64 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 97
Fabricante
Diotec SemiconductorFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvoRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronics
Serie
-Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7C3M™CoolMOS™CoolSiC™DeepGATE™, STripFET™ VIIEFETKY™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™
Embalaje
BolsaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V500 V600 V650 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V5V5V, 10V6V, 10V7.5V, 10V8V, 10V10V12V15V18V20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.8mOhm a 32A, 10V4.3mOhm a 32A, 10V4.5mOhm a 15A, 10V4.5mOhm a 64A, 10V5.2mOhm a 32A, 10V5.75mOhm a 20A, 10V6.5mOhm a 20A, 10V6.5mOhm a 32A, 10V6.6mOhm a 50A, 10V6.8mOhm a 22A, 10V7mOhm a 32A, 10V7.3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 250µA1.7V a 250µA1.95V a 1mA2V a 1mA2.1V a 1mA2.3V a 20µA2.3V a 250µA2.5V a 130µA2.5V a 250µA2.6V a 2mA2.7V a 250µA3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
9.8 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V16.2 nC @ 5 V17.5 nC @ 10 V21 nC @ 10 V31 nC @ 4.5 V32 nC @ 10 V33 nC @ 4.5 V35 nC @ 5 V37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -8V±10V±12V+15V, -4V±15V±16V±20V+22V, -20V+23V, -10V+23V, -5V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
580 pF @ 12.5 V637 pF @ 25 V870 pF @ 20 V950 pF @ 25 V1051 pF @ 30 V1093 pF @ 12 V1360 pF @ 15 V1400 pF @ 400 V1420 pF @ 25 V1500 pF @ 30 V1550 pF @ 25 V1650 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
960mW (Ta), 210W (Tc)2W (Ta), 89W (Tc)2.1W (Ta), 39.1W (Tc)2.2W (Ta)2.5W (Ta), 46W (Tc)3.1W (Ta), 89W (Tc)3.8W (Ta), 130W (Tc)4.8W (Ta), 62.5W (Tc)35W (Tc)38W (Tc)39W (Tc)44.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 185°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)175°C-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PDFN (3.1x3.1)8-PDFN (5x6)8-PPAK (3.1x3.1)8-PPAK (4.89x5.74)8-PQFN (3.3x3.3)8-SOP avanzado (5x5)D2PAKD2PAK-7D3PAKDPAKLFPAK33LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja (carcasa)
6-PowerVDFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNMódulo 22-PowerBSOPConductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AAConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AASC-100, SOT-669SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)TO-220-3TO-220-3 paquete completoTO-247-3TO-247-3 variante
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
97Resultados
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Demostración
de 97
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
35,415
En stock
1 : $1.33000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.32301
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
64 A (Tc)
4.5V, 10V
8.5mOhm a 14A, 10V
2.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3234 pF @ 15 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PDFN (3.1x3.1)
8-PowerWDFN
PG-TDSON-8-7
BSC065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Infineon Technologies
8,902
En stock
1 : $2.03000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.55850
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
64 A (Tc)
4.5V, 10V
6.5mOhm a 32A, 10V
2.3V a 20µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1800 pF @ 30 V
-
46W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
3,682
En stock
1 : $2.65000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.80625
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
64 A (Tc)
8V, 10V
9mOhm a 32A, 10V
4.3V a 1mA
44 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 75 V
-
960mW (Ta), 210W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
TO-220AB Full Pack
IRFI3205PBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
Infineon Technologies
3,998
En stock
1 : $3.57000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
64 A (Tc)
10V
8mOhm a 34A, 10V
4V a 250µA
170 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB, paquete completo
TO-220-3 paquete completo
FDMC007N08LCDC
FDMC007N08LCDC
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
onsemi
687
En stock
1 : $4.06000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.43900
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
64 A (Tc)
4.5V, 10V
6.8mOhm a 22A, 10V
2.5V a 130µA
44 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 40 V
-
57W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
PG-TO263-3-2
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Infineon Technologies
2,686
En stock
1 : $7.04000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.01425
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
64 A (Tc)
10V
20mOhm a 64A, 10V
4V a 270µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Infineon Technologies
2,050
En stock
1 : $8.37000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.79088
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
64 A (Tc)
10V
20mOhm a 64A, 10V
4V a 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-264
IXFK64N60P3
MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Littelfuse Inc.
