GaNFET (Nitrito de galio) FET simple, MOSFET

Demostración

de 368

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
EPC2203 GANFET N-CH 80V 1.7A DIE EPC	26,774 En stock	1 : $1.47000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.39445 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	80 V	1.7A (Ta)	5V	80mOhm a 1A, 5V	2.5V a 600µA	0.83 nC @ 5 V	+5.75V, -4V	88 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2040 GANFET NCH 15V 3.4A DIE EPC	32,969 En stock	1 : $1.75000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.48407 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	15 V	3.4A (Ta)	5V	30mOhm a 1.5A, 5V	2.5V a 1mA	0.93 nC @ 5 V	-	105 pF @ 6 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2070 TRANS GAN DIE 100V .022OHM EPC	2,304 En stock	1 : $1.75000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.48407 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	1.7A (Ta)	5V	23mOhm a 3A, 5V	2.5V a 1.5mA	2.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	386 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2051 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE EPC	59,030 En stock	1 : $1.86000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.51927 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	1.7A (Ta)	5V	25mOhm a 3A, 5V	2.5V a 1.5mA	2.1 nC @ 5 V	+6V, -4V	258 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2037 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE EPC	1,283,170 En stock	1 : $1.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.55415 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	1.7A (Ta)	5V	550mOhm a 100mA, 5V	2.5V a 80µA	0.12 nC @ 5 V	+6V, -4V	14 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2038 GANFET N-CH 100V 500MA DIE EPC	120,501 En stock	1 : $1.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.59450 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	500mA (Ta)	5V	3.3Ohm a 50mA, 5V	2.5V a 20µA	0.044 nC @ 5 V	+6V, -4V	8.4 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2036 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE EPC	27,872 En stock	1 : $1.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.55415 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	1.7A (Ta)	5V	65mOhm a 1A, 5V	2.5V a 600µA	0.91 nC @ 5 V	+6V, -4V	90 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2035 GANFET N-CH 60V 1.7A DIE EPC	27,480 En stock	1 : $1.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.55415 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	60 V	1.7A (Ta)	5V	45mOhm a 1A, 5V	2.5V a 800µA	1.15 nC @ 5 V	+6V, -4V	115 pF @ 30 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2014C GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE EPC	5,813 En stock	1 : $2.20000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.63449 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	40 V	10A (Ta)	5V	16mOhm a 10A, 5V	2.5V a 2mA	2.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	300 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2057 TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA EPC	11,210 En stock	1 : $2.27000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.65720 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	50 V	9.6A (Ta)	5V	8.5mOhm a 6A, 5V	2.5V a 2mA	3.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	444 pF @ 25 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2052 GANFET N-CH 100V 8.2A DIE EPC	99,033 En stock	1 : $2.30000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.66853 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	8.2A (Ta)	5V	13.5mOhm a 11A, 5V	2.5V a 3mA	4.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	575 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2039 GANFET N-CH 80V 6.8A DIE EPC	86,284 En stock	1 : $2.37000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.69110 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	80 V	6.8 A (Ta)	5V	25mOhm a 6A, 5V	2.5V a 2mA	2.4 nC @ 5 V	+6V, -4V	210 pF @ 40 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2054 TRANS GAN 200V DIE 43MOHM EPC	6,521 En stock	1 : $2.50000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.76000 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	200 V	3A (Ta)	5V	43mOhm a 1A, 5V	2.5V a 1mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	573 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2252 TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA EPC	16,119 En stock	1 : $2.59000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.76943 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	80 V	8.2A (Ta)	-	11mOhm a 11A, 5V	2.5V a 2.5mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	576 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC8010 GANFET N-CH 100V 4A DIE EPC	20,015 En stock	1 : $3.08000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.95000 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	4A (Ta)	5V	160mOhm a 500mA, 5V	2.5V a 250µA	0.48 nC @ 5 V	+6V, -4V	55 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2007C GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE EPC	18,787 En stock	1 : $3.08000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.10200 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	6A (Ta)	5V	30mOhm a 6A, 5V	2.5V a 1.2mA	2.2 nC @ 5 V	+6V, -4V	220 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2207 TRANS GAN 200V DIE .022OHM EPC	19,327 En stock	1 : $3.20000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.00050 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	200 V	14A (Ta)	5V	22mOhm a 14A, 5V	2.5V a 2mA	5.9 nC @ 5 V	+6V, -4V	600 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2204 TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM EPC	90,316 En stock	1 : $3.23000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.01250 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	29A (Ta)	5V	6mOhm a 16A, 5V	2.5V a 4mA	7.4 nC @ 5 V	+6V, -4V	851 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2055 GANFET N-CH 40V 29A DIE EPC	24,627 En stock	1 : $3.26000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.02500 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	40 V	29A (Ta)	5V	4.2mOhm a 15A, 5V	2.5V a 7mA	8.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	1254 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2016C GANFET N-CH 100V 18A DIE EPC	23,077 En stock	1 : $3.40000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.08750 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	18A (Ta)	5V	16mOhm a 11A, 5V	2.5V a 3mA	4.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	420 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2204A TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101 EPC	18,172 En stock	1 : $3.69000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.21500 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	80 V	29A (Ta)	5V	6mOhm a 16A, 5V	2.5V a 4mA	7.4 nC @ 5 V	+6V, -4V	851 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2012C GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE EPC	291 En stock	1 : $3.71000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.22500 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	200 V	5A (Ta)	5V	100mOhm a 3A, 5V	2.5V a 1mA	1.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	140 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
GAN7R0-150LBEZ 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G Nexperia USA Inc.	3,749 En stock	1 : $3.77000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.25000 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	150 V	28A	5V	7mOhm a 10A, 5V	2.1V a 5mA	7.6 nC @ 5 V	+6V, -4V	865 pF @ 85 V	-	28W	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-FCLGA (3.2x2.2)	3-VLGA
EPC2212 GANFET N-CH 100V 18A DIE EPC	94,590 En stock	1 : $3.94000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.32500 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	18A (Ta)	5V	13.5mOhm a 11A, 5V	2.5V a 3mA	4 nC @ 5 V	+6V, -4V	407 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC8004 GANFET N-CH 40V 4A DIE EPC	928 En stock	1 : $4.29000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.48750 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	40 V	4A (Ta)	5V	110mOhm a 500mA, 5V	2.5V a 250µA	0.45 nC @ 5 V	+6V, -4V	52 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde

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de 368

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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