8-PowerTDFN, 5 conductores FET simple, MOSFET

Demostración

de 846

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NTMFS4C029NT1G MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN onsemi	26,546 En stock	1 : $0.59000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.14661 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	15A (Ta), 46A (Tc)	4.5V, 10V	5.88mOhm a 30A, 10V	2.2V a 250µA	18.6 nC @ 10 V	±20V	987 pF @ 15 V	-	2.49W (Ta), 23.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS5C670NLT1G MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN onsemi	50,076 En stock 24,000 Fábrica	1 : $1.01000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.27243 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	17A (Ta), 71A (Tc)	4.5V, 10V	6.1mOhm a 35A, 10V	2V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3.6W (Ta), 61W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS6H848NLT1G MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN onsemi	10,350 En stock	1 : $1.60000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.46029 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	13A (Ta), 59A (Tc)	4.5V, 10V	8.8mOhm a 10A, 10V	2V a 70µA	25 nC @ 10 V	±20V	1420 pF @ 40 V	-	3.7W (Ta), 73W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS5C628NLT1G MOSFET N-CH 60V 5DFN onsemi	4,630 En stock	1 : $1.78000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.52165 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	28A (Ta), 150A (Tc)	4.5V, 10V	2.4mOhm a 50A, 10V	2V a 135µA	52 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 25 V	-	3.7W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS3D5N08XT1G T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL onsemi	7,684 En stock	1 : $2.18000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.66211 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	135A (Tc)	6V, 10V	3mOhm a 31A, 10V	3.6V a 153µA	38 nC @ 10 V	±20V	2680 pF @ 40 V	-	119W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS1D1N04XMT1G 40V T10M IN S08FL PACKAGE onsemi	826 En stock	1 : $2.27000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.69388 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	44A (Ta), 233A (Tc)	10V	1.05mOhm a 30A, 10V	3.5V a 120µA	49.3 nC @ 10 V	±20V	3138 pF @ 25 V	-	104W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS2D5N08XT1G T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL onsemi	2,590 En stock	1 : $2.75000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.86891 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	181A (Tc)	6V, 10V	2.1mOhm a 43A, 10V	3.6V a 213µA	53 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 40 V	-	148W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS0D5N03CT1G MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL, onsemi	1,549 En stock	1 : $2.90000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.92559 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	65A (Ta), 464A (Tc)	4.5V, 10V	0.52mOhm a 30A, 10V	2.2V a 330µA	178 nC @ 10 V	±20V	13000 pF @ 15 V	-	3.9W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFWS0D7N04XMT1G 40V T10M IN S08FL PACKAGE onsemi	15,735 En stock	1 : $3.12000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.00713 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	331A (Tc)	10V	0.7mOhm a 50A, 10V	3.5V a 180µA	74.5 nC @ 10 V	±20V	4657 pF @ 25 V	-	134W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie, lateral humedecible	5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS5C604NLT3G MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN onsemi	3,959 En stock	1 : $3.35000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $1.06250 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	40A (Ta), 287A (Tc)	4.5V, 10V	1.2mOhm a 50A, 10V	2V a 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	8900 pF @ 25 V	-	3.9W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS002P03P8ZT1G MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO onsemi	949 En stock	1 : $3.41000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.11876 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	40.2A (Ta), 263A (Tc)	4.5V, 10V	1.4mOhm a 23A, 10V	3V a 250µA	217 nC @ 4.5 V	±25V	14950 pF @ 15 V	-	3.3W (Ta), 138.9W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS6H801NT1G MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN onsemi	2,851 En stock 16,500 Fábrica	1 : $3.48000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.14565 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	23A (Ta), 157A (Tc)	10V	2.8mOhm a 50A, 10V	4V a 250µA	64 nC @ 10 V	±20V	4120 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 166W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS5113PLT1G MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN onsemi	2,798 En stock	1 : $3.54000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.16937 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	10A (Ta), 64A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 17A, 10V	2.5V a 250µA	83 nC @ 10 V	±20V	4400 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS3D0P04M8LT1G MV8 P INITIAL PROGRAM onsemi	4,520 En stock	1 : $3.63000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.20518 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	28A (Ta), 183A (Tc)	4.5V, 10V	2.7mOhm a 30A,10V	2.4V a 2mA	124 nC @ 10 V	±20V	5827 pF @ 20 V	-	3.9W (Ta), 171W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFWS1D5N08XT1G MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE onsemi	4,837 En stock	1 : $3.91000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.31615 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	253A (Tc)	6V, 10V	1.43mOhm a 50A, 10V	3.6V a 330µA	83 nC @ 10 V	±20V	5880 pF @ 40 V	-	194W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie, lateral humedecible	5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS5C404NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN onsemi	10,739 En stock	1 : $5.02000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.83837 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	370A (Tc)	4.5V, 10V	0.67mOhm a 50A, 10V	2V a 250µA	81 nC @ 4.5 V	±20V	12168 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS5C406NLT1G MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN onsemi	6,098 En stock 18,000 Fábrica	1 : $5.66000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $2.16175 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	53A (Ta), 362A (Tc)	4.5V, 10V	0.7mOhm a 50A, 10V	2V a 280µA	149 nC @ 10 V	±20V	9400 pF @ 20 V	-	3.9W (Ta), 179W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS6H800NT1G MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN onsemi	5,736 En stock 267,000 Fábrica	1 : $5.95000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $2.31213 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	28A (Ta), 203A (Tc)	10V	2.1mOhm a 50A, 10V	4V a 330µA	85 nC @ 10 V	±20V	5530 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS5C604NLWFAFT1G MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN onsemi	33,981 En stock 72,000 Fábrica	1 : $6.41000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $2.55300 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	287A (Tc)	4.5V, 10V	1.2mOhm a 50A, 10V	2V a 250µA	52 nC @ 4.5 V	±20V	8900 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS5C604NLAFT1G MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN onsemi	5,432 En stock 211,500 Fábrica	1 : $6.77000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $2.74700 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	287A (Tc)	4.5V, 10V	1.2mOhm a 50A, 10V	2V a 250µA	52 nC @ 4.5 V	±20V	8900 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS5C404NT1G MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN onsemi	4,449 En stock	1 : $8.99000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $4.00000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	53A (Ta), 378A (Tc)	10V	0.7mOhm a 50A, 10V	4V a 250µA	128 nC @ 10 V	±20V	8400 pF @ 25 V	-	3.9W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS5C673NLT1G MOSFET N-CH 60V 5DFN onsemi	5,784 En stock	1 : $0.86000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.22728 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	50A (Tc)	4.5V, 10V	9.2mOhm a 25A, 10V	2V a 35µA	9.5 nC @ 10 V	±20V	880 pF @ 25 V	-	3.6W (Ta), 46W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS5C456NLT1G MOSFET N-CH 40V 5DFN onsemi	2,260 En stock	1 : $0.94000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.25039 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	87A (Tc)	4.5V, 10V	3.7mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	1600 pF @ 25 V	-	3.6W (Ta), 55W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS4C06NT1G MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN onsemi	1,875 En stock	1 : $0.97000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.25938 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	11A (Ta), 69A (Tc)	4.5V, 10V	4mOhm a 30A, 10V	2.1V a 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	1683 pF @ 15 V	-	770mW (Ta), 30.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NTMFS5C670NLT3G MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN onsemi	5,008 En stock	1 : $1.00000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.23044 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	17A (Ta), 71A (Tc)	4.5V, 10V	6.1mOhm a 35A, 10V	2V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3.6W (Ta), 61W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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