81 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 14
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3 AC EP
IRFP054NPBF
MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
Infineon Technologies
1,338
En stock
1 : $3.52000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
81 A (Tc)
10V
12mOhm a 43A, 10V
4V a 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3L
UJ4C075018K3S
SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
onsemi
5,137
En stock
1 : $19.95000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
81 A (Tc)
-
23mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
385W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NTH4L028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
onsemi
203
En stock
1 : $37.01000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
81 A (Tc)
20V
40mOhm a 60A, 20V
4.3V a 20mA
200 nC @ 20 V
+25V, -15V
4230 pF @ 800 V
-
535W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DRC15
SCT4018KRC15
1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,692
En stock
1 : $36.93000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
81 A (Tc)
18V
23.4mOhm a 42A, 18V
4.8V a 22.2mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4532 pF @ 800 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
FF07025FA
FF07025FA
SICFET N-CH 750V 81A TOLL
fastSiC
300
Mercado
1 : $35.51000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
750 V
81 A (Tc)
18V
34mOhm a 30A, 18V
2.5V a 60mA
174 nC @ 15 V
+18V, -8V
4604 pF @ 500 V
-
333W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
-
TOLL
8-PowerSFN
FF07025J-7A
FF07025J-7A
SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L
fastSiC
300
Mercado
1 : $35.51000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
750 V
81 A (Tc)
18V
34mOhm a 30A, 18V
2.5V a 60mA
174 nC @ 15 V
+18V, -8V
4604 pF @ 500 V
-
333W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
-
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UJ4SC075006K4S
UJ4C075018K4S
SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
onsemi
0
En stock
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
81 A (Tc)
-
23mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
385W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $11.90000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $6.01200
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
650 V
81 A (Tc)
15V, 20V
24mOhm a 34.5A, 20V
5.6V a 7mA
42 nC @ 18 V
+23V, -7V
1499 pF @ 400 V
-
365W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
TO-220-3
TSM85N10CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
Taiwan Semiconductor Corporation
0
En stock
4,000 : $0.81125
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
81 A (Tc)
10V
10mOhm a 40A, 10V
4V a 250µA
154 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 30 V
-
210W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP054N
MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
Infineon Technologies
0
En stock
150 : $11.54373
Bolsa
Bolsa
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
81 A (Tc)
10V
12mOhm a 43A, 10V
4V a 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
TO-252AA (DPAK)
IRLR8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Infineon Technologies
0
En stock
Discontinuo en Digi-Key
Tubo
Discontinuo en Digi-Key
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
81 A (Tc)
4.5V, 10V
5.7mOhm a 25A, 10V
2.35V a 25µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1470 pF @ 13 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRLR8256TRPBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
81 A (Tc)
4.5V, 10V
5.7mOhm a 25A, 10V
2.35V a 25µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1470 pF @ 13 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPAK (TO-251)
IRLU8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A IPAK
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
81 A (Tc)
4.5V, 10V
5.7mOhm a 25A, 10V
2.35V a 25µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1470 pF @ 13 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
IPAK
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
-
-
-
81 A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, conductores planos
Demostración
de 14

81 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.