Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA FET simple, MOSFET

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de 919

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRFSL7437PBF MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Infineon Technologies	1,197 En stock	1 : $2.50000 Tubo	-	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	195A (Tc)	6V, 10V	1.8mOhm a 100A, 10V	3.9V a 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	7330 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
STI24N60M2 MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK STMicroelectronics	1,170 En stock	1 : $3.01000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II Plus	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	18A (Tc)	10V	190mOhm a 9A, 10V	4V a 250µA	29 nC @ 10 V	±25V	1060 pF @ 100 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262 (I2PAK)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IRF4905LPBF MOSFET P-CH 55V 42A TO262 Infineon Technologies	2,308 En stock	1 : $3.38000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	42A (Tc)	10V	20mOhm a 42A, 10V	4V a 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	3500 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IRF740ALPBF MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK Vishay Siliconix	1,028 En stock	1 : $3.77000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	10A (Tc)	10V	550mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	36 nC @ 10 V	±30V	1030 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	I2PAK	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI075N15N3GXKSA1 MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 Infineon Technologies	364 En stock	1 : $6.29000 Tubo	-	OptiMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	100A (Tc)	8V, 10V	7.5mOhm a 100A, 10V	4V a 270µA	93 nC @ 10 V	±20V	5470 pF @ 75 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO262-3	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI80N06S407AKSA2 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 Infineon Technologies	500 En stock	1 : $2.52000 Tubo	-	OptiMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	80A (Tc)	10V	7.4mOhm a 80A, 10V	4V a 40µA	56 nC @ 10 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	PG-TO262-3-1	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
FDI150N10 MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK onsemi	3,053 En stock	1 : $3.64000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	PowerTrench®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	57A (Tc)	10V	16mOhm a 49A, 10V	4.5V a 250µA	69 nC @ 10 V	±20V	4760 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262 (I2PAK)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IRF840ALPBF MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK Vishay Siliconix	832 En stock	1 : $3.77000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	8A (Tc)	10V	850mOhm a 4.8A, 10V	4V a 250µA	38 nC @ 10 V	±30V	1018 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	I2PAK	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
STI33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK STMicroelectronics	1,165 En stock	1 : $4.40000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24A (Tc)	10V	140mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	41.5 nC @ 10 V	±25V	1790 pF @ 100 V	-	190W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	I2PAK	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
FDI045N10A-F102 MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK onsemi	222 En stock	1 : $5.31000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	PowerTrench®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	120A (Tc)	10V	4.5mOhm a 100A, 10V	4V a 250µA	74 nC @ 10 V	±20V	5270 pF @ 50 V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262 (I2PAK)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI076N15N5AKSA1 MV POWER MOS Infineon Technologies	316 En stock	1 : $5.37000 Tubo	-	OptiMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	112A (Tc)	8V, 10V	7.6mOhm a 56A, 10V	4.6V a 160µA	61 nC @ 10 V	±20V	4700 pF @ 75 V	-	214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO262-3	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI80N04S403AKSA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Infineon Technologies	459 En stock	1 : $2.52000 Tubo	-	OptiMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	80A (Tc)	10V	3.7mOhm a 80A, 10V	4V a 53µA	66 nC @ 10 V	±20V	5260 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	PG-TO262-3	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
N0434N-S23-AY MOSFET N-CH 40V 100A TO262 Renesas Electronics Corporation	2,978 En stock	1 : $2.90000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	100A (Ta)	10V	3.7mOhm a 50A, 10V	-	100 nC @ 10 V	±20V	5550 pF @ 25 V	-	1.5W (Ta), 119W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI029N06NAKSA1 MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3 Infineon Technologies	476 En stock	1 : $2.92000 Tubo	-	OptiMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	24A (Ta), 100A (Tc)	6V, 10V	2.9mOhm a 100A, 10V	2.8V a 75µA	56 nC @ 10 V	±20V	4100 pF @ 30 V	-	3W (Ta), 136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO262-3	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI90N04S402AKSA1 MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 Infineon Technologies	439 En stock	1 : $3.13000 Tubo	-	OptiMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	90A (Tc)	10V	2.5mOhm a 90A, 10V	4V a 95µA	118 nC @ 10 V	±20V	9430 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	PG-TO262-3	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI120N04S402AKSA1 MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 Infineon Technologies	500 En stock	1 : $3.26000 Tubo	-	OptiMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	120A (Tc)	10V	2.1mOhm a 100A, 10V	4V a 110µA	134 nC @ 10 V	±20V	10740 pF @ 25 V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	PG-TO262-3	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI60R190C6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3 Infineon Technologies	475 En stock	1 : $3.46000 Tubo	-	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	20.2A (Tc)	10V	190mOhm a 9.5A, 10V	3.5V a 630µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 100 V	-	151W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO262-3	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IRFBE30LPBF MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK Vishay Siliconix	968 En stock	1 : $3.55000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	4.1A (Tc)	10V	3Ohm a 2.5A, 10V	4V a 250µA	78 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	I2PAK	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI120N04S401AKSA1 MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 Infineon Technologies	215 En stock	1 : $3.64000 Tubo	-	OptiMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	120A (Tc)	10V	1.9mOhm a 100A, 10V	4V a 140µA	176 nC @ 10 V	±20V	14000 pF @ 25 V	-	188W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	PG-TO262-3	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IPI60R199CPXKSA2 HIGH POWER_LEGACY Infineon Technologies	440 En stock	1 : $3.69000 Tubo	-	CoolMOS®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	16A (Tc)	10V	199mOhm a 9.9A, 10V	3.5V a 660µA	43 nC @ 10 V	±20V	1520 pF @ 100 V	-	139W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO262-3-1	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
FCI7N60 MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK onsemi	2,938 En stock 1,000 Fábrica	1 : $3.83000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	600mOhm a 3.5A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	920 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262 (I2PAK)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
N0603N-S23-AY MOSFET N-CH 60V 100A TO262 Renesas Electronics Corporation	1,452 En stock	1 : $3.83000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	100A (Ta)	10V	4.6mOhm a 50A, 10V	-	133 nC @ 10 V	±20V	7730 pF @ 25 V	-	1.5W (Ta), 156W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IRFSL9N60APBF MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK Vishay Siliconix	746 En stock	1 : $3.84000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	9.2A (Tc)	10V	750mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	49 nC @ 10 V	±30V	1400 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	I2PAK	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
STI20N65M5 MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK STMicroelectronics	993 En stock	1 : $3.91000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ V	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	18A (Tc)	10V	190mOhm a 9A, 10V	5V a 250µA	36 nC @ 10 V	±25V	1434 pF @ 100 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-262 (I2PAK)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IRF840LCLPBF MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK Vishay Siliconix	1,965 En stock	1 : $3.93000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	8A (Tc)	10V	850mOhm a 4.8A, 10V	4V a 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	I2PAK	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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