Harris Corporation FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
HUF75337P3 MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 Harris Corporation	2,600 Mercado	1,211 : $0.25000 Tubo	UltraFET™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	75 A (Tc)	-	14mOhm a 75A, 10V	4V a 250µA	109 nC @ 20 V	±20V	1775 pF @ 25 V	-	175W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
RFP2NO8L 2A, 80V, 1.05OHM, N CHANNEL MOSF Harris Corporation	1,609 Mercado	1,211 : $0.25000 Granel	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
HUF75307T3ST136 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL, Harris Corporation	3,263 Mercado	1,158 : $0.26000 Granel	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRF512S2532 4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL Harris Corporation	1,200 Mercado	1,200 : $0.26000 Granel	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
RFP2P08 P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	3,542 Mercado	1,110 : $0.27000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	2 A (Tc)	10V	3.5Ohm a 1A, 10V	4V a 1mA	-	±20V	150 pF @ 25 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
RFP2N08 N-CHANNEL, MOSFET Harris Corporation	3,360 Mercado	1,110 : $0.27000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	2 A (Tc)	10V	1.05Ohm a 2A, 5V	4V a 250µA	-	±20V	200 pF @ 25 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
HUF75309D3S MOSFET N-CH 55V 19A DPAK Harris Corporation	14,180 Mercado	1,025 : $0.29000 Tubo	UltraFET™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	19 A (Tc)	10V	70mOhm a 19A, 10V	4V a 250µA	24 nC @ 20 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	55W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
RFP2N10 N-CHANNEL, MOSFET Harris Corporation	1,323 Mercado	1,323 : $0.29000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	2 A (Tc)	10V	1.05Ohm a 2A, 5V	4V a 250µA	-	±20V	200 pF @ 25 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
RFD4N06L N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,424 Mercado	987 : $0.30000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4 A (Tc)	5V	600mOhm a 1A, 5V	2.5V a 250µA	8 nC @ 10 V	±10V	-	-	30W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	IPAK	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
RFD8P06E P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,278 Mercado	952 : $0.32000 Granel	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
RFD3N08L N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,346 Mercado	952 : $0.32000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	3 A (Tc)	5V	800mOhm a 1.5A, 5V	2.5V a 250µA	8 nC @ 10 V	±10V	-	-	30W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	IPAK	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRF613 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,940 Mercado	919 : $0.33000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	2.6 A (Tc)	10V	2.4Ohm a 1.6A, 10V	4V a 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	135 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFU110 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL Harris Corporation	2,825 Mercado	919 : $0.33000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4.3 A (Tc)	10V	540mOhm a 900mA, 10V	4V a 250µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 25 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
RFP4N06 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,079 Mercado	1,079 : $0.33000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4 A (Tc)	10V	800mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	-	±20V	200 pF @ 25 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
IRF523 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,608 Mercado	833 : $0.36000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	8 A (Tc)	10V	360mOhm a 5.6A, 10V	4V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	60W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
RFD3N08LSM9A N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,425 Mercado	833 : $0.36000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	3 A (Tc)	5V	800mOhm a 3A, 5V	2.5V a 250µA	8.5 nC @ 10 V	±10V	125 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFU9110 3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL Harris Corporation	1,735 Mercado	833 : $0.36000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.1 A (Tc)	10V	1.2Ohm a 1.9A, 10V	4V a 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
RFP14N06L N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,085 Mercado	1,085 : $0.36000 Granel	*	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFD9110 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL Harris Corporation	11,617 Mercado	807 : $0.37000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	700mA (Ta)	10V	1.2Ohm a 420mA, 10V	4V a 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	4-DIP, Hexdip, HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFR121 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,880 Mercado	807 : $0.37000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	8.4A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
RFD14N06LSM9A N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,500 Mercado	807 : $0.37000 Granel	-	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFD112 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Harris Corporation	1,371 Mercado	807 : $0.37000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	800mA (Tc)	10V	800mOhm a 800mA, 10V	4V a 250µA	7 nC @ 10 V	±20V	135 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	4-DIP, Hexdip	4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFR1219A N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,500 Mercado	761 : $0.39000 Granel	-	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFR91109A P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,500 Mercado	761 : $0.39000 Granel	-	Granel	Activo	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFR321 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	1,802 Mercado	761 : $0.39000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	350 V	3.1 A (Ta)	10V	1.8Ohm a 1.7A, 10V	4V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

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