Placa descubierta 6-UDFN FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN Toshiba Semiconductor and Storage	14,900 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10769 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	2A (Ta)	1.8V, 8V	185mOhm a 1A, 8V	1.2V a 1mA	2.2 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFN (2x2)	Placa descubierta 6-UDFN
PMPB13XNE,115 MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	19,620 En stock	1 : $0.70000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15907 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	8A (Ta)	1.8V, 4.5V	16mOhm a 8A, 4.5V	900mV a 250µA	36 nC @ 4.5 V	±12V	2195 pF @ 15 V	-	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN2020MD-6	Placa descubierta 6-UDFN
DMP6110SFDF-7 MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN Diodes Incorporated	13,106 En stock 672,000 Fábrica	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16761 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	110mOhm a 4.5A, 10V	3V a 250µA	17.2 nC @ 10 V	±20V	969 pF @ 30 V	-	1.97W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMT3006LFDF-7 MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN Diodes Incorporated	16,394 En stock	1 : $0.79000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.18130 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	14.1A (Ta)	3.7V, 10V	7mOhm a 9A, 10V	3V a 250µA	22.6 nC @ 10 V	±20V	1320 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
PMPB11EN,115 MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	4,636 En stock	1 : $0.81000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17909 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9A (Ta)	4.5V, 10V	14.5mOhm a 9A, 10V	2V a 250µA	20.6 nC @ 10 V	±20V	840 pF @ 10 V	-	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN2020MD-6	Placa descubierta 6-UDFN
DMP1005UFDF-7 MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN Diodes Incorporated	3,702 En stock	1 : $0.83000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19071 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	26A (Tc)	1.8V, 4.5V	8.5mOhm a 5A, 4.5V	1V a 250µA	47 nC @ 8 V	±8V	2475 pF @ 6 V	-	2.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
AON2260 MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	40,339 En stock	1 : $0.87000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20873 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	6A (Ta)	4.5V, 10V	44mOhm a 6A, 10V	2.5V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	426 pF @ 30 V	-	2.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-DFN (2x2)	Placa descubierta 6-UDFN
DMN1008UFDF-13 MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN Diodes Incorporated	15,945 En stock 120,000 Fábrica	1 : $0.62000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.11724 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	12.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	8mOhm a 5A, 4.5V	1V a 250µA	23.4 nC @ 8 V	±8V	995 pF @ 6 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
BUK6D120-40EX MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN Nexperia USA Inc.	1,220 En stock	1 : $0.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13640 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	2.9A (Ta), 5.7A (Tc)	4.5V, 10V	120mOhm a 2.9A, 10V	2.5V a 250µA	3.6 nC @ 10 V	±20V	113 pF @ 20 V	-	2W (Ta), 7.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	DFN2020MD-6	Placa descubierta 6-UDFN
DMP2035UFDF-7 MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN Diodes Incorporated	16,143 En stock 123,000 Fábrica	1 : $0.64000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14151 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	8.1A (Ta)	1.5V, 4.5V	29mOhm a 6.4A, 4.5V	1V a 250µA	20.5 nC @ 4.5 V	±8V	1808 pF @ 15 V	-	2.03W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMN3020UFDF-7 MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN Diodes Incorporated	1,062 En stock	1 : $0.68000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15213 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	15A (Tc)	1.5V, 4.5V	19mOhm a 4.5A, 4.5V	1V a 250µA	27 nC @ 8 V	±12V	1304 pF @ 15 V	-	2.03W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMP1009UFDF-7 MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN Diodes Incorporated	5,990 En stock	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16748 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	15 A (Ta)	1.8V, 4.5V	11mOhm a 5A, 4.5V	1V a 250µA	44 nC @ 8 V	±8V	1860 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMP3026SFDF-13 MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN Diodes Incorporated	5,310 En stock 80,000 Fábrica	1 : $0.75000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.14843 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10.3A (Ta)	4V, 10V	19mOhm a 4.5A, 10V	3V a 250µA	19.6 nC @ 10 V	±25V	1204 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMP1022UFDF-7 MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN Diodes Incorporated	5,702 En stock	1 : $0.80000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.18479 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	9.5 A (Ta)	1.5V, 4.5V	15.3mOhm a 4A, 4.5V	800mV a 250µA	48.3 nC @ 8 V	±8V	2712 pF @ 10 V	-	730mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
