7 A (Ta), 22 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 8
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8-PQFN
FDMS86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
onsemi
52,828
En stock
1 : $2.54000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.83650
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 7A, 10V
2.5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1305 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (5x6)
8-PowerTDFN
TO-220-3
AOTF2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/22A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
283
En stock
1 : $1.66000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4.5V, 10V
19mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 30 V
-
2.1W (Ta), 23.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F
TO-220-3 paquete completo
5 DFN
NVMFS6H864NLT1G
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
onsemi
1,385
En stock
1 : $1.06000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.43044
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 5A, 10V
2V a 20µA
9 nC @ 10 V
±20V
431 pF @ 40 V
-
3.5W (Ta), 33W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS6H864NLWFT1G
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
onsemi
1,480
En stock
1 : $1.48000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.52038
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 5A, 10V
2V a 20µA
9 nC @ 10 V
±20V
431 pF @ 40 V
-
3.5W (Ta), 33W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie, lateral humedecible
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN, 5 conductores
SOT 1023
NVMYS029N08LHTWG
T8 80V LL LFPAK
onsemi
2,990
En stock
12,000
Fábrica
Activo
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 5A, 10V
2V a 20µA
9 nC @ 10 V
±20V
431 pF @ 40 V
-
3.5W (Ta), 33W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK4 (5x6)
SOT-1023, 4-LFPAK
SOT 1023
NTMYS029N08LHTWG
T8 80V LL LFPAK
onsemi
0
En stock
15,000
Mercado
3,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
1 : $2.56000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.73650
Cinta y rollo (TR)
600 : $0.84000
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 5A, 10V
2V a 20µA
9 nC @ 10 V
±20V
431 pF @ 40 V
-
3.5W (Ta), 33W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK4 (5x6)
SOT-1023, 4-LFPAK
5 DFN
NTMFS6H864NLT1G
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
onsemi
642
En stock
1 : $0.96000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.24786
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 5A, 10V
2V a 20µA
9 nC @ 10 V
±20V
431 pF @ 40 V
-
3.5W (Ta), 33W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
8PowerTDFN
NTMFS6H864NT1G
POWER MOSFET, SINGLE N-CHANNEL,
onsemi
0
En stock
Discontinuo en Digi-Key
-
-
Granel
Discontinuo en Digi-Key
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
7 A (Ta), 22 A (Tc)
4.5V, 10V
32mOhm a 5A, 10V
4V a 20µA
6.9 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 40 V
-
3.5W (Ta), 33W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
Demostración
de 8

7 A (Ta), 22 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.