98 A (Tc) Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 20
Fabricante
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiSTMicroelectronics
Serie
-CoolSiC™HEXFET®HiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, Ultra X3MDmesh™ IIOptiMOS™STripFET™ IITrenchMOS™
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoleto
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V60 V68 V75 V100 V200 V500 V600 V750 V1200 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V, 18V4.5V, 10V5V, 10V7V, 10V10V15V, 18V15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.8mOhm a 25A, 10V5.7mOhm a 45A, 10V7.2mOhm a 20A, 10V8mOhm a 98A, 10V8.7mOhm a 25A, 10V9.5mOhm a 13A, 10V9.8mOhm a 40A, 10V15mOhm a 41.5A, 20A22mOhm a 41.5A, 18V23mOhm a 59A, 10V26.9mOhm a 41A, 18V29mOhm a 49A, 10V30mOhm a 49A, 10V50mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 1mA2.4V a 130µA3V a 250µA4V a 100µA4V a 1mA4V a 250µA5V a 250µA5V a 4mA5V a 8mA5.2V a 17.6mA5.6V a 14.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
33 nC @ 5 V36.3 nC @ 10 V44.5 nC @ 10 V71 nC @ 10 V75 nC @ 10 V80 nC @ 18 V82 nC @ 10 V90 nC @ 10 V109 nC @ 18 V197 nC @ 10 V240 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V±20V+23V, -5V25V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1940 pF @ 30 V2550 pF @ 25 V2869 pF @ 500 V3000 pF @ 50 V3181 pF @ 50 V3190 pF @ 10 V3460 pF @ 800 V6000 pF @ 25 V6080 pF @ 25 V6250 pF @ 25 V8610 pF @ 50 V9600 pF @ 50 V13100 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
2W (Ta), 139W (Tc)2.3W (Ta), 104W (Tc)62.5W (Tc)115W (Tc)167W (Tc)183W (Tc)190W (Tc)230W (Tc)375W (Tc)384W (Tc)625W (Tc)650W (Tc)960W (Tc)1300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAKLFPAK56, Power-SO8MAX247™PG-HDSOP-22PG-HDSOP-22-1PG-TO220-3PG-TO247-3PG-TO247-4-8PLUS247™-3SUPER-220™TO-220TO-220-3TO-220ABTO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo 22-PowerBSOPSC-100, SOT-669TO-220-3TO-247-3TO-247-3 varianteTO-247-4TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263ABTO-264-3, TO-264AATO-273AA
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
20Resultados
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Demostración
de 20
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
AIMDQ75R016M1HXUMA1
SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Infineon Technologies
390
En stock
1 : $22.86000
Cinta cortada (CT)
750 : $13.45875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
98 A (Tc)
0V, 18V
22mOhm a 41.5A, 18V
5.6V a 14.9mA
80 nC @ 18 V
+23V, -5V
2869 pF @ 500 V
-
384W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22
Módulo 22-PowerBSOP
223
En stock
1 : $24.14000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
98 A (Tc)
15V, 18V
26.9mOhm a 41A, 18V
5.2V a 17.6mA
109 nC @ 18 V
+20V, -5V
3460 pF @ 800 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
140
En stock
1 : $24.36000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
98 A (Tc)
15V, 18V
26.9mOhm a 41A, 18V
5.2V a 17.6mA
109 nC @ 18 V
+20V, -5V
3460 pF @ 800 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
TO-220-3
STP80NF70
MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB
STMicroelectronics
560
En stock
1 : $2.12000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
68 V
98 A (Tc)
10V
9.8mOhm a 40A, 10V
4V a 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 25 V
-
190W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
593
En stock
1 : $23.95000
Cinta cortada (CT)
750 : $14.43368
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
98 A (Tc)
15V, 20V
15mOhm a 41.5A, 20A
5.6V a 14.9mA
80 nC @ 18 V
+23V, -5V
2869 pF @ 500 V
-
384W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-22-1
Módulo 22-PowerBSOP
TO-247 Plus X
IXFX98N50P3
MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
244
En stock
300
Fábrica
1 : $14.35000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
98 A (Tc)
10V
50mOhm a 500mA, 10V
5V a 8mA
197 nC @ 10 V
±30V
13100 pF @ 25 V
-
1300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PLUS247™-3
TO-247-3 variante
TO-247-3
STY100NM60N
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
STMicroelectronics
600
En stock
1 : $26.77000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
