Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA FET simple, MOSFET

Demostración

de 901

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRLU024NPBF MOSFET N-CH 55V 17A IPAK Infineon Technologies	4,861 En stock	1 : $1.24000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	17A (Tc)	4V, 10V	65mOhm a 10A, 10V	2V a 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK (TO-251AA)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A IPAK Infineon Technologies	7,101 En stock	1 : $1.41000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	31A (Tc)	10V	65mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK (TO-251AA)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
STD12NF06L-1 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK STMicroelectronics	3,239 En stock	1 : $0.98000 Tubo	-	STripFET™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	12A (Tc)	5V, 10V	100mOhm a 6A, 10V	2V a 250µA	10 nC @ 5 V	±16V	350 pF @ 25 V	-	42.8W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
SIHFU310-GE3 MOSFET N-CHANNEL 400V Vishay Siliconix	2,407 En stock	1 : $1.06000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	1.7A (Tc)	10V	3.6Ohm a 1A, 10V	4V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	170 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU120NPBF MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK Infineon Technologies	1,462 En stock	1 : $1.28000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	9.4A (Tc)	10V	210mOhm a 5.6A, 10V	4V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK (TO-251AA)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU9024NPBF MOSFET P-CH 55V 11A IPAK Infineon Technologies	524 En stock	1 : $1.50000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	11A (Tc)	10V	175mOhm a 6.6A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	38W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK (TO-251AA)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRLU3410PBF MOSFET N-CH 100V 17A IPAK Infineon Technologies	2,636 En stock	1 : $1.56000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	17A (Tc)	4V, 10V	105mOhm a 10A, 10V	2V a 250µA	34 nC @ 5 V	±16V	800 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK (TO-251AA)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
STD2NC45-1 MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK STMicroelectronics	649 En stock	1 : $1.62000 Tubo	-	SuperMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	450 V	1.5A (Tc)	10V	4.5Ohm a 500mA, 10V	3.7V a 250µA	7 nC @ 10 V	±30V	160 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251 (IPAK)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
STD1NK60-1 MOSFET N-CH 600V 1A IPAK STMicroelectronics	1,795 En stock	1 : $1.64000 Tubo	-	SuperMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	1A (Tc)	10V	8.5Ohm a 500mA, 10V	3.7V a 250µA	10 nC @ 10 V	±30V	156 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRLU014PBF MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Vishay Siliconix	2,434 En stock	1 : $1.93000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7.7A (Tc)	4V, 5V	200mOhm a 4.6A, 5V	2V a 250µA	8.4 nC @ 5 V	±10V	400 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRLU110PBF MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Vishay Siliconix	4,827 En stock	1 : $2.03000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4.3A (Tc)	4V, 5V	540mOhm a 2.6A, 5V	2V a 250µA	6.1 nC @ 5 V	±10V	250 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU9014PBF MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA Vishay Siliconix	2,671 En stock	1 : $2.07000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	5.1A (Tc)	10V	500mOhm a 3.1A, 10V	4V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU3607PBF MOSFET N-CH 75V 56A IPAK Infineon Technologies	3,452 En stock	1 : $2.24000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	75 V	56A (Tc)	10V	9mOhm a 46A, 10V	4V a 100µA	84 nC @ 10 V	±20V	3070 pF @ 50 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK (TO-251AA)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU9310PBF MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA Vishay Siliconix	2,411 En stock	1 : $2.30000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	400 V	1.8A (Tc)	10V	7Ohm a 1.1A, 10V	4V a 250µA	13 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU024PBF MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA Vishay Siliconix	4,207 En stock	1 : $2.48000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	14A (Tc)	10V	100mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	640 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU9024PBF MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA Vishay Siliconix	3,313 En stock	1 : $2.62000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	8.8A (Tc)	10V	280mOhm a 5.3A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
STU16N65M2 MOSFET N-CH 650V 11A IPAK STMicroelectronics	3,000 En stock	1 : $2.86000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11A (Tc)	10V	360mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	19.5 nC @ 10 V	±25V	718 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251 (IPAK)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IPU60R2K1CEAKMA1 CONSUMER Infineon Technologies	4,312 En stock	1 : $0.79000 Tubo	-	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	3.7A (Tc)	10V	2.1Ohm a 760mA, 10V	3.5V a 60µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 100 V	-	38W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO251-3	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IPU80R4K5P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3 Infineon Technologies	1,522 En stock	1 : $1.00000 Tubo	-	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	1.5A (Tc)	10V	4.5Ohm a 400mA, 10V	3.5V a 200µA	4 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 500 V	-	13W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO251-3-21	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
TSM2NB60CH C5G MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251 Taiwan Semiconductor Corporation	9,987 En stock	1 : $1.33000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	2A (Tc)	10V	4.4Ohm a 1A, 10V	4.5V a 250µA	9.4 nC @ 10 V	±30V	249 pF @ 25 V	-	44W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251 (IPAK)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IPU95R3K7P7AKMA1 MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3 Infineon Technologies	187 En stock	1 : $1.33000 Tubo	-	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	950 V	2A (Tc)	10V	3.7Ohm a 800mA, 10V	3.5V a 40µA	6 nC @ 10 V	±20V	196 pF @ 400 V	-	22W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO251-3	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IPU80R900P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3 Infineon Technologies	1,073 En stock	1 : $1.66000 Tubo	-	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	6A (Tc)	10V	900mOhm a 2.2A, 10V	3.5V a 110µA	15 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 500 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO251-3	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
STU3LN80K5 MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK STMicroelectronics	2,956 En stock	1 : $1.74000 Tubo	-	MDmesh™ K5	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	2A (Tc)	10V	3.25Ohm a 1A, 10V	5V a 100µA	2.63 nC @ 10 V	±30V	102 pF @ 100 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK (TO-251)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU210PBF MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA Vishay Siliconix	11,265 En stock	1 : $1.93000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	2.6A (Tc)	10V	1.5Ohm a 1.6A, 10V	4V a 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFU014PBF MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Vishay Siliconix	2,705 En stock	1 : $1.93000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7.7A (Tc)	10V	200mOhm a 4.6A, 10V	4V a 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251AA	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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