7.2 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 25
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SI9407BDY-T1-GE3
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Vishay Siliconix
12,292
En stock
1 : $0.95000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.23750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
7.2 A (Tc)
4.5V, 10V
45mOhm a 5A, 10V
2.5V a 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 20 V
-
4.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
TO-220FP
STP9NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FP
STMicroelectronics
407
En stock
1 : $2.84000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7.2 A (Tc)
10V
850mOhm a 3.6A, 10V
4.5V a 100µA
32 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP9NK50Z
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
STMicroelectronics
248
En stock
1 : $3.46000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7.2 A (Tc)
10V
850mOhm a 3.6A, 10V
4.5V a 100µA
32 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
C3M0065090J
C3M0350120J
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
1,296
En stock
1 : $8.73000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
7.2 A (Tc)
15V
455mOhm a 3.6A, 15V
3.6V a 1mA
13 nC @ 15 V
+15V, -4V
345 pF @ 1000 V
-
40.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PG-TO220-FP
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Infineon Technologies
1,456
En stock
1 : $1.57000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7.2 A (Tc)
10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3.5V a 200µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
328 pF @ 100 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-FP
TO-220-3 paquete completo
D²PAK
STB9NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
STMicroelectronics
4,025
En stock
1 : $2.31000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.73961
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7.2 A (Tc)
10V
850mOhm a 3.6A, 10V
4.5V a 100µA
32 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO220 Full Pack
IPA95R450PFD7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
Infineon Technologies
156
En stock
1 : $2.82000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
7.2 A (Tc)
10V
450mOhm a 7.2A, 10V
3.5V a 360µA
43 nC @ 10 V
±20V
1230 pF @ 400 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3-313
TO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
STMicroelectronics
405
En stock
1 : $4.12000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
7.2 A (Tc)
10V
1.35Ohm a 3.6A, 10V
5V a 100µA
34 nC @ 10 V
±30V
1031 pF @ 100 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
STMicroelectronics
590
En stock
1 : $7.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
7.2 A (Tc)
10V
1.35Ohm a 3.6A, 10V
5V a 100µA
34 nC @ 10 V
±30V
1031 pF @ 100 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J-TR
C3M0350120J-TR
SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Wolfspeed, Inc.
757
En stock
1 : $8.73000
Cinta cortada (CT)
800 : $3.85000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
7.2 A (Tc)
15V
455mOhm a 3.6A, 15V
3.6V a 1mA
13 nC @ 15 V
+15V, -4V
345 pF @ 1000 V
-
40.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
2SK4221
FQAF9N50
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF
Fairchild Semiconductor
673
Mercado
275 : $1.09000
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7.2 A (Tc)
10V
730mOhm a 3.6A, 10V
5V a 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1450 pF @ 25 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3PF
TO-3P-3 paquete completo
2SK4221
FQA7N80
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Fairchild Semiconductor
752
Mercado
211 : $1.42000
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
7.2 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 3.6A, 10V
5V a 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1850 pF @ 25 V
-
198W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-220AB Full Pack
IRFI520GPBF
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Vishay Siliconix
419
En stock
1 : $2.33000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
7.2 A (Tc)
10V
270mOhm a 4.3A, 10V
4V a 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
TO-220AB Full Pack
IRLI520GPBF
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Vishay Siliconix
795
En stock
1 : $2.75000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
7.2 A (Tc)
4V, 5V
270mOhm a 4.3A, 5V
2V a 250µA
12 nC @ 5 V
±10V
490 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
TO-220FP
STF7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
STMicroelectronics
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $5.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
7.2 A (Tc)
10V
1.35Ohm a 3.6A, 10V
5V a 100µA
33 nC @ 10 V
±30V
1031 pF @ 100 V
-
35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $2.53000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.72500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
7.2 A (Tc)
-
-
1.6V a 560µA
1 nC @ 3 V
-10V
74 pF @ 400 V
-
28W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TSON-8-8
8-PowerTDFN
PG-TO252-3
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
Infineon Technologies
0
En stock
2,500 : $0.32182
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7.2 A (Tc)
10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3.5V a 200µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
328 pF @ 100 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPAK
IPS65R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
Infineon Technologies
0
En stock
1,500 : $0.36134
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7.2 A (Tc)
10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3.5V a 200µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
328 pF @ 100 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO251-3-342
Conductores stub TO-251-3, IPAK
TO-220F
FQAF9N50
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF
onsemi
0
En stock
360 : $0.90839
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7.2 A (Tc)
10V
730mOhm a 3.6A, 10V
5V a 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1450 pF @ 25 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3PF
TO-3P-3 paquete completo
TO-220-3
STP7NB60
MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
STMicroelectronics
0
En stock
1,000 : $1.04835
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
7.2 A (Tc)
10V
1.2Ohm a 3.6A, 10V
5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
1625 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-220AB Full Pack
IRFI520G
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Vishay Siliconix
0
En stock
1,000 : $1.56965
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
7.2 A (Tc)
10V
270mOhm a 4.3A, 10V
4V a 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
0
En stock
1 : $1.76000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.58750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7.2 A (Tc)
10V
850mOhm a 3.6A, 10V
4V a 250µA
26.6 nC @ 10 V
±30V
1595 pF @ 25 V
-
89W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220AB Full Pack
IRLI520G
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Vishay Siliconix
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
7.2 A (Tc)
4V, 5V
270mOhm a 4.3A, 5V
2V a 250µA
12 nC @ 5 V
±10V
490 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
TO-3P-3,TO-247-3
FQA7N80
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
7.2 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 3.6A, 10V
5V a 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1850 pF @ 25 V
-
198W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-220F
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
7.2 A (Tc)
10V
960mOhm a 3.6A, 10V
5V a 250µA
94 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
120W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3PF
TO-3P-3 paquete completo
Demostración
de 25

7.2 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.