MOSFET (óxido de metal) FET simple, MOSFET

Resultados : 37,701
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVOFairchild Semiconductor
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-60 V-30 V-20 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)25mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.29mOhm a 50A, 10V0.3mOhm a 200A, 10V0.35mOhm a 50A, 10V0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.44mOhm a 88A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 30A, 7V0.45mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 60A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
-2.5V @ 250µA-2.0V @ 250µA-1.2V @ -250µA-1V @ -250µA0.4V @ 250µA400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V0.31 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
Característica de FET
-Compuerta de nivel lógico, controlador de 4VDetección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Diodo de detección de temperaturaModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-DFN (1x0.6)3-LGA (0.73x0.64)3-LGA (4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 2-DFN3-FLGA3-PowerSMD, conductores planos3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 variante3-SMD, conductor plano3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor3-UDFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
31,153
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02944
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1.33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
585,715
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03388
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm a 50mA, 5V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
30,485
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03527
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V200mA (Ta)10V3.5Ohm a 220mA, 10V1.5V a 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
0
En stock
8,073,000
Mercado
Consultar el plazo de entrega
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03638
Cinta y rollo (TR)
20,000 : $0.03000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V320mA (Ta)4.5V, 10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.3V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,489,360
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03795
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V200mA (Ta)1.2V, 2.5V1.2Ohm a 100mA, 2.5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
699,826
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03817
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V180mA (Ta)10V7.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
494,398
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03951
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V260mA (Ta)4.5V, 10V2.5Ohm a 240mA, 10V2.5V a 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,196,013
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03159
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
678,658
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04105
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
533,804
En stock
75,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03995
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V350mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
464,775
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04107
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V130mA (Ta)5V10Ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
61,555
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03091
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V400mA (Ta)4.5V, 10V1.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
6,134
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03995
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V260mA (Ta)4.5V, 10V2.5Ohm a 240mA, 10V2.6V a 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4,906,230
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04534
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V800mA (Ta)1.5V, 4.5V235mOhm a 800mA, 4.5V1V a 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieSSMSC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
851,842
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04194
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
836,344
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04241
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V200mA (Ta)0.9V, 4.5V2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieUMT3FSC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
793,856
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V6.5 A (Ta)1.8V, 4.5V22mOhm a 6.5A, 4.5V1V a 250µA16 nC @ 4.5 V±8V1160 pF @ 10 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 variante
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
20,758
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03400
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V350mA (Ta)5V, 10V2.8Ohm a 200mA, 10V2.1V a 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW (Ta), 3.1W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-883SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
838,852
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04529
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V350mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
731,313
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.04221
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieVMT3SOT-723
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
262,220
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04464
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V170mA (Ta)10V6Ohm a 170mA, 10V2V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
110,903
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04509
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Tc)5V, 10V7.5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,127,176
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V3 A (Ta)4.5V, 10V95mOhm a 3A, 10V2.5V a 250µA8 nC @ 10 V±20V215 pF @ 15 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
977,521
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04754
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V320mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
859,413
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Cinta cortada (CT)
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Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V300mA (Ta)4.5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 37,701

MOSFET (óxido de metal) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.