Fairchild Semiconductor FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BS170-D26Z SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor	110,646 Mercado	2,137 : $0.14000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	500mA (Ta)	10V	5Ohm a 200mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	40 pF @ 10 V	-	830mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	Conductores formados TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
FDG326P MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88 Fairchild Semiconductor	102,000 Mercado	2,019 : $0.15000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	140mOhm a 1.5A, 4.5V	1.5V a 250µA	7 nC @ 4.5 V	±8V	467 pF @ 10 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-88 (SC-70-6)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
5HP01M-TL-E-FS MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3 Fairchild Semiconductor	45,000 Mercado	2,019 : $0.15000 Granel	-	*	Granel	Obsoleto	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDG314P MOSFET P-CH 25V 650MA SC88 Fairchild Semiconductor	332,532 Mercado	1,817 : $0.17000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	25 V	650mA (Ta)	2.7V, 4.5V	1.1Ohm a 500mA, 4.5V	1.5V a 250µA	1.5 nC @ 4.5 V	±8V	63 pF @ 10 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-88 (SC-70-6)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSP1N60A N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	5,115 Mercado	1,817 : $0.17000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	1A (Tc)	10V	12Ohm a 500mA, 10V	4V a 250µA	11 nC @ 10 V	±30V	190 pF @ 25 V	-	34W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
IRFU310BTU N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	102,695 Mercado	1,514 : $0.20000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	1.7A (Tc)	10V	3.4Ohm a 850mA,10V	4V a 250µA	10 nC @ 10 V	±30V	330 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 26W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251 (IPAK)	Conductores stub TO-251-3, IPAK
SSU1N60BTU N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	25,769 Mercado	1,514 : $0.20000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	900mA (Tc)	10V	12Ohm a 450mA, 10V	4V a 250µA	7.7 nC @ 10 V	±30V	215 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 28W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFI614BTUFP001 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	3,000 Mercado	1,514 : $0.20000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	2.8A (Tc)	10V	2Ohm a 1.4A, 10V	4V a 250µA	10.5 nC @ 10 V	±30V	275 pF @ 25 V	-	3.13W (Ta), 40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262 (I2PAK)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IRFR310BTF N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	2,215 Mercado	1,514 : $0.20000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	1.7A (Tc)	10V	3.4Ohm a 850mA,10V	4V a 250µA	10 nC @ 10 V	±30V	330 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 26W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SFR9214TF P-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	56,987 Mercado	1,397 : $0.21000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	250 V	1.53A (Tc)	10V	4Ohm a 770mA, 10V	4V a 250µA	11 nC @ 10 V	±30V	295 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SI3442DV MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6 Fairchild Semiconductor	32,796 Mercado	1,397 : $0.21000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.1A (Ta)	2.7V, 4.5V	60mOhm a 4.1A, 4.5V	1V a 250µA	14 nC @ 4.5 V	8V	365 pF @ 10 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
FDD6632 MOSFET N-CH 30V 9A DPAK Fairchild Semiconductor	17,099 Mercado	1,397 : $0.21000 Granel	-	UltraFET™	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9A (Tc)	4.5V, 10V	70mOhm a 9A, 10V	3V a 250µA	4 nC @ 5 V	±20V	255 pF @ 15 V	-	15W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SSS1N60B N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	3,684 Mercado	1,397 : $0.21000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	1 A (Tj)	10V	12Ohm a 500mA, 10V	4V a 250µA	7.7 nC @ 10 V	±30V	215 pF @ 25 V	-	17W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F	TO-220-3 paquete completo
IRFI624BTUFP001 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	2,000 Mercado	1,397 : $0.21000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	4.1A (Tc)	10V	1.1Ohm a 2.05A, 10V	4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±30V	450 pF @ 25 V	-	3.13W (Ta), 49W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262 (I2PAK)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
FDN372S MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3 Fairchild Semiconductor	105,541 Mercado	1,297 : $0.23000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	2.6A (Ta)	4.5V, 10V	40mOhm a 2.6A, 10V	3V a 1mA	8.1 nC @ 5 V	±16V	630 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDME0106NZT SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor	21,625 Mercado	1,297 : $0.23000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9A (Ta)	1.8V, 4.5V	18mOhm a 9A, 4.5V	1V a 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±12V	865 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	MicroFet 1.6x1.6 delgado	6-PowerUFDFN
SI3447DV P-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor	3,999 Mercado	1,297 : $0.23000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	5.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	33mOhm a 5.5A, 4.5V	1.5V a 250µA	30 nC @ 4.5 V	±8V	1926 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
IRLI610ATU MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK Fairchild Semiconductor	3,000 Mercado	1,297 : $0.23000 Tubo	-	-	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	3.3A (Tc)	5V	1.5Ohm a 1.65A, 5V	2V a 250µA	9 nC @ 5 V	±20V	240 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262 (I2PAK)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
FDC654P SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor	2,308,364 Mercado	1,218 : $0.25000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.6A (Ta)	4.5V, 10V	75mOhm a 3.6A, 10V	3V a 250µA	9 nC @ 10 V	±20V	298 pF @ 15 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
FDG329N MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 Fairchild Semiconductor	398,935 Mercado	1,137 : $0.26000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	90mOhm a 1.5A, 4.5V	1.5V a 250µA	4.6 nC @ 4.5 V	±12V	324 pF @ 10 V	-	420mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-88 (SC-70-6)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSP2N60B N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	372,000 Mercado	1,137 : $0.26000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	2A (Tc)	10V	5Ohm a 1A, 10V	4V a 250µA	17 nC @ 10 V	±30V	490 pF @ 25 V	-	54W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
FDFC2P100 MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6 Fairchild Semiconductor	112,987 Mercado	1,137 : $0.26000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	150mOhm a 3A, 4.5V	1.5V a 250µA	4.7 nC @ 10 V	±12V	445 pF @ 10 V	Diodo Schottky (aislado)	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
IRFS614B N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	77,516 Mercado	1,137 : $0.26000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	2.8A (Tj)	10V	2Ohm a 1.4A, 10V	4V a 250µA	10.5 nC @ 10 V	±30V	275 pF @ 25 V	-	22W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F	TO-220-3 paquete completo
NDS335N MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Fairchild Semiconductor	71,091 Mercado	1,137 : $0.26000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.7A (Ta)	2.7V, 4.5V	110mOhm a 1.7A, 4.5V	1V a 250µA	9 nC @ 4.5 V	8V	240 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN363N N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	42,602 Mercado	1,137 : $0.26000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1A (Tc)	6V, 10V	240mOhm a 1A, 10V	4V a 250µA	5.2 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 25 V	-	500mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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