA	30 nC @ 10 V	±10V	2050 pF @ 10 V	-	18W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN2020-6J	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA8051L MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET onsemi	5,891 En stock	1 : $0.87000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20912 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	14mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1260 pF @ 20 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA7630 MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET onsemi	10,125 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24206 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	11A (Ta)	4.5V, 10V	13mOhm a 11A, 10V	3V a 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	1360 pF @ 15 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
NTLJS4114NT1G MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN onsemi	407 En stock	1 : $1.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.35312 Cinta y rollo (TR)	-	µCool™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	35mOhm a 2A, 4.5V	1V a 250µA	13 nC @ 4.5 V	±12V	650 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WDFN (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA410NZ MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET onsemi	11 En stock 369,517 Mercado	1 : $1.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.39187 Cinta y rollo (TR) 2,000 : $0.27000 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9.5 A (Ta)	1.5V, 4.5V	23mOhm a 9.5A, 4.5V	1V a 250µA	14 nC @ 4.5 V	±8V	1080 pF @ 10 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA86551L MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET onsemi	30,896 En stock	1 : $1.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.46914 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7.5A (Ta)	4.5V, 10V	23mOhm a 7.5A, 10V	3V a 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	1235 pF @ 30 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN

Demostración

de 133

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS