8.2 A (Ta) FET simple, MOSFET

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de 21
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
FDS86242
FDS4685
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
onsemi
9,784
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.26145
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
8.2 A (Ta)
4.5V, 10V
27mOhm a 8.2A, 10V
3V a 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
1872 pF @ 20 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
111,291
En stock
1 : $2.30000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.66853
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
100 V
8.2 A (Ta)
5V
13.5mOhm a 11A, 5V
2.5V a 3mA
4.5 nC @ 5 V
+6V, -4V
575 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Molde
Molde
EPC2252
EPC2252
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
EPC
12,697
En stock
1 : $2.59000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.76943
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
80 V
8.2 A (Ta)
-
11mOhm a 11A, 5V
2.5V a 2.5mA
4.3 nC @ 5 V
+6V, -4V
576 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
Molde
Molde
SOT-23-6
IRFTS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Infineon Technologies
13,697
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13260
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
8.2 A (Ta)
4.5V, 10V
19mOhm a 8.2A, 10V
2.35V a 25µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
560 pF @ 25 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSOP
SOT-23-6
5 DFN
NTMFS4C10NT1G
MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
onsemi
1,659
En stock
1 : $0.49000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.13770
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
8.2 A (Ta)
4.5V, 10V
6.95mOhm a 30A, 10V
2.2V a 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±20V
987 pF @ 15 V
-
750mW (Ta), 23.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
DFN2020MD-6
PMPB15XP,115
MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
7,362
En stock
1 : $0.51000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14910
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
8.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
19mOhm a 8.2A, 4.5V
900mV a 250µA
100 nC @ 4.5 V
±12V
2875 pF @ 6 V
-
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN2020MD-6
Placa descubierta 6-UDFN
DFN2020MD-6
PMPB15XPAX
MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,660
En stock
1 : $0.71000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16573
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
8.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
20mOhm a 8.2A, 4.5V
1V a 250µA
100 nC @ 4.5 V
±12V
2875 pF @ 6 V
-
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DFN2020MD-6
Placa descubierta 6-UDFN
SI6562CDQ-T1-BE3
SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Vishay Siliconix
4,529
En stock
1 : $1.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.72290
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
8.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
8.5mOhm a 9.5A, 4.5V
800mV a 400µA
110 nC @ 5 V
±8V
-
-
1.05W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-TSSOP
8-TSSOP (0.173", 4.40mm de ancho)
L78L08A
STN4438
MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
UMW
2,996
En stock
1 : $0.71000
Cinta cortada (CT)
-
*
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
8.2 A (Ta)
4.5V, 10V
32mOhm a 10A, 10V
3V a 250µA
-
±20V
-
-
3.1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
DFN2020MD-6
PMPB15XPH
MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,418
En stock
1 : $0.74000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16150
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
8.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
19mOhm a 8.2A, 4.5V
900mV a 250µA
100 nC @ 4.5 V
±12V
2875 pF @ 6 V
-
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN2020MD-6
Placa descubierta 6-UDFN
SI6562CDQ-T1-BE3
SI6423DQ-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
2,936
En stock
1 : $2.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.72290
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
8.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
8.5mOhm a 9.5A, 4.5V
800mV a 400µA
110 nC @ 5 V
±8V
-
-
1.05W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-TSSOP
8-TSSOP (0.173", 4.40mm de ancho)
244
En stock
1 : $0.65000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.19788
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
8.2 A (Ta)
10V
36mOhm a 7.9A, 4.5V
3V a 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 30 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SI6562CDQ-T1-BE3
SI6423DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Vishay Siliconix
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $2.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.72675
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
8.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
8.5mOhm a 9.5A, 4.5V
800mV a 400µA
110 nC @ 5 V
±8V
-
-
1.05W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-TSSOP
8-TSSOP (0.173", 4.40mm de ancho)
DFN2020MD-6
PMPB15XPZ
MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.13832
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
8.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
19mOhm a 8.2A, 4.5V
900mV a 250µA
100 nC @ 4.5 V
±12V
2875 pF @ 6 V
-
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN2020MD-6
Placa descubierta 6-UDFN
8-Power VDFN
PXN014-100QEJ
PXN014-100QE/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.47054
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
8.2 A (Ta)
4.5V, 10V
14.4mOhm a 8.2A, 10V
2.5V a 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2154 pF @ 50 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
MLPAK33
8-PowerVDFN
AO4828
AO4438
MOSFET N-CH 60V 8.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
8.2 A (Ta)
4.5V, 10V
22mOhm a 8.2A, 10V
3V a 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 30 V
-
3.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7663TRPBF
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
8.2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
20mOhm a 7A, 4.5V
1.2V a 250µA
45 nC @ 5 V
±12V
2520 pF @ 10 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro8™
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7663
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Infineon Technologies
0
En stock
80 : $1.33888
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
8.2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
20mOhm a 7A, 4.5V
1.2V a 250µA
45 nC @ 5 V
±12V
2520 pF @ 10 V
-
1.8W (Ta)
-
-
-
Montaje en superficie
Micro8™
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7663TR
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
-
-
Cinta cortada (CT)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
8.2 A (Ta)
-
20mOhm a 7A, 4.5V
1.2V a 250µA
45 nC @ 5 V
-
2520 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
Micro8™
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm de ancho)
8PowerTDFN
NTMFS4C810NT1G
MOSFET N-CH 30V 5DFN
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
8.2 A (Ta)
4.5V, 10V
5.88mOhm a 30A, 10V
2.2V a 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
987 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
8 SOIC
FDS4685-NF074
40V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
onsemi
0
En stock
Discontinuo en Digi-Key
-
Granel
Discontinuo en Digi-Key
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
8.2 A (Ta)
4.5V, 10V
27mOhm a 8.2A, 10V
3V a 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
1872 pF @ 20 V
-
1.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Demostración
de 21

8.2 A (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.