70 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 264
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
264Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 264
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
11,920
En stock
1 : $1.23000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.31936
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
70 A (Tc)
10V
8mOhm a 20A, 10V
2.3V a 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BUK7M6R7-40HX
PSMN3R0-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
157
En stock
1 : $1.34000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.36162
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
3.15mOhm a 25A, 10V
2.15V a 1mA
34.8 nC @ 10 V
±20V
2330 pF @ 15 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
16,360
En stock
1 : $1.53000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.37332
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
12mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2118 pF @ 30 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Infineon Technologies
6,221
En stock
1 : $2.31000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.71535
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
4.2mOhm a 70A, 10V
2V a 270µA
175 nC @ 10 V
±20V
12400 pF @ 15 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BA17818FP-E2
RD3G07BATTL1
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
1,339
En stock
1 : $3.10000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.95625
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
7.1mOhm a 70A, 10V
2.5V a 1mA
105 nC @ 10 V
±20V
5550 pF @ 20 V
-
101W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3-11
IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Infineon Technologies
7,416
En stock
1 : $3.17000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.03100
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
70 A (Tc)
10V
11.1mOhm a 70A, 10V
4V a 83µA
65 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-3PN
FQA70N10
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
onsemi
1,084
En stock
1 : $3.82000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
70 A (Tc)
10V
23mOhm a 35A, 10V
4V a 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
3300 pF @ 25 V
-
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3PN
TO-3P-3, SC-65-3
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y6R5-40HX
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,396
En stock
1 : $0.82000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.39139
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
6.5mOhm a 20A, 10V
2.15V a 1mA
29 nC @ 10 V
±20V
2036 pF @ 25 V
-
64W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
DMP3013SFV-13
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Diodes Incorporated
68,755
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.19487
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
12 V
70 A (Tc)
2.5V, 4.5V
3.8mOhm a 15A, 4.5V
1V a 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2385 pF @ 6 V
-
1.9W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerDI3333-8 (típico UX)
8-PowerVDFN
8PowerVDFN
DMP3007SFG-7
MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Diodes Incorporated
1,439
En stock
114,000
Fábrica
1 : $1.25000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.33610
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
6mOhm a 11.5A, 10V
3V a 250µA
64.2 nC @ 10 V
±25V
2826 pF @ 15 V
-
2.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
IAUCN04S7L014ATMA1
IPC70N04S54R6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Infineon Technologies
12,615
En stock
1 : $1.33000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.32445
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
70 A (Tc)
7V, 10V
4.6mOhm a 35A, 10V
3.4V a 17µA
24.2 nC @ 10 V
±20V
1430 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
PG-TO252-3-11
IPD70N03S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Infineon Technologies
3,761
En stock
1 : $1.53000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.35802
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
4.3mOhm a 70A, 10V
2.2V a 30µA
48 nC @ 10 V
±16V
3300 pF @ 25 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
2,132
En stock
1 : $1.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.42550
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
3.8mOhm a 20A, 10V
2.3V a 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 15 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFN (5x6)
8-PowerSMD, conductores planos
BUK7M6R7-40HX
PSMN2R4-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
12,105
En stock
1 : $1.65000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.40400
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
2.4mOhm a 25A, 10V
2.2V a 1mA
51 nC @ 10 V
±20V
3264 pF @ 15 V
-
91W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
TO-252AA
FDD8445
MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA
onsemi
954
En stock
1 : $1.85000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.50184
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
70 A (Tc)
10V
8.7mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
59 nC @ 10 V
±20V
4050 pF @ 25 V
-
79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TDSON-8-33
IAUC70N08S5N074ATMA1
MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Infineon Technologies
6,041
En stock
1 : $1.86000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.49412
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
70 A (Tc)
6V, 10V
7.4mOhm a 35A, 10V
3.8V a 36µA
30 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
PG-TO252-3-313
IPD70P04P4L08ATMA2
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Infineon Technologies
10,096
En stock
1 : $1.97000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.51362
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
7.8mOhm a 70A, 10V
2.2V a 120µA
92 nC @ 10 V
+5V, -16V
5430 pF @ 25 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
9,691
En stock
1 : $2.31000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.66750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
4.1mOhm a 35A, 10V
2.5V a 1mA
75 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta), 67W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
DPAK
STD80N10F7
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
STMicroelectronics
1,087
En stock
1 : $2.48000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.74284
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
70 A (Tc)
10V
10mOhm a 40A, 10V
4.5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 50 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Infineon Technologies
7,490
En stock
1 : $2.75000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.84900
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
120 V
70 A (Tc)
10V
11.1mOhm a 70A, 10V
4V a 83µA
65 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
RFP70N06
MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
onsemi
759
En stock
1 : $2.99000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
70 A (Tc)
10V
14mOhm a 70A, 10V
4V a 250µA
156 nC @ 20 V
±20V
2250 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
BA17818FP-E2
RD3L07BATTL1
PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
1,788
En stock
1 : $3.10000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.95625
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
12.7mOhm a 70A, 10V
2.5V a 1mA
105 nC @ 10 V
±20V
6700 pF @ 30 V
-
101W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO263-3-2
IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Infineon Technologies
1,059
En stock
1 : $3.59000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.24403
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
70 A (Tc)
10V
11.3mOhm a 70A, 10V
4V a 83µA
66 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRFP254PBF
IRFP054PBF
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Vishay Siliconix
1,114
En stock
1 : $8.41000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
70 A (Tc)
10V
14mOhm a 54A, 10V
4V a 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
208
En stock
1 : $16.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
70 A (Tc)
15V, 18V
40.9mOhm a 25.6A, 18V
5.2V a 11mA
68 nC @ 18 V
+20V, -7V
2160 pF @ 800 V
-
273W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-U02
TO-247-4
Demostración
de 264

70 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.