95 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
38,494
En stock
1 : $1.46000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
95 A (Tc)
6V, 10V
5.9mOhm a 57A, 10V
3.7V a 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
13,843
En stock
1 : $2.06000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.93539
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
95 A (Tc)
6V, 10V
5.2mOhm a 47.5A, 10V
3.8V a 49µA
40 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 40 V
-
2.5W (Ta), 83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SIDR668DP-T1-GE3
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Vishay Siliconix
15,206
En stock
1 : $2.78000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.82687
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
95 A (Tc)
4.5V, 10V
6.6mOhm a 20A, 10V
3V a 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR668DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,587
En stock
1 : $3.11000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.96187
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
95 A (Tc)
7.5V, 10V
4.8mOhm a 20A, 10V
3.4V a 250µA
83 nC @ 7.5 V
±20V
5400 pF @ 50 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SQM120P04-04L_GE3
SQM90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Vishay Siliconix
735
En stock
1 : $3.91000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.39740
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
95 A (Tc)
10V
15.3mOhm a 20A, 10V
3.5V a 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
H2PAK-7
SCTH100N65G2-7AG
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
STMicroelectronics
745
En stock
1 : $31.08000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $19.75000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
95 A (Tc)
18V
26mOhm a 50A, 18V
5V a 5mA
162 nC @ 18 V
+22V, -10V
3315 pF @ 520 V
-
360W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
H2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT2450KEGC11
SCT3022KLGC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
292
En stock
1 : $42.01000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
95 A (Tc)
18V
28.6mOhm a 36A, 18V
5.6V a 18.2mA
178 nC @ 10 V
+22V, -4V
2879 pF @ 800 V
-
427W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
PSMNR82-30YLEX
PSMN4R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
42,194
En stock
1 : $1.21000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.26316
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
95 A (Tc)
4.5V, 10V
4mOhm a 25A, 10V
2.2V a 1mA
19.4 nC @ 10 V
±20V
1272 pF @ 15 V
-
64W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
TO-247-3 AC EP
IRFP1405PBF
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
Infineon Technologies
5,984
En stock
1 : $3.34000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
95 A (Tc)
10V
5.3mOhm a 95A, 10V
4V a 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 25 V
-
310W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
IRFP254PBF
SIHG026N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
203
En stock
1 : $10.81000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
95 A (Tc)
10V
26mOhm a 38A, 10V
5V a 250µA
227 nC @ 10 V
±30V
7926 pF @ 100 V
-
521W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
2DB1184Q-13
DMTH4005SK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 95A TO252
Diodes Incorporated
6,873
En stock
230,000
Fábrica
1 : $1.35000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.32334
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
95 A (Tc)
10V
4.5mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
49.1 nC @ 10 V
±20V
3062 pF @ 20 V
-
2.1W (Ta), 100W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220AB PKG
IRF40B207
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
Infineon Technologies
1,840
En stock
1 : $1.43000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
95 A (Tc)
6V, 10V
4.5mOhm a 57A, 10V
3.9V a 50µA
68 nC @ 10 V
±20V
2110 pF @ 25 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
BUK7M6R7-40HX
BUK9M4R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,054
En stock
1 : $2.21000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.65484
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
95 A (Tc)
10V
4.3mOhm a 95A, 10V
-
31 nC @ 10 V
+16V, -10V
-
-
90W (Tc)
175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
8-PowerTDFN
MCAC95N06Y-TP
MOSFET N-CH 60 95A DFN5060
Micro Commercial Co
3,322
En stock
1 : $2.56000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.73650
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
95 A (Tc)
4.5V, 10V
2.5mOhm a 20A, 10V
2.2V a 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 25 V
-
120W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN5060
8-PowerTDFN
SCT2450KEGC11
SCT3022KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
1,127
En stock
1 : $122.57000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
95 A (Tc)
18V
28.6mOhm a 36A, 18V
5.6V a 18.2mA
178 nC @ 18 V
+22V, -4V
2879 pF @ 800 V
-
427W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
BUK7M6R7-40HX
PSMN4R3-40MSHX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,852
En stock
1 : $1.94000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.55896
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
95 A (Tc)
10V
4.3mOhm a 25A, 10V
3.6V a 1mA
32 nC @ 10 V
±20V
2338 pF @ 25 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
BUK7M6R7-40HX
PSMN4R3-40MLHX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,929
En stock
1 : $2.19000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.59363
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
95 A (Tc)
4.5V, 10V
4.3mOhm a 25A, 10V
2.15V a 1mA
43 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
BUK7M6R7-40HX
BUK7M4R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,500
En stock
1 : $2.19000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.62220
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
95 A (Tc)
10V
4.3mOhm a 95A, 10V
-
24 nC @ 10 V
+20V, -10V
-
-
90W (Tc)
175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
8-PowerTDFN
MCAC95N065Y-TP
MOSFET N-CH 65 95A DFN5060
Micro Commercial Co
9,420
En stock
1 : $2.56000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.73650
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
65 V
95 A (Tc)
4.5V, 10V
2.5mOhm a 20A, 10V
2.2V a 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 25 V
-
120W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN5060
8-PowerTDFN
STL19N3LLH6AG
STL105N8F7AG
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V, 5.6 M
STMicroelectronics
2,994
En stock
1 : $2.96000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.90037
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
95 A (Tc)
10V
6.5mOhm a 25A, 10V
4.5V a 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
3475 pF @ 25 V
-
127W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
MBR20100CT
DIT095N08
MOSFET TO220AB N 80V 0.0066OHM
Diotec Semiconductor
996
En stock
1 : $1.43000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
95 A (Tc)
10V
8mOhm a 40A, 10V
4V a 250µA
109 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
8-PowerTDFN
MCAC95N04YHE3-TP
MOSFET N-CH 40 95A DFN5060
Micro Commercial Co
5,000
En stock
1 : $1.83000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.44469
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
95 A (Tc)
6V, 10V
3.2mOhm a 20A, 10V
4V a 250µA
27.7 nC @ 10 V
±20V
1709 pF @ 20 V
-
75W (Tj)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DFN5060
8-PowerTDFN
D2PAK
MCB95N04YHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Micro Commercial Co
1,595
En stock
1 : $2.75000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.88055
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
95 A (Tc)
10V
3mOhm a 20A, 10V
4V a 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
2138 pF @ 20 V
-
83W (Tj)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3
STWA65N023M9
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
STMicroelectronics
626
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $19.24000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
95 A (Tc)
10V
23mOhm a 48A, 10V
4.2V a 250µA
230 nC @ 10 V
±30V
8844 pF @ 400 V
-
463W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 conductores largos
TO-247-3
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
AUIRFP1405
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
International Rectifier
11,500
Mercado
117 : $2.58000
Granel
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
95 A (Tc)
10V
5.3mOhm a 95A, 10V
4V a 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 25 V
-
310W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
Demostración
de 51

95 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.