BUK4D38-20PH SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT Nexperia USA Inc.	1,892 En stock	1 : $0.80000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17861 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6A (Ta), 18A (Tc)	2.5V, 8V	33mOhm a 6A, 8V	1.3V a 250µA	16 nC @ 4.5 V	±12V	1025 pF @ 10 V	-	2W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	DFN2020MD-6	Placa descubierta 6-UDFN
PMPB20XPE,115 MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	6,750 En stock	1 : $0.84000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19562 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	7.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	23.5mOhm a 7.2A, 4.5V	900mV a 250µA	45 nC @ 4.5 V	±12V	2945 pF @ 10 V	-	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN2020MD-6	Placa descubierta 6-UDFN
DMTH4008LFDFWQ-7 MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN Diodes Incorporated	2,107 En stock	1 : $0.84000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19353 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	11.6A (Ta)	4.5V, 10V	11.5mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	14.2 nC @ 10 V	±20V	1030 pF @ 20 V	-	990mW (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMP2016UFDF-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Diodes Incorporated	6,499 En stock	1 : $0.86000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19928 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9.5 A (Ta)	1.5V, 4.5V	15mOhm a 7A, 4.5V	1.1V a 250µA	30 nC @ 8 V	±8V	1710 pF @ 10 V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
AON2406 MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	19,351 En stock	1 : $0.89000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.21396 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	8A (Ta)	1.5V, 4.5V	12.5mOhm a 8A, 4.5V	1V a 250µA	18 nC @ 4.5 V	±8V	1140 pF @ 10 V	-	2.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-DFN (2x2)	Placa descubierta 6-UDFN
DMT12H060LFDF-7 MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202 Diodes Incorporated	2,616 En stock 2,262,000 Fábrica	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.23448 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	115 V	4.4A (Ta)	1.5V, 4.5V	65mOhm a 3A, 4.5V	1.4V a 250µA	7.8 nC @ 4.5 V	±8V	475 pF @ 50 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
PMPB50XNX PMPB50XN/SOT1220-2/DFN2020M-6 Nexperia USA Inc.	1,592 En stock	1 : $1.09000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.25383 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	110 V	5A (Ta)	2.5V, 4.5V	70mOhm a 3.9A, 4.5V	1.4V a 250µA	6.7 nC @ 4.5 V	±12V	741.5 pF @ 50 V	-	580mW (Ta), 13W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN2020M-6	Placa descubierta 6-UDFN
DMP2021UFDF-7 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN Diodes Incorporated	21,902 En stock	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28071 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9A (Ta)	1.5V, 4.5V	16mOhm a 7A, 4.5V	1V a 250µA	59 nC @ 8 V	±8V	2760 pF @ 15 V	-	730mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
NVLJS053N12MCLTAG PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0 onsemi	1,503 En stock	1 : $1.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.30019 Cinta y rollo (TR)	-	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	120 V	4.8A (Ta)	4.5V, 10V	53mOhm a 5.2A, 10V	3V a 30µA	7.8 nC @ 10 V	±20V	520 pF @ 60 V	-	620mW (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-UDFN (2x2)	Placa descubierta 6-UDFN
DMTH6016LFDFWQ-7R MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN Diodes Incorporated	4,459 En stock	1 : $1.23000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.30399 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	18mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	15.3 nC @ 10 V	±20V	925 pF @ 30 V	-	1.06W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMN2025UFDF-7 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Diodes Incorporated	3,095 En stock 15,000 Fábrica	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11869 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6.5 A (Ta)	1.8V, 4.5V	25mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	12.3 nC @ 10 V	±10V	486 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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