414
En stock
1 : $16.76000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
64 A (Tc)
10V
95mOhm a 32A, 10V
5V a 4mA
145 nC @ 10 V
±30V
9900 pF @ 25 V
-
1130W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264AA (IXFK)
TO-264-3, TO-264AA
PG-TO263-7-12
IMBG65R022M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
1,654
En stock
1 : $17.43000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $9.85150
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
64 A (Tc)
18V
30mOhm a 41.1A, 18V
5.7V a 12.3mA
67 nC @ 18 V
+23V, -5V
2288 pF @ 400 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0065090J
C3M0040120J1
1200V 40 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
353
En stock
1 : $28.01000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
64 A (Tc)
15V
53.5mOhm a 33.3A, 15V
3.6V a 9.2mA
94 nC @ 15 V
+15V, -4V
2900 pF @ 1000 V
-
272W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-220AB PKG
IRFZ48NPBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Infineon Technologies
2,806
En stock
1 : $1.75000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
64 A (Tc)
10V
14mOhm a 32A, 10V
4V a 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 25 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y14-40PX
MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
351
En stock
1 : $1.78000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.52300
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
64 A (Tc)
4.5V, 10V
14mOhm a 10.8A, 10V
3V a 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 20 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PG-TDSON-8-7
BSC066N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Infineon Technologies
7,333
En stock
1 : $1.88000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.50338
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
64 A (Tc)
6V, 10V
6.6mOhm a 50A, 10V
3.3V a 20µA
21 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
2.5W (Ta), 46W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ48NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Infineon Technologies
30,014
En stock
1 : $2.21000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.62808
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
64 A (Tc)
10V
14mOhm a 32A, 10V
4V a 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 25 V
-
3.8W (Ta), 130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO220-3-1
IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Infineon Technologies
5,581
En stock
1 : $7.47000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
64 A (Tc)
10V
20mOhm a 64A, 10V
4V a 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-D2PAK
IXTA64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
Littelfuse Inc.
144
En stock
350
Fábrica
1 : $13.27000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
64 A (Tc)
10V
32mOhm a 500mA, 10V
4.5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±30V
3620 pF @ 25 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
LFPAK33
BUK9M9R1-40EX
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,194
En stock
1 : $1.34000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.37448
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
64 A (Tc)
5V
7.3mOhm a 20A, 10V
2.1V a 1mA
16.2 nC @ 5 V
±10V
2048 pF @ 25 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
TO-263 (D2Pak)
SUM90220E-GE3
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
Vishay Siliconix
730
En stock
1 : $3.42000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.20081
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
64 A (Tc)
7.5V, 10V
21.6mOhm a 15A, 10V
4V a 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 100 V
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247
IXTH64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO247
Littelfuse Inc.
222
En stock
1 : $8.67000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
64 A (Tc)
10V
32mOhm a 32A, 10V
4.5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-247-3 Variant
IXFX64N60P3
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
959
En stock
1 : $10.85000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
64 A (Tc)
10V
95mOhm a 32A, 10V
5V a 4mA
145 nC @ 10 V
±30V
9900 pF @ 25 V
-
1130W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PLUS247™-3
TO-247-3 variante
UF3C120080B7S
UJ4C075023B7S
750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Qorvo
978
En stock
1 : $13.47000
Cinta cortada (CT)
800 : $9.02500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
64 A (Tc)
12V
29mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247-3 Variant
IXFX64N60P
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
787
En stock
1 : $16.60000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
64 A (Tc)
10V
96mOhm a 500mA, 10V
5V a 8mA
200 nC @ 10 V
±30V
12000 pF @ 25 V
-
1040W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PLUS247™-3
TO-247-3 variante
TO-220
IXTP64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Littelfuse Inc.
679
En stock
300
Fábrica
1 : $16.73000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
64 A (Tc)
10V
32mOhm a 32A, 10V
4.5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 Variant
IXFX64N50Q3
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
IXYS
320
En stock
1 : $25.46000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
64 A (Tc)
10V
85mOhm a 32A, 10V
6.5V a 4mA
145 nC @ 10 V
±30V
6950 pF @ 25 V
-
1000W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PLUS247™-3
TO-247-3 variante
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN6R5-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
11,480
En stock
1 : $1.07000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.28901
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
64 A (Tc)
4.5V, 10V
6.5mOhm a 20A, 10V
1.95V a 1mA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1093 pF @ 12 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
Demostración
de 97

64 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.