8-PowerVDFN FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
AON7400A MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	8,197 En stock	1 : $0.67000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.14501 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	15A (Ta), 40A (Tc)	4.5V, 10V	7.5mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	1380 pF @ 15 V	-	3.1W (Ta), 25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
AONR21321 MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	91,471 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.15541 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	24A (Tc)	4.5V, 10V	16.5mOhm a 12A, 10V	2.3V a 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1180 pF @ 15 V	-	4.1W (Ta), 24W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
AON7522E MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	50,000 En stock	1 : $0.84000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.18723 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	21A (Ta), 34A (Tc)	4.5V, 10V	4mOhm a 20A, 10V	2.2V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1540 pF @ 15 V	-	3.1W (Ta), 31W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
DMP3013SFV-7 MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Diodes Incorporated	13,874 En stock	1 : $0.87000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.21254 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	12A (Ta), 35A (Tc)	4.5V, 10V	9.5mOhm a 11.5A, 10V	3V a 250µA	33.7 nC @ 10 V	±25V	1674 pF @ 15 V	-	940mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerDI3333-8 (típico UX)	8-PowerVDFN
DMP2008UFG-7 MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Diodes Incorporated	11,264 En stock	1 : $0.87000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.21254 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	14A (Ta), 54A (Tc)	1.5V, 4.5V	8mOhm a 12A, 4.5V	1V a 250µA	72 nC @ 4.5 V	±8V	6909 pF @ 10 V	-	2.4W (Ta), 41W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
DMT6015LFV-7 MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Diodes Incorporated	13,585 En stock	1 : $0.90000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.22219 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	9.5A (Ta), 35A (Tc)	4.5V, 10V	16mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	18.9 nC @ 10 V	±16V	1103 pF @ 30 V	-	2.2W (Ta), 30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerDI3333-8 (típico UX)	8-PowerVDFN
AON7407 MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	9,336 En stock	1 : $0.91000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.20591 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	14.5A (Ta), 40A (Tc)	1.8V, 4.5V	9.5mOhm a 14A, 4.5V	900mV a 250µA	53 nC @ 4.5 V	±8V	4195 pF @ 10 V	-	3.1W (Ta), 29W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
AON7296 MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	42,597 En stock	1 : $1.01000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.23288 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	5A (Ta), 12.5A (Tc)	4.5V, 10V	66mOhm a 5A, 10V	2.8V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	415 pF @ 50 V	-	3.1W (Ta), 20.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
CSD19538Q3A MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON Texas Instruments	21,135 En stock	1 : $1.01000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25523 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15 A (Ta)	6V, 10V	59mOhm a 5A, 10V	3.8V a 250µA	4.3 nC @ 10 V	±20V	454 pF @ 50 V	-	2.8W (Ta), 23W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (3x3.3)	8-PowerVDFN
DMPH6050SFGQ-7 MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 Diodes Incorporated	2,051 En stock	1 : $1.07000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.27211 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	6.1A (Ta), 18A (Tc)	4.5V, 10V	50mOhm a 7A, 10V	3V a 250µA	24.1 nC @ 10 V	±20V	1293 pF @ 30 V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
AONR21307 MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	104,239 En stock	1 : $1.09000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.25460 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	24A (Tc)	4.5V, 10V	11mOhm a 17A, 10V	2.3V a 250µA	50 nC @ 10 V	±25V	1995 pF @ 15 V	-	5W (Ta), 28W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Infineon Technologies	13,322 En stock	1 : $1.14000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.26099 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	7.4mOhm a 20A, 10V	2V a 10µA	17 nC @ 10 V	±16V	920 pF @ 25 V	-	34W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8	8-PowerVDFN
RQ3E120ATTB MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT Rohm Semiconductor	10,653 En stock	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28902 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	12A (Ta)	4.5V, 10V	8mOhm a 12A, 10V	2.5V a 1mA	62 nC @ 10 V	±20V	3200 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSMT (3.2x3)	8-PowerVDFN
TPN11006PL,LQ MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	22,730 En stock	1 : $1.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28758 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	26A (Tc)	4.5V, 10V	11.4mOhm a 13A, 10V	2.5V a 200µA	17 nC @ 10 V	±20V	1625 pF @ 30 V	-	610mW (Ta), 61W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	8-TSON avanzado (3.1x3.1)	8-PowerVDFN
DMN4008LFG-7 MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Diodes Incorporated	11,036 En stock 12,000 Fábrica	1 : $1.18000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.30288 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	14.4A (Ta)	3.3V, 10V	7.5mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	74 nC @ 10 V	±20V	3537 pF @ 20 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
TPH7R204PL,LQ MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	14,710 En stock	1 : $1.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.29119 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	48A (Tc)	4.5V, 10V	9.7mOhm a 15A, 4.5V	2.4V a 200µA	24 nC @ 10 V	±20V	2040 pF @ 20 V	-	69W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5)	8-PowerVDFN
CSD25402Q3A MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON Texas Instruments	30,532 En stock	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.32344 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	76A (Tc)	1.8V, 4.5V	8.9mOhm a 10A, 4.5V	1.15V a 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±12V	1790 pF @ 10 V	-	2.8W (Ta), 69W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (3x3.3)	8-PowerVDFN
CSD18543Q3A MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Texas Instruments	149 En stock	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.31310 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	60A (Tc)	4.5V, 10V	9.9mOhm a 12A, 10V	2.7V a 250µA	14.5 nC @ 10 V	±20V	1150 pF @ 30 V	-	66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (3x3.3)	8-PowerVDFN
BSZ110N06NS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Infineon Technologies	1,167 En stock	1 : $1.26000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.29420 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	20A (Tc)	10V	11mOhm a 20A, 10V	4V a 23µA	33 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 30 V	-	2.1W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8	8-PowerVDFN
DMP4013LFG-7 MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Diodes Incorporated	14,855 En stock	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.35215 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	10.3A (Ta)	4.5V, 10V	13mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	68.6 nC @ 10 V	±20V	3426 pF @ 20 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
DMP6023LFG-7 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Diodes Incorporated	6,974 En stock	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.35215 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7.7A (Ta)	4.5V, 10V	25mOhm a 5A, 10V	3V a 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
TPN2R304PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	3,615 En stock	1 : $1.35000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.31895 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	80A (Tc)	4.5V, 10V	2.3mOhm a 40A, 10V	2.4V a 300µA	41 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 20 V	-	630mW (Ta), 104W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	8-TSON avanzado (3.1x3.1)	8-PowerVDFN
AON7528 MOSFET N-CH 30V 45A/50A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	86,257 En stock	1 : $1.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.36727 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	45A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	2mOhm a 20A, 10V	2.2V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	2895 pF @ 15 V	-	6.2W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
TPH9R506PL,LQ MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	19,539 En stock	1 : $1.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.35970 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	34A (Tc)	4.5V, 10V	9.5mOhm a 17A, 10V	2.5V a 200µA	21 nC @ 10 V	±20V	1910 pF @ 30 V	-	830mW (Ta), 81W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5)	8-PowerVDFN
DMT6007LFGQ-13 MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Diodes Incorporated	3,582 En stock	1 : $1.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.36911 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	15A (Ta), 80A (Tc)	4.5V, 10V	6mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	41.3 nC @ 10 V	±20V	2090 pF @ 30 V	-	2.2W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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