Infineon Technologies FET simple, MOSFET

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7,944Resultados
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Demostración
de 7,944
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
113,934
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03468
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
173,471
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04692
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
230mA (Ta)
4.5V, 10V
3.5Ohm a 230mA, 10V
1.4V a 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
170,135
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04590
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
190mA (Ta)
4.5V, 10V
6Ohm a 190mA, 10V
1.8V a 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
169,107
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07752
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.2 A (Ta)
4.5V, 10V
250mOhm a 910mA, 10V
1V a 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
510,326
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05916
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.3 A (Ta)
1.8V, 2.5V
57mOhm a 2.3A, 2.5V
750mV a 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
43,693
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09030
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
760mA (Ta)
4.5V, 10V
600mOhm a 600mA, 10V
1V a 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
6,371
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09690
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5 A (Ta)
2.5V, 4.5V
29mOhm a 5A, 4.5V
1.1V a 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
132,534
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08058
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.3 A (Ta)
4.5V, 10V
27mOhm a 5.2A, 10V
2.3V a 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
74,877
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07770
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.5 A (Ta)
4.5V, 10V
140mOhm a 1.5A, 10V
2V a 6.3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
103,624
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08670
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
46mOhm a 4.1A, 4.5V
1.1V a 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
58,481
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08466
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
5.8 A (Ta)
4.5V, 10V
24mOhm a 5.8A, 10V
2.35V a 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
96,893
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07650
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.3 A (Ta)
4.5V, 10V
57mOhm a 2.3A, 10V
2V a 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
164,399
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08895
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
330mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 330mA, 10V
2V a 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
337,128
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06936
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
21mOhm a 6.3A, 4.5V
1.1V a 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
82,760
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09030
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.7 A (Ta)
2.5V, 4.5V
65mOhm a 3.7A, 4.5V
1.2V a 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
32,788
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09792
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
45mOhm a 4.2A, 4.5V
1.2V a 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
22,062
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08715
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
4.3 A (Ta)
1.8V, 4.5V
50mOhm a 4.3A, 4.5V
950mV a 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
235,629
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09555
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2 A (Ta)
4.5V, 10V
80mOhm a 2A, 10V
2V a 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-TO252-3
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
21,407
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.14586
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
1.7 A (Tc)
13V
3Ohm a 400mA, 13V
3.5V a 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
26W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
42,394
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09282
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
3.6 A (Ta)
4.5V, 10V
56mOhm a 3.6A, 10V
2.5V a 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5203TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
4,789
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09975
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3 A (Ta)
4.5V, 10V
98mOhm a 3A, 10V
2.5V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
33,990
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11832
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N, modo de implementación
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm a 170mA, 10V
1.8V a 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
33,752
En stock
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11911
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1.6 A (Ta)
4.5V, 10V
220mOhm a 1.6A, 10V
2.5V a 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Infineon Technologies
148,389
En stock
1 : $0.51000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10200
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2.7 A (Ta)
4.5V, 10V
92mOhm a 2.7A, 10V
2.5V a 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
74,444
En stock
1 : $0.51000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14484
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.7 A (Ta)
1.8V, 2.5V
23mOhm a 3.7A, 2.5V
750mV a 30µA
4.7 nC @ 2.5 V
±8V
1447 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SC59-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 7,944

Infineon Technologies FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.