7A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

de 290

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
MSC750SMA170B SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Microchip Technology	525 En stock	1 : $5.44000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	7A (Tc)	20V	940mOhm a 2.5A, 20V	3.25V a 100µA (típico)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
MSC750SMA170B4 TRANS SJT 1700V TO247-4 Microchip Technology	809 En stock	1 : $5.61000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	7A (Tc)	20V	940mOhm a 2.5A, 20V	3.25V a 100µA (típico)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
SQ3426CEEV-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP Vishay Siliconix	3,371 En stock	1 : $0.78000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.18383 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7A (Tc)	4.5V, 10V	42mOhm a 5A, 10V	2.5V a 250µA	19.5 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 30 V	-	5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
SQ3426CEV-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Vishay Siliconix	1,131 En stock	1 : $0.81000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19343 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7A (Tc)	4.5V, 10V	42mOhm a 5A, 10V	2.5V a 250µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	790 pF @ 30 V	-	5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
BSC22DN20NS3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5 Infineon Technologies	8,100 En stock	1 : $1.49000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.36044 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	7A (Tc)	10V	225mOhm a 3.5A, 10V	4V a 13µA	5.6 nC @ 10 V	±20V	430 pF @ 100 V	-	34W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
FCP7N60 MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3 onsemi	790 En stock	1 : $3.43000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	600mOhm a 3.5A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	920 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
STB8N65M5 MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK STMicroelectronics	1,084 En stock	1 : $3.46000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.18855 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ V	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	7A (Tc)	10V	600mOhm a 3.5A, 10V	5V a 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	690 pF @ 100 V	-	70W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
STP9NK60Z MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB STMicroelectronics	862 En stock	1 : $3.50000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	950mOhm a 3.5A, 10V	4.5V a 100µA	53 nC @ 10 V	±30V	1110 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STW12N150K5 MOSFET N-CH 1500V 7A TO247 STMicroelectronics	307 En stock	1 : $8.51000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ K5	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	1500 V	7A (Tc)	10V	1.9Ohm a 3.5A, 10V	5V a 100µA	47 nC @ 10 V	±30V	1360 pF @ 100 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
TSM7P06CP ROG MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252 Taiwan Semiconductor Corporation	3,337 En stock	1 : $0.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.24117 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7A (Tc)	4.5V, 10V	180mOhm a 3A, 10V	2.5V a 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	425 pF @ 30 V	-	15.6W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
RQ5E070BNTCL MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3 Rohm Semiconductor	1,055 En stock	1 : $1.13000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28404 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	7A (Tc)	10V	16.1mOhm a 7A, 10V	2.5V a 1mA	23 nC @ 10 V	±20V	950 pF @ 15 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSMT3	SC-96
IPD65R650CEAUMA1 MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 Infineon Technologies	404 En stock	1 : $1.38000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.35578 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	CoolMOS™ CE	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	7A (Tc)	10V	650mOhm a 2.1A, 10V	3.5V a 210µA	23 nC @ 10 V	±20V	440 pF @ 100 V	-	86W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD7N65 MOSFET N-CH 650V 7A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	7,823 En stock	1 : $1.66000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.45328 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	7A (Tc)	10V	1.56Ohm a 3.5A, 10V	4.5V a 250µA	24 nC @ 10 V	±30V	1180 pF @ 25 V	-	178W (Tc)	-50°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD80R750P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3 Infineon Technologies	3,506 En stock	1 : $1.84000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.49757 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	7A (Tc)	10V	750mOhm a 2.7A, 10V	3.5V a 140µA	17 nC @ 10 V	±20V	460 pF @ 500 V	-	51W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPA80R750P7XKSA1 MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220 Infineon Technologies	500 En stock	1 : $1.97000 Tubo	-	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	7A (Tc)	10V	750mOhm a 2.7A, 10V	3.5V a 140µA	17 nC @ 10 V	±20V	460 pF @ 500 V	-	27W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-FP	TO-220-3 paquete completo
STP11N65M2 MOSFET N-CH 650V 7A TO220 STMicroelectronics	1,763 En stock	1 : $2.30000 Tubo	-	MDmesh™ II Plus	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	7A (Tc)	10V	670mOhm a 3.5A, 10V	4V a 250µA	12.5 nC @ 10 V	±25V	410 pF @ 100 V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
TK560P60Y,RQ MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	1,900 En stock	1 : $2.35000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.67926 Cinta y rollo (TR)	-	DTMOSV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	560mOhm a 3.5A, 10V	4V a 240µA	14.5 nC @ 10 V	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD7S60 MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3,873 En stock	1 : $2.40000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.67315 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	aMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	600mOhm a 3.5A, 10V	3.9V a 250µA	8.2 nC @ 10 V	±30V	372 pF @ 100 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STL15N60M2-EP MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV STMicroelectronics	1,578 En stock	1 : $2.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.72213 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2-EP	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	418mOhm a 4.5A, 10V	4.75V a 250µA	17 nC @ 10 V	±25V	590 pF @ 100 V	-	55W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6) HV	8-PowerVDFN
R6007ENJTL MOSFET N-CH 600V 7A LPTS Rohm Semiconductor	192 En stock	1 : $2.70000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.88707 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	620mOhm a 2.4A, 10V	4V a 1mA	20 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	LPTS	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FCD7N60TM-WS MOSFET N-CH 600V 7A DPAK onsemi	1,200 En stock	1 : $2.96444 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.90262 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	600mOhm a 3.5A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	920 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FCD7N60TM MOSFET N-CH 600V 7A DPAK onsemi	4,258 En stock	1 : $3.07000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.94612 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	600mOhm a 3.5A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	920 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STP7N90K5 MOSFET N-CH 900V 7A TO220 STMicroelectronics	405 En stock	1 : $3.09000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ K5	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	900 V	7A (Tc)	10V	810mOhm a 4A, 10V	5V a 100µA	17.7 nC @ 10 V	±30V	425 pF @ 10 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
R6007ENX MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM Rohm Semiconductor	490 En stock	1 : $3.18000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7A (Tc)	10V	620mOhm a 2.4A, 10V	4V a 1mA	20 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FM	TO-220-3 paquete completo
STD7N90K5 MOSFET N-CH 900V 7A DPAK STMicroelectronics	486 En stock	1 : $3.23000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.99250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ K5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	900 V	7A (Tc)	10V	-	5V a 100µA	-	±30V	-	-	110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

Demostración

de 290

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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