72 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4127TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Infineon Technologies
14,866
En stock
1 : $3.37000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.41120
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
72 A (Tc)
10V
22mOhm a 44A, 10V
5V a 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 50 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-263AB
IXFA72N30X3
MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
Littelfuse Inc.
877
En stock
1 : $9.79000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
72 A (Tc)
10V
19mOhm a 36A, 10V
4.5V a 1.5mA
82 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
390W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA (IXFA)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
UF3C120080B7S
UJ4SC075018B7S
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
onsemi
1,249
En stock
1 : $23.10000
Cinta cortada (CT)
800 : $13.57500
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
72 A (Tc)
12V
23mOhm a 50A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1414 pF @ 400 V
-
259W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN82N60P
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Littelfuse Inc.
110
En stock
1 : $39.95000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
72 A (Tc)
10V
75mOhm a 41A, 10V
5V a 8mA
240 nC @ 10 V
±30V
23000 pF @ 25 V
-
1040W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
C2M0045170P
C2M0045170P
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Wolfspeed, Inc.
225
En stock
1 : $107.38000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
72 A (Tc)
20V
59mOhm a 50A, 20V
4V a 18mA
188 nC @ 20 V
+25V, -10V
3672 pF @ 1000 V
-
520W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C2M0045170D
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
310
En stock
1 : $115.43000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
72 A (Tc)
20V
70mOhm a 50A, 20V
4V a 18mA
188 nC @ 20 V
+25V, -10V
3672 pF @ 1000 V
-
520W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
180
En stock
1 : $1.23000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.33687
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
72 A (Tc)
4.5V, 10V
3.5mOhm a 36A, 10V
2.5V a 300µA
29 nC @ 10 V
±20V
2770 pF @ 30 V
-
630mW (Ta), 104W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
8-PowerVDFN
D2PAK-7
NTBG022N120M3S
SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
onsemi
1,175
En stock
11,200
Fábrica
1 : $19.28000
Cinta cortada (CT)
800 : $10.77800
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
72 A (Tc)
18V
30mOhm a 40A, 18V
4.4V a 20mA
142 nC @ 18 V
+22V, -10V
3175 pF @ 800 V
-
234W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
476
En stock
1 : $2.67000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
72 A (Tc)
6V, 10V
4mOhm a 72A, 10V
3.3V a 50µA
50 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
36W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220 paquete completo
TO-220-3 paquete completo
IXFP30N25X3M
IXFP72N30X3M
MOSFET N-CH 300V 72A TO220
Littelfuse Inc.
529
En stock
1 : $6.81000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
72 A (Tc)
10V
19mOhm a 36A, 10V
4.5V a 1.5mA
82 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
36W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220, lengüeta aislada
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
TO-220-3
IXFP72N20X3
MOSFET N-CH 200V 72A TO220
Littelfuse Inc.
786
En stock
1 : $7.65000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
72 A (Tc)
10V
20mOhm a 36A, 10V
4.5V a 1.5mA
55 nC @ 10 V
±20V
3780 pF @ 25 V
-
320W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-4
STW68N65DM6-4AG
MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
STMicroelectronics
561
En stock
1 : $9.82000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
72 A (Tc)
-
39mOhm a 36A, 10V
4.75V a 250µA
118 nC @ 10 V
±25V
5900 pF @ 100 V
-
480W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
SCT2450KEGC11
SCT3030KLGC11
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Rohm Semiconductor
265
En stock
1 : $60.34000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
72 A (Tc)
18V
39mOhm a 27A, 18V
5.6V a 13.3mA
131 nC @ 18 V
+22V, -4V
2222 pF @ 800 V
-
339W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3
STWA75N60M6
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
STMicroelectronics
600
En stock
1 : $7.54000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
72 A (Tc)
10V
36mOhm a 36A, 10V
4.75V a 250µA
106 nC @ 10 V
±25V
4850 pF @ 100 V
-
446W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 conductores largos
TO-247-3
TO-263AB
IXFA72N20X3
MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
Littelfuse Inc.
437
En stock
1 : $9.71000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
72 A (Tc)
10V
20mOhm a 36A, 10V
4.5V a 1.5mA
55 nC @ 10 V
±20V
3780 pF @ 25 V
-
320W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA (IXFA)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3
STW75N60DM6
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
STMicroelectronics
338
En stock
1 : $9.87000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
72 A (Tc)
-
-
-
-
±25V
-
-
-
-
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-3P
IXFQ72N20X3
MOSFET N-CH 200V 72A TO3P
Littelfuse Inc.
300
En stock
1 : $10.33000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
72 A (Tc)
10V
20mOhm a 36A, 10V
4.5V a 1.5mA
55 nC @ 10 V
±20V
3780 pF @ 25 V
-
320W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-247-4
STW75N60M6-4
MOSFET N-CH 600V 72A TO247-4
STMicroelectronics
491
En stock
1 : $12.25000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
72 A (Tc)
10V
36mOhm a 36A, 10V
4.75V a 250µA
106 nC @ 10 V
±25V
4850 pF @ 100 V
-
446W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
STWA75N60DM6
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
STMicroelectronics
331
En stock
1 : $13.39000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
72 A (Tc)
-
-
-
-
±25V
-
-
-
-
-
-
Orificio pasante
TO-247 conductores largos
TO-247-3
SCT2450KEGC11
SCT3030KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Rohm Semiconductor
579
En stock
1 : $57.36000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
72 A (Tc)
18V
39mOhm a 27A, 18V
5.6V a 13.3mA
131 nC @ 18 V
+22V, -4V
2222 pF @ 800 V
-
339W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
2,500
En stock
1 : $1.24000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.32311
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
72 A (Tc)
10V
6mOhm a 20A, 10V
4V a 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1085 pF @ 25 V
-
55W (Tj)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PowerPAK_1212-8SLW_Top
SQS180ENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
831
En stock
1 : $1.58000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.41972
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
72 A (Tc)
10V
8.67mOhm a 10A, 10V
3.5V a 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
3092 pF @ 25 V
-
119W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie, lateral humedecible
PowerPAK® 1212-8SLW
PowerPAK® 1212-8SLW
TO-220-3
XP6NA3R5IT
MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
YAGEO XSEMI
1,000
En stock
1 : $2.61000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
72 A (Tc)
10V
3.5mOhm a 30A, 10V
4V a 250µA
125 nC @ 10 V
±20V
5440 pF @ 50 V
-
1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220CFM
TO-220-3 paquete completo
GSGP03150
GSFP6901
MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Good-Ark Semiconductor
6,981
En stock
1 : $1.96000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.50481
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
72 A (Tc)
4.5V, 10V
8.6mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
12930 pF @ 25 V
-
142W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PPAK (5.1x5.71)
8-PowerTDFN
BUK7626-100B,118
BUK7613-100E,118
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,293
En stock
1 : $3.09000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.06400
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
72 A (Tc)
10V
13mOhm a 20A, 10V
4V a 1mA
97.2 nC @ 10 V
±20V
4533 pF @ 20 V
-
182W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Demostración
de 65

72 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.