8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho) FET simple, MOSFET

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de 38
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC
FSS275-TL-E
MOSFET N-CH 60V 6A 8SOP
onsemi
176,988
Mercado
579 : $0.52000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
6 A (Ta)
-
43mOhm a 3A, 10V
-
21 nC @ 10 V
-
1100 pF @ 20 V
-
1.9W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
TLE63893GV50XUMA1
FSS273-TL-E
N-CHANNEL MOSFET
onsemi
2,000
Mercado
567 : $0.53000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
45 V
8 A (Ta)
-
22mOhm a 8A, 10V
-
40 nC @ 10 V
-
2225 pF @ 20 V
-
2.4W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
5,000
Mercado
508 : $0.59000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
13 A (Ta)
-
10.5mOhm a 7A, 10V
2.5V a 1mA
11 nC @ 5 V
-
1270 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-PSOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
6,963
Mercado
313 : $0.96000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
-
7mOhm a 7A, 10V
-
95 nC @ 10 V
-
3000 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PSOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
7,500
Mercado
296 : $1.02000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
13 A (Ta)
-
9mOhm a 6.5A, 10V
2.5V a 1mA
67 nC @ 10 V
-
2810 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-PSOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
5,000
Mercado
296 : $1.02000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
13 A (Ta)
-
9mOhm a 6.5A, 10V
2.5V a 1mA
67 nC @ 10 V
-
2810 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-PSOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
2,500
Mercado
263 : $1.14000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
-
6.6mOhm a 7A, 10V
2.5V a 1mA
27 nC @ 5 V
-
2800 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-PSOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
2,284
Mercado
219 : $1.37000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
9 A (Ta)
-
26mOhm a 4.5A, 10V
2.5V a 1mA
31 nC @ 10 V
-
1700 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-PSOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
2,500
Mercado
179 : $1.68000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
15 A (Ta)
-
5.5mOhm a 7.5A, 10V
2.5V a 1mA
130 nC @ 10 V
-
3550 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-PSOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
20,000
Mercado
175 : $1.72000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
-
7.5mOhm a 7A, 10V
2.5V a 1mA
12 nC @ 5 V
-
1200 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-PSOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC
UPA2706GR-E1-A
UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC
Renesas
5,000
Mercado
263 : $1.14000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11 A (Ta), 20 A (Tc)
4V, 10V
15mOhm a 5.5A, 10V
2.5V a 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W (Ta), 15W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
UPA2706GR-E2-AT - MOS FIELD EFFE
UPA2706GR-E2-AT
UPA2706GR-E2-AT - MOS FIELD EFFE
Renesas
14,759
Mercado
258 : $1.16000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11 A (Ta), 20 A (Tc)
4V, 10V
15mOhm a 5.5A, 10V
2.5V a 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W (Ta), 15W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
UPA2706GR-E1-AT
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
Renesas
7,500
Mercado
258 : $1.16000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11 A (Ta), 20 A (Tc)
4V, 10V
15mOhm a 5.5A, 10V
2.5V a 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
3W (Ta), 15W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
UPA1727G-E1-AT - MOS FIELD EFFEC
UPA1727G-E1-AT
UPA1727G-E1-AT - MOS FIELD EFFEC
Renesas
5,000
Mercado
195 : $1.54000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
10 A (Ta)
4V, 10V
19mOhm a 5A, 10V
2.5V a 1mA
45 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
UPA1760G-E1-AT
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Renesas
80,000
Mercado
188 : $1.60000
Granel
-
Granel
Obsoleto
-
MOSFET (óxido de metal)
-
8 A (Ta)
-
26mOhm a 4A, 10V
2.5V a 1mA
-
-
-
-
-
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
UPA2782GR-E1-A - SWITCHINGN-CHAN
UPA2782GR-E1-A
UPA2782GR-E1-A - SWITCHINGN-CHAN
Renesas
7,500
Mercado
170 : $1.77000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11 A (Ta)
4V, 10V
15mOhm a 5.5A, 10V
2.5V a 1mA
7.1 nC @ 5 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
3,000 : $0.56185
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
10 A (Ta)
1.8V, 4.5V
10mOhm a 5A, 4.5V
1.2V a 200µA
115 nC @ 5 V
±8V
9130 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
1 : $2.00000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta cortada (CT)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
10 A (Ta)
-
20mOhm a 5A, 10V
2V a 1mA
45 nC @ 10 V
-
2260 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11 A (Ta)
4.5V, 10V
14mOhm a 5.5A, 10V
2.5V a 1mA
39 nC @ 10 V
±20V
1860 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
18 A (Ta)
4.5V, 10V
4.6mOhm a 9A, 10V
2.3V a 1mA
38 nC @ 10 V
±20V
2265 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11 A (Ta)
4.5V, 10V
17mOhm a 5.5A, 10V
2.3V a 1mA
11 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
7.5 A (Ta)
4.5V, 10V
27mOhm a 3.8A, 10V
2.3V a 1mA
11 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11 A (Ta)
-
13.3mOhm a 5.5A, 10V
2.5V a 1mA
21 nC @ 10 V
-
2150 pF @ 10 V
-
-
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
15 A (Ta)
-
6.5mOhm a 7.5A, 10V
2.5V a 1mA
33 nC @ 10 V
-
2846 pF @ 10 V
-
-
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
18 A (Ta)
4.5V, 10V
3.2mOhm a 9A, 10V
2.3V a 1mA
82 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
Demostración
de 38

8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.