98 A (Tc)
10V
29mOhm a 49A, 10V
4V a 250µA
330 nC @ 10 V
25V
9600 pF @ 50 V
-
625W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
MAX247™
TO-247-3
TO-220-3
NTP5862NG
MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB
onsemi
0
En stock
1,700
Mercado
286 : $1.05000
Granel
-
Granel
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
98 A (Tc)
-
5.7mOhm a 45A, 10V
4V a 250µA
82 nC @ 10 V
-
6000 pF @ 25 V
-
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
DPAK_369C
NTD5862NT4G
MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
onsemi
1,820
En stock
1 : $2.57000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
98 A (Tc)
10V
5.7mOhm a 45A, 10V
4V a 250µA
82 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
115W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Diodes Incorporated
23
En stock
12,400
Fábrica
1 : $1.58000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
98 A (Tc)
4.5V, 10V
9.5mOhm a 13A, 10V
3V a 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2W (Ta), 139W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
DMT6010SCT
MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
Diodes Incorporated
0
En stock
5,850
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
1 : $1.71000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
98 A (Tc)
10V
7.2mOhm a 20A, 10V
4V a 250µA
36.3 nC @ 10 V
±20V
1940 pF @ 30 V
-
2.3W (Ta), 104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
Littelfuse_Power_Semi_TO247-3L
IXFH98N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247
Littelfuse Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
300 : $9.95150
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
98 A (Tc)
10V
30mOhm a 49A, 10V
5V a 4mA
90 nC @ 10 V
±20V
6250 pF @ 25 V
-
960W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-264
IXFK98N50P3
MOSFET N-CH 500V 98A TO264AA
Littelfuse Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
300 : $11.58737
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
98 A (Tc)
10V
50mOhm a 500mA, 10V
5V a 8mA
197 nC @ 10 V
±30V
13100 pF @ 25 V
-
1300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264AA (IXFK)
TO-264-3, TO-264AA
TO-220AB
PSMN8R5-100PSFQ
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Nexperia USA Inc.
0
En stock
1,000 : $0.85585
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
98 A (Tc)
7V, 10V
8.7mOhm a 25A, 10V
4V a 1mA
44.5 nC @ 10 V
±20V
3181 pF @ 50 V
-
183W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IPP08CN10L G
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
Infineon Technologies
0
En stock
500 : $1.35582
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
98 A (Tc)
4.5V, 10V
8mOhm a 98A, 10V
2.4V a 130µA
90 nC @ 10 V
±20V
8610 pF @ 50 V
-
167W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
SC-100 SOT-669
PH3830L,115
MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK56
NXP USA Inc.
0
En stock
1 : $2.18000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $1.03222
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
98 A (Tc)
5V, 10V
3.8mOhm a 25A, 10V
2V a 1mA
33 nC @ 5 V
±20V
3190 pF @ 10 V
-
62.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
TO-274AC Pkg
IRFBA90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
98 A (Tc)
10V
23mOhm a 59A, 10V
5V a 250µA
240 nC @ 10 V
±30V
6080 pF @ 25 V
-
650W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
SUPER-220™
TO-273AA
TO-263AB
IXTA98N075T
MOSFET N-CH 75V 98A TO263
Littelfuse Inc.
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
98 A (Tc)
10V
-
4V a 100µA
-
±20V
-
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
IXTP98N075T
MOSFET N-CH 75V 98A TO220AB
Littelfuse Inc.
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
98 A (Tc)
10V
-
4V a 100µA
-
±20V
-
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
DPAK_369C
NTD5862N-1G
MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
98 A (Tc)
10V
5.7mOhm a 45A, 10V
4V a 250µA
82 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
115W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Demostración
de 20

98 A (Tc) Transistores - FET, MOSFET - Individual


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.