750mA (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 30

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NTK3134NT5G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723 onsemi	0 En stock 8,000 Mercado Consultar el plazo de entrega	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.04546 Cinta y rollo (TR) 8,000 : $0.08000 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.5V, 4.5V	350mOhm a 890mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	120 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
PJA3434_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	8,503 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04606 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.2V, 4.5V	400mOhm a 600mA, 4.5V	1V a 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	67 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3730U-7 MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 Diodes Incorporated	81,597 En stock 3,513,000 Fábrica	1 : $0.60000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13253 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	460mOhm a 200mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	64.3 pF @ 25 V	-	450mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3730UFB4-7B MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	10,547 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05797 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	460mOhm a 200mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	64.3 pF @ 25 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
DMN2990UFO-7B MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	10,304 En stock 170,000 Fábrica	1 : $0.59000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.11096 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.5V, 4.5V	990mOhm a 100mA, 4.5V	1V a 250µA	0.41 nC @ 4.5 V	±8V	31 pF @ 15 V	-	840mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DFN0604-3	3-XFDFN
MVGSF1N02LT1G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 onsemi	19,343 En stock	1 : $1.01000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24709 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	4.5V, 10V	90mOhm a 1.2A, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	125 pF @ 5 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3134KL3B-TP N-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3A MCC (Micro Commercial Components)	9,105 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05555 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	250mOhm a 500mA, 4.5V	1.2V a 250µA	1.2 nC @ 4.5 V	±10V	33 pF @ 16 V	-	900mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN1006-3A	3-XDFN
NTK3134NT1H MOSFET N-CH 20V 0.89A SOT723 onsemi	0 En stock 21,730 Mercado	5,730 : $0.09000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.5V, 4.5V	350mOhm a 890mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	120 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
NTK3134NT1H 0.75A, 20V, N-CHANNEL MOSFET onsemi	19,992 Mercado	2,597 : $0.12000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.5V, 4.5V	350mOhm a 890mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	120 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
GSFW0200 MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V Good-Ark Semiconductor	20,000 En stock	1 : $0.15000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.02365 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	380mOhm a 650mA, 4.5V	1.1V a 250µA	-	±12V	120 pF @ 16 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-883	SC-101, SOT-883
SL3134K 20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT- Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.	3,000 En stock	1 : $0.16000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03132 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	2.5V, 4.5V	350mOhm a 650mA, 4.5V	1.1V a 250µA	1.1 nC @ 4.5 V	±10V	110 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
SL2302T 20V 750MA 800M@1.8V 150MW 1V@250 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.	2,980 En stock	1 : $0.17000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03462 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta cortada (CT)	Activo	-	MOSFET (óxido de metal)	-	750mA (Ta)	-	380mOhm a 500mA, 4.5V	1V a 250µA	-	-	-	-	-	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
GSFF3134 MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V Good-Ark Semiconductor	13,354 En stock	1 : $0.18000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.02962 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	380mOhm a 650mA, 4.5V	1.1V a 250µA	-	±12V	120 pF @ 16 V	-	150mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
BSH205,215 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Nexperia USA Inc.	115,042 Mercado	548 : $0.55000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	400mOhm a 430mA, 4.5V	680mV a 1mA (típico)	3.8 nC @ 4.5 V	±8V	200 pF @ 9.6 V	-	417mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23 (TO-236AB)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MGSF1N02LT1G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 onsemi	466 En stock	1 : $0.54000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12078 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	4.5V, 10V	90mOhm a 1.2A, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	125 pF @ 5 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTK3134NT1G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723 onsemi	168 En stock	1 : $0.65000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.14320 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.5V, 4.5V	350mOhm a 890mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	120 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
DMN3730UFB4-7 MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	313 En stock	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16761 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	460mOhm a 200mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	64.3 pF @ 25 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
S3134K MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V Good-Ark Semiconductor	811 En stock	1 : $0.10000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.02369 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	380mOhm a 650mA, 4.5V	1.1V a 250µA	-	±12V	120 pF @ 16 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
DMN2400UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	0 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05855 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	550mOhm a 600mA, 4.5V	900mV a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±12V	36 pF @ 16 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06194 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	550mOhm a 600mA, 4.5V	900mV a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±12V	36 pF @ 16 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN3730UFB-7 MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16761 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	460mOhm a 200mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	64.3 pF @ 25 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
SI3134KL3A-TPQ3 IC MCC (Micro Commercial Components)	0 En stock Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.05271 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	300mOhm a 500mA, 4.5V	1.1V a 250µA	1 nC @ 4.5 V	±12V	27 pF @ 16 V	-	660mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN1006-3	SC-101, SOT-883
SI3134KEA-13P SMALL SIGNAL MOSFET MCC (Micro Commercial Components)	0 En stock Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.06392 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	300mOhm a 500mA, 4.5V	1.1V a 250µA	1.2 nC @ 4.5 V	±12V	28 pF @ 16 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
MGSF1N02LT1 MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 onsemi	0 En stock	Obsoleto	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	4.5V, 10V	90mOhm a 1.2A, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	125 pF @ 5 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MGSF1P02LT1 MOSFET P-CH 20V 750MA SOT23-3 onsemi	0 En stock	Obsoleto	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	4.5V, 10V	350mOhm a 1.5A, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	130 pF @ 5 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

de 30

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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