90mA (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
ZVP3306FTA MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3 Diodes Incorporated	18,999 En stock 930,000 Fábrica	1 : $0.59000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.22325 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	90mA (Ta)	10V	14Ohm a 200mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 18 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS225H6327FTSA1 MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Infineon Technologies	3,437 En stock	1 : $0.66000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.21420 Cinta y rollo (TR)	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	90mA (Ta)	4.5V, 10V	45Ohm a 90mA, 10V	2.3V a 94µA	5.8 nC @ 10 V	±20V	131 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT89	TO-243AA
BS250FTA MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 Diodes Incorporated	7,215 En stock 9,000 Fábrica	1 : $0.89000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.26032 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	45 V	90mA (Ta)	10V	14Ohm a 200mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	25 pF @ 10 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZVN0545A MOSFET N-CH 450V 90MA TO92-3 Diodes Incorporated	692 En stock 8,000 Fábrica	1 : $1.63000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	450 V	90mA (Ta)	10V	50Ohm a 100mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	70 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BS250FTC MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 Diodes Incorporated	0 En stock	10,000 : $0.14670 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	45 V	90mA (Ta)	10V	14Ohm a 200mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	25 pF @ 10 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZVP3306FTC MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3 Diodes Incorporated	0 En stock	10,000 : $0.23125 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	90mA (Ta)	10V	14Ohm a 200mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 18 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZVN2535ASTZ MOSFET N-CH 350V 90MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	2,000 : $0.36914 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	350 V	90mA (Ta)	10V	35Ohm a 100mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	70 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVN0540A MOSFET N-CH 400V 90MA TO92-3 Diodes Incorporated	0 En stock	4,000 : $0.41000 Granel	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	90mA (Ta)	10V	50Ohm a 100mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	70 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN0540ASTZ MOSFET N-CH 400V 90MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16,000 : $0.41000 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	90mA (Ta)	10V	50Ohm a 100mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	70 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVN0545ASTOB MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	2,000 : $0.58109 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	450 V	90mA (Ta)	10V	50Ohm a 100mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	70 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVN0545ASTOA MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	12,000 : $0.69375 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	450 V	90mA (Ta)	10V	50Ohm a 100mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	70 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVN0545ASTZ MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock 16,000 Fábrica Consultar el plazo de entrega	2,000 : $0.71190 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	450 V	90mA (Ta)	10V	50Ohm a 100mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	70 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
BSS225 MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Infineon Technologies	0 En stock	Obsoleto	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	90mA (Ta)	4.5V, 10V	45Ohm a 90mA, 10V	2.3V a 94µA	5.8 nC @ 10 V	±20V	131 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT89	TO-243AA
BSS225L6327HTSA1 MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Infineon Technologies	0 En stock	Obsoleto	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	90mA (Ta)	4.5V, 10V	45Ohm a 90mA, 10V	2.3V a 94µA	5.8 nC @ 10 V	±20V	131 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT89	TO-243AA
BSS225H6327XTSA1 MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Infineon Technologies	0 En stock	Activo	SIPMOS™	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	90mA (Ta)	4.5V, 10V	45Ohm a 90mA, 10V	2.3V a 94µA	5.8 nC @ 10 V	±20V	131 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT89	TO-243AA

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.