Bruckewell FET simple, MOSFET

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Demostración
de 35
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
MS23P05
P-Channel MOSFET,-20V,SOT-23
Bruckewell
0
Mercado
Activo
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1A (Ta)
1.8V, 10V
55mOhm a 3A, 10V
1.2V a 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
686 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS34N00
N Channel MOSFET,100V,SOT-23
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.04000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MS34N00
P Channel MOSFET,20V,SOT-23
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.06000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.3A (Ta)
1.8V, 2.5V, 4.5V
100mOhm a 3A, 4.5V
1V a 250µA
-
±12V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS34N00
N Channel MOSFET,100V,SOT-23
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.08000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1.2 A (Ta)
4.5V, 10V
310mOhm a 1A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138PDW
N Channel MOSFET,50V,SOT-363
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.14000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MSL100N03
N Channel MOSFET,60V,SOT-223
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.15000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4A (Ta)
4.5V, 10V
100mOhm a 3A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
BSS138PDW
P Channel MOSFET,50V,SOT-363
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.17000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MSL100N03
N Channel MOSFET,60V,SOT-223
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.19000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
5A (Ta)
4.5V, 10V
50mOhm a 4A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
MSD40N60
N Channel MOSFET,60V,TO-252
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.24000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
16A (Tc)
4.5V, 10V
50mOhm a 8A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MSHM30P43
P Channel MOSFET,30V,DFN3X3
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.28000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
32A (Tc)
4.5V, 10V
20mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN3333-8
8-PowerVDFN
N Channel MOSFET,30V,SOP-8
N Channel MOSFET,30V,SOP-8
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.29000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
16A (Tc)
4.5V, 10V
6mOhm a 16A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
MSH100N045SA
N Channel MOSFET,60V,DFN5X6
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.40000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
42A (Tc)
4.5V, 10V
17mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN5060-8
8-PowerVDFN
MSHM30P43
N-Channel MOSFET,100V,DFN3x3
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.42000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
28A (Tc)
4.5V, 10V
20mOhm a 12A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN3333-8
8-PowerVDFN
MSH100N045SA
N-Channel MOSFET,40V,DFN5x6
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.45000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
75A (Tc)
4.5V, 10V
6.5mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DFN5060-8
8-PowerVDFN
MSHM30P43
P Channel MOSFET,30V,DFN3X3
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.46000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50A (Tc)
4.5V, 10V
8.7mOhm a 30A, 10V
2.5V a 250µA
-
±25V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN3333-8
8-PowerVDFN
MSH100N045SA
P-Channel MOSFET,40V,DFN5x6
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.48000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
13mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DFN5060-8
8-PowerVDFN
MSD40N60
N Channel MOSFET,60V,TO-252
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.48000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
45A (Tc)
4.5V, 10V
12mOhm a 30A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MSD40N60
N Channel MOSFET,150V,TO-252
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.50000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
23A (Tc)
4.5V, 10V
60mOhm a 10A, 10V
4V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MSH100N045SA
N Channel MOSFET,60V,DFN5X6
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.54000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
42A (Tc)
4.5V, 10V
13.5mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN5060-8
8-PowerVDFN
MSH100N045SA
N Channel MOSFET,150V,DFN5X6
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.56000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
23A (Tc)
4.5V, 10V
60mOhm a 10A, 10V
4V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN5060-8
8-PowerVDFN
MSP60P75
P Channel MOSFET,60V,TO-220
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.63000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
40A (Tc)
4.5V, 10V
35mOhm a 40A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
MSHM30P43
N Channel MOSFET,80V,DFN3X3
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.65000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
7mOhm a 8A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN3333-8
8-PowerVDFN
MSH100N045SA
N-Channel MOSFET,80V,DFN5x6
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.67000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
8.7mOhm a 10A, 10V
2.3V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DFN5060-8
8-PowerVDFN
MSH100N045SA
P-Channel MOSFET,40V,DFN5x6
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.74000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
78A (Tc)
4.5V, 10V
5.6mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DFN5060-8
8-PowerVDFN
MSD40N60
P Channel MOSFET,100V,TO-252
Bruckewell
3
Mercado
1 : $0.77000
Cinta y rollo (TR)
-
*
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
30A (Tc)
4.5V, 10V
50mOhm a 8A, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Demostración
de 35

FET y MOSFET simples


Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.