IXYS FET simple, MOSFET

Resultados : 1,133
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
Excluir
1,133Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 1,133
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXYS
359
En stock
1 : $72.02000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
32 A (Tc)
10V
310mOhm a 500mA, 10V
6.5V a 1mA
360 nC @ 10 V
±30V
21000 pF @ 25 V
-
1000W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
TO-263AB
IXTA15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO263
IXYS
205
En stock
800
Fábrica
1 : $14.78000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
15 A (Tc)
10V
480mOhm a 7.5A, 10V
4.5V a 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
4080 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-268
IXTT110N10L2
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
IXYS
300
En stock
1 : $19.18000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
110 A (Tc)
10V
18mOhm a 55A, 10V
4.5V a 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
-
600W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-268AA
TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
SOT-227B MiniBLOCK
IXTN500N20X4
Ultra Junction X4-Class Power
IXYS
195
En stock
1 : $43.47000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
500 A (Tc)
10V
1.99mOhm a 100A, 10V
4.5V a 250µA
535 nC @ 10 V
±20V
41500 pF @ 25 V
-
1150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B - miniBLOC
SOT-227-4, miniBLOC
ISOPLUS i4-PAK
IXTF02N450
MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
IXYS
346
En stock
1 : $46.06000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
4500 V
200mA (Tc)
10V
750Ohm a 10mA, 10V
6.5V a 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
256 pF @ 25 V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5 (3 conductores)
IXKK85N60C
IXKK85N60C
MOSFET N-CH 600V 85A TO264A
IXYS
107
En stock
1 : $46.25000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
85 A (Tc)
10V
36mOhm a 55A, 10V
4V a 4mA
650 nC @ 10 V
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264AA
TO-264-3, TO-264AA
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN55N120SK
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
IXYS
134
En stock
280
Fábrica
1 : $58.60000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
54 A (Tc)
15V
42mOhm a 40A, 15V
3.6V a 12mA
107 nC @ 15 V
+15V, -4V
3360 pF @ 1000 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
TO-252AA
IXTY02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
IXYS
262
En stock
1 : $2.55000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N, modo de implementación
MOSFET (óxido de metal)
500 V
200mA (Tc)
-
30Ohm a 50mA, 0V
-
-
±20V
120 pF @ 25 V
-
1.1W (Ta), 25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
IXFP16N50P3
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
IXYS
166
En stock
950
Fábrica
1 : $6.26000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
16 A (Tc)
10V
360mOhm a 8A, 10V
5V a 2.5mA
29 nC @ 10 V
±30V
1515 pF @ 25 V
-
330W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-3P
IXFQ20N50P3
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
IXYS
285
En stock
780
Fábrica
1 : $6.32000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
20 A (Tc)
10V
300mOhm a 10A, 10V
5V a 1.5mA
36 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 25 V
-
380W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3P
IXFQ34N50P3
MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
IXYS
522
En stock
1 : $9.47000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
34 A (Tc)
10V
170mOhm a 17A, 10V
5V a 4mA
60 nC @ 10 V
±30V
3260 pF @ 25 V
-
695W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3P
IXFQ50N50P3
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
IXYS
248
En stock
1 : $11.38000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
50 A (Tc)
10V
120mOhm a 25A, 10V
5V a 4mA
85 nC @ 10 V
±30V
4335 pF @ 25 V
-
960W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3P
IXFQ94N30P3
MOSFET N-CH 300V 94A TO3P
IXYS
123
En stock
750
Fábrica
1 : $11.60000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
94 A (Tc)
10V
36mOhm a 47A, 10V
5V a 4mA
102 nC @ 10 V
±20V
5510 pF @ 25 V
-
1040W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-247-3 Variant
IXFX64N50Q3
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
IXYS
200
En stock
1 : $28.51000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
64 A (Tc)
10V
85mOhm a 32A, 10V
6.5V a 4mA
145 nC @ 10 V
±30V
6950 pF @ 25 V
-
1000W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PLUS247™-3
TO-247-3 variante
TO-247
IXTH3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
IXYS
172
En stock
1 : $30.11000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
2000 V
3 A (Tc)
10V
8Ohm a 1.5A, 10V
5V a 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1860 pF @ 25 V
-
520W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-247-3 Variant
IXFX32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
IXYS
126
En stock
1 : $32.37000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
32 A (Tc)
10V
320mOhm a 16A, 10V
6.5V a 8mA
195 nC @ 10 V
±30V
9940 pF @ 25 V
-
1250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PLUS247™-3
TO-247-3 variante
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
IXYS
286
En stock
1 : $61.31000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
28 A (Tc)
10V
320mOhm a 16A, 10V
6.5V a 8mA
195 nC @ 10 V
±30V
9940 pF @ 25 V
-
780W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
TO-263AB
IXFA12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
IXYS
291
En stock
1 : $2.09000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
12 A (Tc)
10V
500mOhm a 6A, 10V
5.5V a 1mA
29 nC @ 10 V
±30V
1830 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA (IXFA)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-3P
IXTQ14N60P
MOSFET N-CH 600V 14A TO3P
IXYS
280
En stock
1 : $2.54000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
14 A (Tc)
10V
550mOhm a 7A, 10V
5.5V a 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
2500 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-252AA
IXTY8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO252
IXYS
345
En stock
1,960
Fábrica
1 : $3.53000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
8 A (Tc)
10V
500mOhm a 4A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±30V
800 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263AB
IXTA90N075T2
MOSFET N-CH 75V 90A TO263
IXYS
242
En stock
1 : $3.59000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
90 A (Tc)
10V
10mOhm a 25A, 10V
4V a 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3290 pF @ 25 V
-
180W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-252AA
IXTY8N70X2
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
IXYS
341
En stock
1 : $3.75000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
8 A (Tc)
10V
500mOhm a 500mA, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±30V
800 pF @ 10 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
IXFP12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
IXYS
257
En stock
1 : $4.48000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
12 A (Tc)
10V
500mOhm a 6A, 10V
5.5V a 1mA
29 nC @ 10 V
±30V
1830 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
IXFP30N25X3M
IXFP36N20X3M
MOSFET N-CH 200V 36A TO220
IXYS
292
En stock
500
Fábrica
1 : $4.83000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
36 A (Tc)
10V
45mOhm a 18A, 10V
4.5V a 500µA
21 nC @ 10 V
±20V
1425 pF @ 25 V
-
36W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220, lengüeta aislada
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
TO-263AB
IXFA36N20X3
MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA
IXYS
185
En stock
1 : $5.17000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
36 A (Tc)
10V
45mOhm a 18A, 10V
4.5V a 500µA
21 nC @ 10 V
±20V
1425 pF @ 25 V
-
176W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA (IXFA)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Demostración
de 1,133

IXYS FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.