Infineon Technologies FET simple, MOSFET

Resultados : 7,645
Serie
-*CoolGaN™CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ 5CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V14 V15 V20 V24 V25 V28 V30 V34 V40 V49 V50 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
21mA (Ta)90mA (Ta)100mA (Ta)110mA (Ta)120mA (Ta)140mA (Ta)150mA (Ta)170mA (Ta)180mA (Ta)190mA (Ta)200mA (Ta)210mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V, 10V0V, 18V1.8V, 2.5V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.7V, 10V2.7V, 4.5V2.8V, 10V2.8V, 4.5V3.3V, 10V4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.29mOhm a 50A, 10V0.35mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.44mOhm a 88A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 30A, 7V0.45mOhm a 50A, 10V0.47mOhm a 50A, 10V0.52mOhm a 88A, 10V0.55mOhm a 100A, 10V0.55mOhm a 50A, 10V0.55mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
600mV a 250µA (mín.)600mV a 500µA (mín.)700mV a 250µA700mV a 250µA (mín.)750mV a 11µA750mV a 3.7µA750mV a 30µA900mV a 250µA950mV a 250µA950mV a 3.7µA1V a 100µA1V a 108µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.59 nC @ 10 V0.6 nC @ 10 V0.6 nC @ 2.5 V0.6 nC @ 5 V0.62 nC @ 4.5 V0.63 nC @ 10 V0.65 nC @ 10 V0.67 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.8 nC @ 5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-10V+5V, -16V±7V±8V±10V±12V±14V15V, 12V±16V+18V, -15V+20V, -10V+20V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
15 pF @ 50 V18 pF @ 30 V19 pF @ 25 V19.1 pF @ 25 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V21 pF @ 25 V28 pF @ 25 V32 pF @ 25 V32 pF @ 30 V39 pF @ 25 V41 pF @ 25 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo de detección de temperaturaDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
250mW (Ta)300mW (Ta)300mW (Tc)360mW (Ta)400mW (Ta)500mW (Ta)500mW (Tc)520mW (Ta)540mW (Ta)560mW (Ta)1W (Ta)1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)0°C ~ 150°C (TJ)175°C
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
4-FlipFet™6-PQFN (2x2)6-PQFN (2x2) (DFN2020)6-PQFN Dual (2x2)6-TSOP8-PQFN (3.1x3.1)8-PQFN (3.3x3.3), Power338-PQFN (3x3)8-PQFN (5x6)8-PQFN-Dual (3.3x3.3)8-SO8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)
3-WDSON4-FlipFet™4-PowerLSFN4-PowerTSFN5-PowerSFN6-PowerVDFN6-VSSOP, SC-88, SOT-3638-PowerSFN8-PowerSMD, Ala de gaviota8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
610,901
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04396
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.4 A (Ta)
4.5V, 10V
160mOhm a 1.4A, 10V
2V a 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
465,932
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08537
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
21mOhm a 6.3A, 4.5V
1.1V a 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
210,297
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08887
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.3 A (Ta)
4.5V, 10V
27mOhm a 5.2A, 10V
2.3V a 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
116,934
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04821
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
84,745
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
230mA (Ta)
4.5V, 10V
3.5Ohm a 230mA, 10V
1.4V a 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
120,051
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09547
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
330mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 330mA, 10V
2V a 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,621
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09501
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
1.7Ohm a 300mA, 10V
2V a 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
58,810
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09484
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
760mA (Ta)
4.5V, 10V
600mOhm a 600mA, 10V
1V a 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
385,934
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06094
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 170mA, 10V
2V a 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
30,504
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09721
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.3 A (Ta)
4.5V, 10V
57mOhm a 2.3A, 10V
2V a 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
200,332
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06664
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
190mA (Ta)
4.5V, 10V
6Ohm a 190mA, 10V
1.8V a 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
130,299
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06606
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.4 A (Ta)
1.8V, 2.5V
160mOhm a 1.4A, 2.5V
750mV a 3.7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
SOT-323
BSS209PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Infineon Technologies
75,527
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06451
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
630mA (Tc)
2.5V, 4.5V
550mOhm a 630mA, 4.5V
1.2V a 3.5µA
1.3 nC @ 4.5 V
±12V
115 pF @ 15 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
24,782
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07094
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
540mA (Ta)
4.5V, 10V
650mOhm a 270mA, 10V
2V a 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
105,581
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13601
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm a 170mA, 10V
1.8V a 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
Modo de exclusión
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
77,914
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10666
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.2 A (Ta)
2.7V, 4.5V
250mOhm a 930mA, 4.5V
700mV a 250µA (mín.)
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
76,404
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08859
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.5 A (Ta)
4.5V, 10V
140mOhm a 1.5A, 10V
2V a 6.3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
50,634
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10796
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
4.3 A (Ta)
1.8V, 4.5V
50mOhm a 4.3A, 4.5V
950mV a 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
227,159
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11175
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2 A (Ta)
4.5V, 10V
80mOhm a 2A, 10V
2V a 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRLHS6242TRPBF
MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Infineon Technologies
121,336
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.17075
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
10 A (Ta), 12 A (Tc)
2.5V, 4.5V
11.7mOhm a 8.5A, 4.5V
1.1V a 10µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
1110 pF @ 10 V
-
1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
6-PowerVDFN
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
106,547
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11238
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.7 A (Ta)
2.5V, 4.5V
65mOhm a 3.7A, 4.5V
1.2V a 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
36,350
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14153
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1.6 A (Ta)
4.5V, 10V
220mOhm a 1.6A, 10V
2.5V a 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
230,053
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09419
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
46mOhm a 4.1A, 4.5V
1.1V a 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
209,158
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11476
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
780mA (Ta)
2.7V, 4.5V
600mOhm a 610mA, 4.5V
1.5V a 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
208,747
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1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07837
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.5 A (Ta)
2.5V, 4.5V
140mOhm a 1.5A, 4.5V
1.2V a 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
Demostración
de 7,645

Infineon Technologies FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.