9.9 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220AB Full Pack
IRLI640GPBF
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Vishay Siliconix
792
En stock
1 : $1.75000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
9.9 A (Tc)
4V, 5V
180mOhm a 5.9A, 5V
2V a 250µA
66 nC @ 10 V
±10V
1800 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
IRFR9220TRLPBF
IRFR9020TRPBF
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Vishay Siliconix
4,511
En stock
1 : $1.60000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.81058
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFR9220TRLPBF
IRFR9020PBF
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Vishay Siliconix
2,071
En stock
1 : $2.04000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFU110PBF
IRFU9020PBF
MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Vishay Siliconix
8,206
En stock
1 : $2.10000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-251AA
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
1,771
En stock
1 : $0.78000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.34272
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
9.9 A (Tc)
10V
650mOhm a 2.4A, 10V
3.5V a 200µA
20.5 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 100 V
-
82W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-1
IPP50R380CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3
Infineon Technologies
26
En stock
1 : $1.33000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
9.9 A (Tc)
13V
380mOhm a 3.2A, 13V
3.5V a 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
73W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO220-FP
IPAN60R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Infineon Technologies
0
En stock
691
Mercado
500 : $0.56976
Tubo
691 : $0.51000
Granel
-
Granel
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
9.9 A (Tc)
10V
650mOhm a 2.4A, 10V
3.5V a 200µA
20.5 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 100 V
-
28W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-FP
TO-220-3 paquete completo
IRFR9220TRLPBF
IRFR9020TRLPBF
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Vishay Siliconix
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.77890
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220AB Full Pack
IPA50R380CE
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP
Infineon Technologies
0
En stock
500 : $1.08174
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
9.9 A (Tc)
13V
380mOhm a 3.2A, 13V
3.5V a 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
29.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-FP
TO-220-3 paquete completo
IRFU110PBF
IRFU9020
MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Vishay Siliconix
0
En stock
3,000 : $1.81250
Tubo
-
-
Tubo
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-251AA
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IRFR9220TRLPBF
IRFR9020
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Vishay Siliconix
0
En stock
3,000 : $1.83750
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFR9220TRLPBF
IRFR9020TR
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Vishay Siliconix
0
En stock
2,000 : $1.83750
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFR9220TRLPBF
IRFR9020TRL
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Vishay Siliconix
0
En stock
3,000 : $1.83750
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
9.9 A (Tc)
10V
280mOhm a 5.7A, 10V
4V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220AB Full Pack
IRLI640G
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Vishay Siliconix
0
En stock
1,000 : $3.56250
Tubo
-
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
9.9 A (Tc)
4V, 5V
180mOhm a 5.9A, 5V
2V a 250µA
66 nC @ 10 V
±10V
1800 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Demostración
de 14

9.9 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.