770mA (Ta) FET simple, MOSFET

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de 8
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
NX138AKHH
PMH550UNEH
MOSFET N-CH 30V 770MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
17,565
En stock
1 : $0.12000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04224
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
770mA (Ta)
1.5V, 4.5V
670mOhm a 770mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.4 nC @ 4 V
±8V
30.3 pF @ 15 V
-
380mW (Ta), 2.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN0606-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMP21D0UFB-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Diodes Incorporated
3,624
En stock
70,000
Fábrica
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.07938
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
770mA (Ta)
1.8V, 4.5V
495mOhm a 400mA, 4.5V
1V a 250µA
1.5 nC @ 8 V
±8V
76.5 pF @ 10 V
-
430mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
X2-DFN1006-3
DMP21D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Diodes Incorporated
16,568
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.06930
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
770mA (Ta)
1.8V, 4.5V
495mOhm a 400mA, 4.5V
1V a 250µA
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
430mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMP21D0UFB4-7R
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Diodes Incorporated
2,390
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08085
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
770mA (Ta)
1.8V, 4.5V
495mOhm a 400mA, 4.5V
1V a 250µA
1.5 nC @ 8 V
±8V
76.5 pF @ 10 V
-
430mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
NX138AKHH
PMH550UNEAH
PMH550UNEA/SOT8001/DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.04557
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
770mA (Ta)
1.5V, 4.5V
670mOhm a 770mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.4 nC @ 4 V
±8V
30.3 pF @ 15 V
-
380mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DFN0606-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMP21D0UFB-7
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Diodes Incorporated
0
En stock
108,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.10882
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
770mA (Ta)
1.8V, 4.5V
495mOhm a 400mA, 4.5V
1V a 250µA
1.5 nC @ 8 V
±8V
76.5 pF @ 10 V
-
430mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
SI1033X-T1-GE3
SI1037X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 770MA SC89
Vishay Siliconix
0
En stock
3,000 : $0.34428
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
770mA (Ta)
1.8V, 4.5V
195mOhm a 770mA, 4.5V
450mV a 250µA (mín.)
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
170mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-89 (SOT-563F)
SOT-563, SOT-666
FDT86106LZ
IRLM210ATF
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
770mA (Ta)
5V
1.5Ohm a 390mA, 5V
2V a 250µA
9 nC @ 5 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
1.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223-4
TO-261-4, TO-261AA
Demostración
de 8

770mA (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.