9.4A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 28

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMTH6016LFDFWQ-7R MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN Diodes Incorporated	1,246 En stock	1 : $1.23000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.30399 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	18mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	15.3 nC @ 10 V	±20V	925 pF @ 30 V	-	1.06W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
EPC2044 TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM EPC	3,441 En stock	1 : $2.47000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.72479 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	9.4A (Ta)	5V	10.5mOhm a 10A, 5V	2.5V a 3mA	5.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	664 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
DMN4030LK3-13 MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 Diodes Incorporated	2,285 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.23988 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	30mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	12.9 nC @ 10 V	±20V	604 pF @ 20 V	-	2.14W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMTH6016LFDFW-7 MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN Diodes Incorporated	2,588 En stock	1 : $1.12000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.27176 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	18mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	15.3 nC @ 10 V	±20V	925 pF @ 30 V	-	1.06W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
NTLUS4C16NTAG MOSFET N-CH 30V 9.4A 6UDFN onsemi	0 En stock 2,160 Mercado	2,160 : $0.32000 Cinta y rollo (TR)	-	µCool™	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9.4A (Ta)	1.8V, 10V	11.4mOhm a 8A, 10V	1.1V a 250µA	7.5 nC @ 4.5 V	±12V	690 pF @ 15 V	-	2.37W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFN (1.6x1.6)	6-PowerUFDFN
FDMA7628 FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5 Fairchild Semiconductor	89,038 Mercado	656 : $0.46000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9.4A (Ta)	1.5V, 4.5V	14.5mOhm a 9.4A, 4.5V	1V a 250µA	17.5 nC @ 4.5 V	±8V	1680 pF @ 10 V	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA7628 FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5 onsemi	33,686 Mercado	656 : $0.46000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9.4A (Ta)	1.5V, 4.5V	14.5mOhm a 9.4A, 4.5V	1V a 250µA	17.5 nC @ 4.5 V	±8V	1680 pF @ 10 V	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA0104 TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN Fairchild Semiconductor	11,154 Mercado	606 : $0.50000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9.4A (Ta)	-	14.5mOhm a 9.4A, 4.5V	1V a 250µA	17.5 nC @ 4.5 V	-	1680 pF @ 10 V	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
FDMA910PZ MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET onsemi	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $1.03000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.25409 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9.4A (Ta)	1.8V, 4.5V	20mOhm a 9.4A, 4.5V	1.5V a 250µA	29 nC @ 4.5 V	±8V	2805 pF @ 10 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
XP4P018M MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8 YAGEO XSEMI	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.20148 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	18mOhm a 9A, 10V	3V a 250µA	48 nC @ 4.5 V	±20V	5760 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
DMTH6016LFDFW-13 MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.23788 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	18mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	15.3 nC @ 10 V	±20V	925 pF @ 30 V	-	1.06W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMTH6016LFDFWQ-13 MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN Diodes Incorporated	0 En stock 30,000 Fábrica Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.26838 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	18mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	15.3 nC @ 10 V	±20V	925 pF @ 30 V	-	1.06W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMTH6016LFDFWQ-7 MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN Diodes Incorporated	0 En stock 21,000 Fábrica Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.30399 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	18mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	15.3 nC @ 10 V	±20V	925 pF @ 30 V	-	1.06W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (SWP) (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
FDMA0104 MOSFET N-CH 20V 9.4A 6MICROFET onsemi	0 En stock	3,000 : $0.34428 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9.4A (Ta)	-	14.5mOhm a 9.4A, 4.5V	1V a 250µA	17.5 nC @ 4.5 V	-	1680 pF @ 10 V	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
DMN4030LK3Q-13 MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252 T&R Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	2,500 : $0.36704 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	30mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	12.9 nC @ 10 V	±20V	604 pF @ 20 V	-	2.14W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFR120NCTRLPBF MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Infineon Technologies	0 En stock	3,000 : $0.45715 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	9.4A (Ta)	10V	210mOhm a 5.6A, 10V	4V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFR120NCPBF MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Infineon Technologies	0 En stock	750 : $0.53884 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	9.4A (Ta)	10V	210mOhm a 5.6A, 10V	4V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRF7468TR MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO Infineon Technologies	0 En stock	4,000 : $0.86125 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	15.5mOhm a 9.4A, 10V	2V a 250µA	34 nC @ 4.5 V	±12V	2460 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
IRF7468 MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO Infineon Technologies	0 En stock	95 : $1.74179 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	15.5mOhm a 9.4A, 10V	2V a 250µA	34 nC @ 4.5 V	±12V	2460 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
IRF7468PBF MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO Infineon Technologies	0 En stock	Discontinuo en DigiKey	-	HEXFET®	Tubo	Discontinuo en DigiKey	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	15.5mOhm a 9.4A, 10V	2V a 250µA	34 nC @ 4.5 V	±12V	2460 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
IRF7468TRPBF MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO Infineon Technologies	0 En stock	Obsoleto	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	15.5mOhm a 9.4A, 10V	2V a 250µA	34 nC @ 4.5 V	±12V	2460 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SI7888DP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	0 En stock	Obsoleto	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	12mOhm a 12.4A, 10V	2V a 250µA	10.5 nC @ 5 V	±12V	-	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7888DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	0 En stock	Obsoleto	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	12mOhm a 12.4A, 10V	2V a 250µA	10.5 nC @ 5 V	±12V	-	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
FDMA7628 MOSFET N-CH 20V 9.4A 6MICROFET onsemi	0 En stock	Obsoleto	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	9.4A (Ta)	1.5V, 4.5V	14.5mOhm a 9.4A, 4.5V	1V a 250µA	17.5 nC @ 4.5 V	±8V	1680 pF @ 10 V	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
AO4466L MOSFET N-CH 30V 9.4A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 En stock	Obsoleto	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9.4A (Ta)	4.5V, 10V	23mOhm a 9.4A, 10V	3V a 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	820 pF @ 15 V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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