7 A (Ta), 18.2 A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	DMP6023LE-13 MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223 Diodes Incorporated	66,776 En stock 262,500 Fábrica	1 : $1.01000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.30492 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7 A (Ta), 18.2 A (Tc)	4.5V, 10V	28mOhm a 5A, 10V	3V a 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
	DMP6023LEQ-13 MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R Diodes Incorporated	4,853 En stock	1 : $1.26000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.36835 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7 A (Ta), 18.2 A (Tc)	4.5V, 10V	28mOhm a 5A, 10V	3V a 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	2W (Ta), 17.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.