Nexperia USA Inc. FET simple, MOSFET

Resultados : 1,550
Serie
-*TrenchMOS™TrenchPLUS
Embalaje
BandejaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V16 V20 V25 V28 V30 V40 V50 V55 V60 V65 V70 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
130mA (Ta)150mA (Ta)170mA (Ta)173mA (Ta)180mA (Ta)190mA (Ta)190mA (Ta), 300mA (Tc)200mA (Ta)210mA (Ta)225mA (Ta)230mA (Ta)240mA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.8V, 4.5V2.4V, 10V2.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.5V, 8V3V, 4.5V4.3V, 10V4.5V4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.55mOhm a 25A, 10V0.57mOhm a 25A, 10V0.63mOhm a 25A, 10V0.67mOhm a 25A, 10V0.7mOhm a 25A, 10V0.72mOhm a 25A, 10V0.82mOhm a 25A, 10V0.85mOhm a 25A, 10V0.87mOhm a 25A, 10V0.89mOhm a 25A, 10V0.9mOhm a 25A, 10V0.94mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)570mV a 1mA (típico)600mV a 1mA (típico)680mV a 1mA (típico)700mV a 1mA (típico)900mV a 250µA950mV a 1mA950mV a 250µA1V a 1mA (mín.)1V a 1mA1V a 250µA1.05V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.21 nC @ 10 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.4 nC @ 4 V0.43 nC @ 4.5 V0.44 nC @ 4.5 V0.49 nC @ 30 V0.49 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4 V0.5 nC @ 4.5 V0.51 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V+7V, -1.4V+7V, -6V+8V, -10V+8V, -12V±8V±10V+12V, -20V±12V±15V+16V, -10V±16V+20V, -10V20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.195 pF @ 15 V13 pF @ 10 V15 pF @ 30 V17 pF @ 10 V20 pF @ 10 V20 pF @ 30 V20.2 pF @ 30 V21.3 pF @ 10 V22.2 pF @ 30 V23 pF @ 30 V23.2 pF @ 25 V23.6 pF @ 10 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Diodo de detección de temperatura
Disipación de potencia (Máx.)
220mW (Ta), 1.06W (Tc)250mW (Ta)250mW (Tc)260mW (Ta)260mW (Ta), 1.1W (Tc)260mW (Ta), 830mW (Tc)265mW (Ta)265mW (Ta), 1.33W (Tc)266mW (Ta), 1.33W (Tc)270mW (Ta), 1.3W (Tc)270mW (Ta), 1.5W (Tc)275mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 185°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)175°C (TJ)175°C-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
-Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-FCLGA (3.2x2.2)4-WLCSP (0.78x0.78)6-HUSON (2x2)6-TSOP6-TSSOP6-WLCSP (1.48x0.98)8-SO8-WLCSP (3.5x2.13)9-WLCSP (1.48x1.48)28-SO-CCPAK1212
Paquete / Caja (carcasa)
3-VLGA3-XDFN3-XFDFNPlaca descubierta 3-XDFN4-XFBGA, WLCSP6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-XFBGA, WLCSPPlaca descubierta 6-UDFNPlaca descubierta 6-UFDFN8-PowerVDFN8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-XFBGA, WLCSP
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
32,853
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02944
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1.33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
699,936
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03817
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V180mA (Ta)10V7.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,196,037
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03159
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
679,806
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04105
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
852,482
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04194
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
143,857
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04453
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V230mA (Ta)2.5V, 4.5V4.1Ohm a 200mA, 4.5V1.1V a 250µA0.72 nC @ 4.5 V±8V46 pF @ 15 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
61,038
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03400
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V350mA (Ta)5V, 10V2.8Ohm a 200mA, 10V2.1V a 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW (Ta), 3.1W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-883SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
841,962
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04529
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V350mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
977,867
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04754
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V320mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
676,216
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04752
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V300mA (Tc)10V5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
330,021
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04737
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V150mA (Ta)10V6Ohm a 120mA, 10V2.8V a 1mA-±20V40 pF @ 25 V-250mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
225,280
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05268
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V130mA (Ta)10V10Ohm a 130mA, 10V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-250mW (Tc)-65°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
PMF170XP,115
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
113,448
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05922
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V1 A (Ta)4.5V200mOhm a 1A, 4.5V1.15V a 250µA3.9 nC @ 4.5 V±12V280 pF @ 10 V-290mW (Ta), 1.67W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
441,188
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09484
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V1.05 A (Ta)1.8V, 4.5V200mOhm a 600mA, 4.5V570mV a 1mA (típico)3.9 nC @ 4.5 V±8V152 pF @ 16 V-417mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
501,069
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06002
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 350mA, 10V1.6V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V56 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
29,899
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)40 V3 A (Ta)4.5V, 10V75mOhm a 3A, 10V2.5V a 250µA5 nC @ 10 V±20V180 pF @ 20 V-615mW (Ta), 7.5W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
34,460
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10179
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V850mA (Ta)2.5V400mOhm a 500mA, 4.5V400mV a 1mA (mín.)2.1 nC @ 4.5 V±8V83 pF @ 24 V-540mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
PMV40UN2R
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
427,554
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09083
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V3.7 A (Ta)1.8V, 4.5V44mOhm a 3.7A, 4.5V900mV a 250µA12 nC @ 4.5 V±12V635 pF @ 15 V-490mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
262,371
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16304
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V1.9 A (Tc)10V250mOhm a 500mA, 10V4V a 1mA7 nC @ 10 V±30V330 pF @ 20 V-280mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D120-40EX
MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Nexperia USA Inc.
35,478
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10954
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)40 V2.9A (Ta), 5.7A (Tc)4.5V, 10V120mOhm a 2.9A, 10V2.5V a 250µA3.6 nC @ 10 V±20V113 pF @ 20 V-2W (Ta), 7.5W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieDFN2020MD-6Placa descubierta 6-UDFN
TO-236AB
PMV37ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
33,951
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11832
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V3.5 A (Ta)4.5V, 10V49mOhm a 3.5A, 10V2.7V a 250µA13 nC @ 10 V±20V450 pF @ 30 V-710mW (Ta), 8.3W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
PMV20XNER
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
29,943
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11223
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V5.7 A (Ta)1.8V, 4.5V23mOhm a 5.7A, 4.5V900mV a 250µA18.6 nC @ 4.5 V±12V1150 pF @ 15 V-510mW (Ta), 6.94W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSH201,215
MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
21,099
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11207
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal PMOSFET (óxido de metal)60 V300mA (Ta)4.5V, 10V2.5Ohm a 160mA, 10V1V a 1mA (mín.)3 nC @ 10 V±20V70 pF @ 48 V-417mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
PMV65XP,215
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
268,457
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1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09455
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V2.8 A (Ta)1.8V, 4.5V74mOhm a 2.8A, 4.5V900mV a 250µA7.7 nC @ 4.5 V±12V744 pF @ 20 V-480mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
PMV15ENEAR
MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
88,102
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Cinta cortada (CT)
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Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V6.2 A (Ta)4.5V, 10V20mOhm a 5.8A, 10V2.5V a 250µA14 nC @ 10 V±20V440 pF @ 15 V-700mW (Ta), 8.3W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 1,550

Nexperia USA Inc. FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.