Infineon Technologies FET simple, MOSFET

Demostración

de 7,976

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Voltaje acoplado a carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	35,598 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05307 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	170mA (Ta)	4.5V, 10V	8Ohm a 170mA, 10V	2V a 20µA	1.5 nC @ 10 V	-	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SN7002NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies	29,121 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05264 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	1.8V a 26µA	1.5 nC @ 10 V	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	206,727 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05430 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 230mA, 10V	1.4V a 26µA	1.4 nC @ 10 V	-	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Infineon Technologies	409,458 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05855 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.4A (Ta)	4.5V, 10V	160mOhm a 1.4A, 10V	2V a 3.7µA	0.6 nC @ 5 V	-	±20V	94 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Infineon Technologies	169,988 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06081 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	190mA (Ta)	4.5V, 10V	6Ohm a 190mA, 10V	1.8V a 13µA	0.9 nC @ 10 V	-	±20V	20.9 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS816NWH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3 Infineon Technologies	66,993 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06162 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.4A (Ta)	1.8V, 2.5V	160mOhm a 1.4A, 2.5V	750mV a 3.7µA	0.6 nC @ 2.5 V	-	±8V	180 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT323	SC-70, SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Infineon Technologies	49,359 En stock	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06718 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	140mOhm a 1.5A, 4.5V	1.2V a 3.7µA	0.8 nC @ 5 V	-	±12V	143 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT323	SC-70, SOT-323
BSS214NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Infineon Technologies	154,917 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06906 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	140mOhm a 1.5A, 4.5V	1.2V a 3.7µA	0.8 nC @ 5 V	-	±12V	143 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Infineon Technologies	460,025 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07724 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.3A (Ta)	1.8V, 2.5V	57mOhm a 2.3A, 2.5V	750mV a 11µA	1.7 nC @ 2.5 V	-	±8V	529 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1 MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Infineon Technologies	1,679 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07602 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	240 V	110mA (Ta)	4.5V, 10V	14Ohm a 100mA, 10V	1.8V a 56µA	3.1 nC @ 10 V	-	±20V	77 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Infineon Technologies	78,019 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07846 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.3A (Ta)	1.8V, 2.5V	57mOhm a 2.3A, 2.5V	750mV a 11µA	1.7 nC @ 2.5 V	-	±8V	529 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2030TRPBF MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Infineon Technologies	22,419 En stock	1 : $0.39000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08224 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	2.7A (Ta)	4.5V, 10V	100mOhm a 2.7A, 10V	2.3V a 25µA	1 nC @ 4.5 V	-	±20V	110 pF @ 15 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Infineon Technologies	149,196 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08681 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	330mA (Ta)	4.5V, 10V	2Ohm a 330mA, 10V	2V a 80µA	3.57 nC @ 10 V	-	±20V	78 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2244TRPBF MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Infineon Technologies	24,088 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09110 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	2.5V, 4.5V	54mOhm a 4.3A, 4.5V	1.1V a 10µA	6.9 nC @ 4.5 V	-	±12V	570 pF @ 16 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6246TRPBF MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Infineon Technologies	18,696 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08733 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.1A (Ta)	2.5V, 4.5V	46mOhm a 4.1A, 4.5V	1.1V a 5µA	3.5 nC @ 4.5 V	-	±12V	290 pF @ 16 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6244TRPBF MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 Infineon Technologies	76,298 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08940 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6.3 A (Ta)	2.5V, 4.5V	21mOhm a 6.3A, 4.5V	1.1V a 10µA	8.9 nC @ 4.5 V	-	±12V	700 pF @ 16 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFML8244TRPBF MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 Infineon Technologies	16,374 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09132 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	5.8A (Ta)	4.5V, 10V	24mOhm a 5.8A, 10V	2.35V a 10µA	5.4 nC @ 10 V	-	±20V	430 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6346TRPBF MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 Infineon Technologies	35,794 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09235 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.4A (Ta)	2.5V, 4.5V	63mOhm a 3.4A, 4.5V	1.1V a 10µA	2.9 nC @ 4.5 V	-	±12V	270 pF @ 24 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5103TRPBF MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 Infineon Technologies	61,694 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09702 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	760mA (Ta)	4.5V, 10V	600mOhm a 600mA, 10V	1V a 250µA	5.1 nC @ 10 V	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	540mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML9301TRPBF MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 Infineon Technologies	29,575 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09943 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.6A (Ta)	4.5V, 10V	64mOhm a 3.6A, 10V	2.4V a 10µA	4.8 nC @ 4.5 V	-	±20V	388 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	22,308 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10168 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	98mOhm a 3A, 10V	2.5V a 250µA	14 nC @ 10 V	-	±20V	510 pF @ 25 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0040TRPBF MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 Infineon Technologies	112,474 En stock	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09936 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	3.6A (Ta)	4.5V, 10V	56mOhm a 3.6A, 10V	2.5V a 25µA	3.9 nC @ 4.5 V	-	±16V	266 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6344TRPBF MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	77,624 En stock	1 : $0.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10425 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5A (Ta)	2.5V, 4.5V	29mOhm a 5A, 4.5V	1.1V a 10µA	6.8 nC @ 4.5 V	-	±12V	650 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 Infineon Technologies	85,207 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10811 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.3A (Ta)	4.5V, 10V	27mOhm a 5.2A, 10V	2.3V a 25µA	2.6 nC @ 4.5 V	-	±20V	382 pF @ 15 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0100TRPBF MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Infineon Technologies	23,779 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11911 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.6A (Ta)	4.5V, 10V	220mOhm a 1.6A, 10V	2.5V a 25µA	2.5 nC @ 4.5 V	-	±16V	290 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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