Bruckewell FET simple, MOSFET

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de 7
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
MS23P05
MS23P05
P-CH MOSFET,-20V,-3.1A,SOT-23
Bruckewell
1,235
Mercado
1 : $0.13000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
1.8V, 10V
55mOhm a 3A, 10V
1.2V a 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
686 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS23N06A
MS23N06A
N-Channel MOSFET,30V,5.8A,SOT-23
Bruckewell
1,530
Mercado
1 : $0.18000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
-
5.8 A (Ta)
-
30mOhm a 5A, 10V
1.2V a 250µA
-
±12V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS40N05
MS40N05
N-Channel MOSFET,40V,5A,SOT-23
Bruckewell
1,227
Mercado
1 : $0.19000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
5 A (Ta)
4.5V, 10V
32mOhm a 4A, 10V
2.5V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±20V
593 pF @ 15 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS34N02
MS34N02
N-Channel MOSFET,30V,4.6A,SOT-23
Bruckewell
1,050
Mercado
1 : $0.25000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
-
4.6 A (Ta)
-
28mOhm a 4.6A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS60P03
MS60P03
P-Channel MOSFET,60V,-60A,SOT-23
Bruckewell
6,654
Mercado
1 : $0.30000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
-
3 A (Ta)
-
140mOhm a 2A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MSD60P16
MSD60P16
P-Channel MOSFET,60V,-16A,TO-252
Bruckewell
651
Mercado
1 : $0.50000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
-
16 A (Tc)
-
48mOhm a 8A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MSQ20N16
MSQ20N16
N-Channel MOSFET,20V,20A,SOP-8
Bruckewell
50
Mercado
1 : $0.40000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
-
20 A (Ta)
-
5.8mOhm a 12A, 4.5V
-
-
±8V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Demostración
de 7

Bruckewell FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.