8-PowerWDFN FET simple, MOSFET

Demostración

de 598

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
FDMC3612 MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP onsemi	14,519 En stock	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.30760 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.3A (Ta), 16A (Tc)	6V, 10V	110mOhm a 3.3A, 10V	4V a 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	880 pF @ 50 V	-	2.3W (Ta), 35W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NTTFS5116PLTWG MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN onsemi	5,761 En stock	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.29732 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	5.7A (Ta)	4.5V, 10V	52mOhm a 6A, 10V	3V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1258 pF @ 30 V	-	3.2W (Ta), 40W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
TSM085P03CV RGG MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN Taiwan Semiconductor Corporation	15,741 En stock	1 : $1.33000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.32301 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	64A (Tc)	4.5V, 10V	8.5mOhm a 14A, 10V	2.5V a 250µA	55 nC @ 10 V	±20V	3234 pF @ 15 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PDFN (3.1x3.1)	8-PowerWDFN
FDMC8327L MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP onsemi	20,654 En stock	1 : $1.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.35119 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	12A (Ta), 14A (Tc)	4.5V, 10V	9.7mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	1850 pF @ 20 V	-	2.3W (Ta), 30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NVTFS5C680NLTAG MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN onsemi	1,446 En stock	1 : $1.38000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.38737 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7.82A (Ta), 20A (Tc)	4.5V, 10V	26.5mOhm a 10A, 10V	2.2V a 250µA	6 nC @ 10 V	±20V	327 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 20W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NVTFS5116PLTAG MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN onsemi	9,309 En stock	1 : $1.40000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.39496 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	6A (Ta)	4.5V, 10V	52mOhm a 7A, 10V	3V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1258 pF @ 25 V	-	3.2W (Ta), 21W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NTTFS5116PLTAG MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN onsemi	21,970 En stock	1 : $1.43000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.40531 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	5.7A (Ta)	4.5V, 10V	52mOhm a 6A, 10V	3V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1258 pF @ 30 V	-	3.2W (Ta), 40W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC86116LZ MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP onsemi	14,455 En stock	1 : $1.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.41961 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.3A (Ta), 7.5A (Tc)	4.5V, 10V	103mOhm a 3.3A, 10V	2.2V a 250µA	6 nC @ 10 V	±20V	310 pF @ 50 V	-	2.3W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
AON7423 MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	4,040 En stock	1 : $1.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.44080 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	28A (Ta), 50A (Tc)	1.5V, 4.5V	5mOhm a 20A, 4.5V	900mV a 250µA	100 nC @ 4.5 V	±8V	5626 pF @ 10 V	-	6.2W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC4435BZ MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP onsemi	10,763 En stock	1 : $1.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.43479 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	8.5A (Ta), 18A (Tc)	4.5V, 10V	20mOhm a 8.5A, 10V	3V a 250µA	46 nC @ 10 V	±25V	2045 pF @ 15 V	-	2.3W (Ta), 31W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC86244 MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP onsemi	9,332 En stock	1 : $1.81000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.49428 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	2.8A (Ta), 9.4A (Tc)	6V, 10V	134mOhm a 2.8A, 10V	4V a 250µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	345 pF @ 75 V	-	2.3W (Ta), 26W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC86262P MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP onsemi	17,336 En stock	1 : $1.82000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.49648 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	150 V	2A (Ta), 8.4A (Tc)	6V, 10V	307mOhm a 2A, 10V	4V a 250µA	13 nC @ 10 V	±25V	885 pF @ 75 V	-	2.3W (Ta), 40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NVTFS5C673NLTAG MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN onsemi	557 En stock	1 : $1.88000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.55740 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	13A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	9.8mOhm a 25A, 10V	2V a 250µA	9.5 nC @ 10 V	±20V	880 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 46W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NTTFS2D1N04HLTWG MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN onsemi	11,242 En stock	1 : $1.92000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.53026 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	24A (Ta), 150A (Tc)	4.5V, 10V	2.1mOhm a 23A, 10V	2V a 120µA	43.6 nC @ 10 V	±20V	2745 pF @ 20 V	-	2.2W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PQFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC6679AZ MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP onsemi	5,364 En stock	1 : $1.96000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.54341 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	11.5A (Ta), 20A (Tc)	4.5V, 10V	10mOhm a 11.5A, 10V	3V a 250µA	91 nC @ 10 V	±25V	3970 pF @ 15 V	-	2.3W (Ta), 41W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
AON7254 MOSFET N-CH 150V 5.5A/17A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	17,279 En stock	1 : $1.99000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.55162 Cinta y rollo (TR)	-	AlphaMOS	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	5.5A (Ta), 17A (Tc)	4.5V, 10V	54mOhm a 5A, 10V	2.7V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	675 pF @ 75 V	-	4.1W (Ta), 39W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NVTFS9D6P04M8LTAG MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN onsemi	4,077 En stock 130,500 Fábrica	1 : $2.02000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.60658 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	13A (Ta), 64A (Tc)	4.5V, 10V	9.5mOhm a 20A, 10V	2.4V a 580µA	34.6 nC @ 10 V	±20V	2312 pF @ 20 V	-	3.2W (Ta), 75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NTTFS5C670NLTAG MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN onsemi	12,093 En stock	1 : $2.07000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.07545 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	16A (Ta), 70A (Tc)	4.5V, 10V	6.5mOhm a 35A, 10V	2V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3.2W (Ta), 63W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
AONR66922 MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	4,153 En stock	1 : $2.13000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.59694 Cinta y rollo (TR)	-	AlphaSGT™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm a 15A, 10V	2.5V a 250µA	46 nC @ 10 V	±20V	2180 pF @ 50 V	-	4.1W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC86102L MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP onsemi	2,985 En stock	1 : $2.14000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.60022 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	7A (Ta), 18A (Tc)	4.5V, 10V	23mOhm a 7A, 10V	3V a 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	1330 pF @ 50 V	-	2.3W (Ta), 41W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC8622 MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP onsemi	12,209 En stock	1 : $2.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.61653 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4A (Ta), 16A (Tc)	6V, 10V	56mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	7.3 nC @ 10 V	±20V	402 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 31W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC8360L MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33 onsemi	5,850 En stock	1 : $2.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.61765 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	27A (Ta), 80A (Tc)	4.5V, 10V	2.1mOhm a 27A, 10V	3V a 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	5795 pF @ 20 V	-	2.3W (Ta), 54W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Power33	8-PowerWDFN
FDM3622 MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP onsemi	19,030 En stock	1 : $2.21000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.62360 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4.4A (Ta)	6V, 10V	60mOhm a 4.4A, 10V	4V a 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	1090 pF @ 25 V	-	2.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
FDMC2523P MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP onsemi	14,977 En stock	1 : $2.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.66417 Cinta y rollo (TR)	-	QFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	150 V	3A (Tc)	10V	1.5Ohm a 1.5A, 10V	5V a 250µA	9 nC @ 10 V	±30V	270 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
NTTFS008P03P8Z MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN onsemi	1,831 En stock	1 : $2.51000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.72687 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	22A (Ta), 96A (Tc)	4.5V, 10V	3.8mOhm a 18A, 10V	3V a 250µA	134 nC @ 10 V	±25V	5600 pF @ 15 V	-	2.36W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PQFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN

Demostración

de 598

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS