8 A (Ta), 40 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8 PowerTDFN
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Infineon Technologies
6,749
En stock
1 : $1.18000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.58800
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
8 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
9.7mOhm a 20A, 10V
3.8V a 36µA
28 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 50 V
-
2.1W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
10,223
En stock
1 : $1.61000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.55238
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
8 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
16mOhm a 20A, 10V
3.5V a 12µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 50 V
-
2.1W (Ta), 63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
Demostración
de 2

8 A (Ta), 40 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.