Canal P FET simple, MOSFET

Resultados : 6,178
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101BSSCMSDeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIeGaN®, FSMD-BFemtoFET™FETKY™G
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tecnología
-GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-30 V6 V8 V12 V14 V15 V16 V16.5 V20 V25 V28 V30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
35mA (Ta)45mA (Ta)50mA50mA (Ta)54mA (Tj)65mA (Ta)70mA (Ta)75mA (Ta)85mA (Tj)86mA (Tj)90mA (Ta)100mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V1.5V, 2.5V1.5V, 3.7V1.5V, 4.5V1.5V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.4mOhm a 10A, 10V1.4mOhm a 23A, 10V1.5mOhm a 20A, 10V1.6mOhm a 25A, 10V1.7mOhm a 20A, 10V1.7mOhm a 30A, 4.5V1.8mOhm a 100A, 10V1.8mOhm a 23A, 10V1.9mOhm a 25A, 10V1.95mOhm a 25A, 10V2mOhm a 10A, 10V2.1mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 250µA450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)500mV a 250µA (mín.)600mV a 1mA (típico)600mV a 250µA (mín.)600mV a 500µA (mín.)650mV a 250µA680mV a 1mA (típico)700mV a 250µA700mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.35 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 10 V0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 10 V0.5 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 5 V500 pC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V+6V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3.5 pF @ 15 V5.2 pF @ 6 V6.2 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V9.1 pF @ 3 V10 pF @ 15 V11 pF @ 3 V11 pF @ 10 V12 pF @ 3 V12.2 pF @ 3 V12.8 pF @ 15 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
100mW100mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)150mW150mW (Ta)155mW (Ta)170mW (Ta)190mW (Ta)200mW200mW (Ta)225mW
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-50°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/630
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CPH3-DFN (1.0 x 0.60)3-LGA (0.73x0.64)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP3-SPA3-SSFP3-XDFN (0.42x0.62)3-XLLGA (0.62x0.62)4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Paquete / Caja (carcasa)
3-PowerSMD, conductores planos3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor3-SMD, SOT-23-3 variante3-UDFN3-UFDFN3-XDFN3-XFDFN3-XFLGAPlaca descubierta 3-XDFN4-DIP (0.300", 7.62mm)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
671,798
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03817
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
180mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
441,881
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04107
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,115,630
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3 A (Ta)
4.5V, 10V
95mOhm a 3A, 10V
2.5V a 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
215 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-23-3
DMP2123L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Diodes Incorporated
347,661
En stock
378,000
Fábrica
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09187
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
72mOhm a 3.5A, 4.5V
1.25V a 250µA
7.3 nC @ 4.5 V
±12V
443 pF @ 16 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3407A
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
868,241
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06863
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.3 A (Ta)
4.5V, 10V
48mOhm a 4.3A, 10V
3V a 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
391,877
En stock
3,705,000
Fábrica
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05156
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
460mA (Ta)
1.8V, 4.5V
700mOhm a 350mA, 4.5V
1V a 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
213,662
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05268
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
10V
10Ohm a 130mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW (Tc)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
180,866
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05491
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
120mOhm a 2.8A, 4.5V
1.2V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
PMF170XP,115
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
114,438
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05922
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
4.5V
200mOhm a 1A, 4.5V
1.15V a 250µA
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
280 pF @ 10 V
-
290mW (Ta), 1.67W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
366,151
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09202
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
6 A (Ta)
1.8V, 8V
17.6mOhm a 6A, 8V
1V a 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
334,084
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06156
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.8 A (Ta)
4.5V, 10V
65mOhm a 3.8A, 10V
2.1V a 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
249,264
En stock
1,563,000
Fábrica
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05870
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
820mA (Ta)
1.8V, 4.5V
750mOhm a 430mA, 4.5V
1V a 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
135,450
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10775
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.7 A (Tc)
1.8V, 4.5V
50mOhm a 3A, 4.5V
800mV a 250µA
9.6 nC @ 4.5 V
±10V
850 pF @ 10 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
135,375
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09547
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
330mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 330mA, 10V
2V a 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,621
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09501
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
1.7Ohm a 300mA, 10V
2V a 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
58,824
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09484
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
760mA (Ta)
4.5V, 10V
600mOhm a 600mA, 10V
1V a 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
385,984
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06094
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 170mA, 10V
2V a 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-89-3_463C
NTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
onsemi
83,158
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09768
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
760mA (Tj)
1.8V, 4.5V
360mOhm a 350mA, 4.5V
1.2V a 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
313mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-89-3
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
186,658
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10053
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Tc)
2.5V, 4.5V
112mOhm a 2.8A, 4.5V
1V a 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
85,642
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06183
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2215L-7
MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
63,302
En stock
54,000
Fábrica
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09958
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.7 A (Ta)
2.5V, 4.5V
100mOhm a 2.7A, 4.5V
1.25V a 250µA
5.3 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1.08W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
60,188
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10053
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Tc)
2.5V, 4.5V
112mOhm a 2.8A, 4.5V
1V a 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
759,736
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08420
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6 A (Ta)
1.5V, 4.5V
29.8mOhm a 3A, 4.5V
1V a 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
434,059
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06840
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.8 A (Ta)
1.8V, 4.5V
62mOhm a 4.2A, 4.5V
1V a 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
257,208
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08420
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2 A (Ta)
4V, 10V
300mOhm a 1A, 10V
2V a 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V, -20V
330 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
Demostración
de 6,178

Canal P FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.