90 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 305
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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
IPD079N06L3GATMA1
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Infineon Technologies
14,966
En stock
1 : $1.84000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.51432
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
4.8mOhm a 90A, 10V
2.2V a 58µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
8400 pF @ 30 V
-
115W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-311
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IRFR7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Infineon Technologies
11,653
En stock
1 : $2.00000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.58338
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
90 A (Tc)
6V, 10V
2.4mOhm a 90A, 10V
3.9V a 100µA
134 nC @ 10 V
±20V
4610 pF @ 25 V
-
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
FDD86369-F085
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
onsemi
2,482
En stock
35,000
Fábrica
1 : $2.02000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.57599
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
90 A (Tc)
10V
7.9mOhm a 80A, 10V
4V a 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
2530 pF @ 40 V
-
150W (Tj)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRFR8314TRPBF
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Infineon Technologies
3,164
En stock
1 : $2.17000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.64160
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
2.2mOhm a 90A, 10V
2.2V a 100µA
54 nC @ 4.5 V
±20V
4945 pF @ 15 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
7,988
En stock
1 : $2.29000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.66000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
3.7mOhm a 45A, 10V
2.5V a 1mA
67 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
960mW (Ta), 170W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
IAUCN08S7N024ATMA1
IAUC90N10S5N062ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Infineon Technologies
6,537
En stock
1 : $2.60000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.75348
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
90 A (Tc)
6V, 10V
6.2mOhm a 45A, 10V
3.8V a 59µA
36 nC @ 10 V
±20V
3275 pF @ 50 V
-
115W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
PG-TO252-3-11
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
2,769
En stock
1 : $2.64000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.78587
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
90 A (Tc)
-
4.1mOhm a 90A, 10V
2V a 253µA
160 nC @ 10 V
+5V, -16V
11300 pF @ 25 V
-
137W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Infineon Technologies
16,640
En stock
1 : $2.71000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.83050
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
90 A (Tc)
6V, 10V
7mOhm a 50A, 10V
3.5V a 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
114W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TO252-3-313
IPD90N10S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Infineon Technologies
2,779
En stock
1 : $2.73000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.84012
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
6.6mOhm a 90A, 10V
2.1V a 90µA
98 nC @ 10 V
±16V
6250 pF @ 25 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3-313
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
7,750
En stock
1 : $2.75000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.82646
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
4.3mOhm a 90A, 10V
2.2V a 250µA
176 nC @ 10 V
+5V, -16V
11570 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRF7946TRPBF
IRF7946TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Infineon Technologies
10,912
En stock
1 : $2.96000
Cinta cortada (CT)
4,800 : $0.93913
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
90 A (Tc)
6V, 10V
1.4mOhm a 90A, 10V
3.9V a 150µA
212 nC @ 10 V
±20V
6852 pF @ 25 V
-
96W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DIRECTFET™ MX
MX isométrico DirectFET™
PG-TO252-3
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Infineon Technologies
5,810
En stock
1 : $3.22000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.05100
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
90 A (Tc)
6V, 10V
4.6mOhm a 45A, 10V
3.8V a 65µA
53 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252
SQD90P04-9M4L_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Vishay Siliconix
4,281
En stock
1 : $3.46000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.11375
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
9.4mOhm a 17A, 10V
2.5V a 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263 (D2Pak)
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Vishay Siliconix
2,481
En stock
1 : $5.39000
Cinta cortada (CT)
800 : $2.03803
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
19mOhm a 20A, 10V
3V a 250µA
326 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 50 V
-
13.6W (Ta), 375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHP23N60E-GE3
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Vishay Siliconix
2,473
En stock
1 : $6.31000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
9.3mOhm a 30A, 10V
3V a 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
2.4W (Ta), 250W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-247
IXTH90P10P
MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Littelfuse Inc.
1,899
En stock
1 : $13.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
90 A (Tc)
10V
25mOhm a 45A, 10V
4V a 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
462W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-247-ISOPLUS-EP-(R)
IXFR140N20P
MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
Littelfuse Inc.
4,537
En stock
300
Fábrica
1 : $15.40000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
90 A (Tc)
10V
22mOhm a 45A, 10V
5V a 4mA
240 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
ISOPLUS247™
TO-247-3
TO-268
IXTT90P10P
MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Littelfuse Inc.
212
En stock
1 : $16.11000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
90 A (Tc)
10V
25mOhm a 45A, 10V
4V a 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
462W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-268AA
TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,263
En stock
1 : $22.53000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
90 A (Tc)
15V
36mOhm a 50A, 15V
2.69V a 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-264
IXTK90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A TO264
Littelfuse Inc.
474
En stock
1 : $22.61000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
90 A (Tc)
10V
44mOhm a 500mA, 10V
4V a 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 25 V
-
890W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264 (IXTK)
TO-264-3, TO-264AA
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN110N60P3
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
Littelfuse Inc.
552
En stock
1 : $42.23000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
90 A (Tc)
10V
56mOhm a 55A, 10V
5V a 8mA
245 nC @ 10 V
±30V
18000 pF @ 25 V
-
1500W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
C2D10120D
C2M0025120D
SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
118
En stock
1 : $95.80000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
90 A (Tc)
20V
34mOhm a 50A, 20V
2.4V a 10mA
161 nC @ 20 V
+25V, -10V
2788 pF @ 1000 V
-
463W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
IAUCN08S7N024ATMA1
IPC90N04S5L3R3ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
Infineon Technologies
6,643
En stock
1 : $1.42000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.35312
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
3.3mOhm a 45A, 10V
2V a 23µA
40 nC @ 10 V
±16V
2145 pF @ 25 V
-
62W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
SQJ142ELP-T1_GE3
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
21,765
En stock
1 : $1.52000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.35887
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
90 A (Tc)
-
12.5mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
183W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252 D-Pak Top
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Diodes Incorporated
805
En stock
1,940,000
Fábrica
1 : $1.70000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.43650
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
90 A (Tc)
4.5V, 10V
9mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
20 nC @ 4.5 V
±20V
2309 pF @ 50 V
-
1.7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Demostración
de 305

90 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.