600mA (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	707,794 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04830 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	600mA (Ta)	1.8V, 4.5V	900mOhm a 430mA, 4.5V	1V a 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMP10A13FQTA MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23 Diodes Incorporated	26,255 En stock 1,026,000 Fábrica	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.27195 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	600mA (Ta)	6V, 10V	1Ohm a 600mA, 10V	4V a 250µA	1.8 nC @ 5 V	±20V	141 pF @ 50 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMP10A13FTA MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	29,124 En stock 468,000 Fábrica	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20284 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	600mA (Ta)	6V, 10V	1Ohm a 600mA, 10V	4V a 250µA	3.5 nC @ 10 V	±20V	141 pF @ 50 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJE8403_R1_00001 SOT-523, MOSFET Panjit International Inc.	26,305 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.06080 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	600mA (Ta)	1.8V, 4.5V	340mOhm a 600mA, 4.5V	1V a 250µA	2.2 nC @ 4.5 V	±8V	151 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523 conductores planos	SC-89, SOT-490
PMZ600UNEZ MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Nexperia USA Inc.	22,833 En stock Este producto tiene un límite de compra máximo.	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04490 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	600mA (Ta)	1.2V, 4.5V	620mOhm a 600mA, 4.5V	950mV a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	21.3 pF @ 10 V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-883	SC-101, SOT-883
IRF5801TRPBF MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 Infineon Technologies	4,283 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14790 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	600mA (Ta)	10V	2.2Ohm a 360mA, 10V	5.5V a 250µA	3.9 nC @ 10 V	±30V	88 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro6™(TSOP-6)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
ZVN4206A MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3 Diodes Incorporated	1,738 En stock 32,000 Fábrica	1 : $1.03000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	600mA (Ta)	5V, 10V	1Ohm a 1.5A, 10V	3V a 1mA	-	±20V	100 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVNL110GTA MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 Diodes Incorporated	3,902 En stock 18,000 Fábrica	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.38964 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	600mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.5V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
DMN2550UFA-7B MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN Diodes Incorporated	8,662 En stock 260,000 Fábrica	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05202 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	600mA (Ta)	1.5V, 4.5V	450mOhm a 200mA, 4.5V	1V a 250µA	0.88 nC @ 4.5 V	±8V	52.5 pF @ 16 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
DMP21D6UFD-7 MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN Diodes Incorporated	30,041 En stock 999,000 Fábrica	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05355 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	600mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 250µA	0.8 nC @ 8 V	±8V	46.1 pF @ 10 V	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1212-3	3-UDFN
ZVN4206AV MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3 Diodes Incorporated	4,630 En stock 16,000 Fábrica	1 : $0.98000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	600mA (Ta)	5V, 10V	1Ohm a 1.5A, 10V	3V a 1mA	-	±20V	100 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN4206AVSTZ MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Diodes Incorporated	6,724 En stock 24,000 Fábrica	2,000 : $0.28866 Cinta y caja 1 : $1.06000 Cinta cortada (CT)	-	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	600mA (Ta)	5V, 10V	1Ohm a 1.5A, 10V	3V a 1mA	-	±20V	100 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
PMH850UPEH MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3 Nexperia USA Inc.	2,538 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06140 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	600mA (Ta)	1.5V, 4.5V	1Ohm a 500mA, 4.5V	950mV a 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±8V	62.2 pF @ 15 V	-	660mW (Ta), 2.23W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN0606-3	3-XFDFN
ZVN4206ASTZ MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE Diodes Incorporated	2,000 En stock 48,000 Fábrica	2,000 : $0.31556 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	600mA (Ta)	5V, 10V	1Ohm a 1.5A, 10V	3V a 1mA	-	±20V	100 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
2N7002-CT MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23 Analog Power Inc.	7,200 Mercado	1 : $0.45000 Tira	-	-	Tira	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	600mA (Ta)	4.5V, 10V	3Ohm a 600mA, 10V	1V a 250µA	4 nC @ 4.5 V	±20V	474 pF @ 15 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDG361N MOSFET N-CH 100V 600MA SC88 Fairchild Semiconductor	98,270 Mercado	466 : $0.64000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	600mA (Ta)	6V, 10V	500mOhm a 600mA, 10V	4V a 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	153 pF @ 50 V	-	420mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-88 (SC-70-6)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1302DL-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Vishay Siliconix	6,020 En stock	1 : $0.69000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15917 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	600mA (Ta)	4.5V, 10V	480mOhm a 600mA, 10V	3V a 250µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	-	-	280mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3	SC-70, SOT-323
SI1302DL-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Vishay Siliconix	5,112 En stock	1 : $0.69000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15917 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	600mA (Ta)	4.5V, 10V	480mOhm a 600mA, 10V	3V a 250µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	-	-	280mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3	SC-70, SOT-323
IRFD9113 -0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL Harris Corporation	1,090 Mercado	330 : $0.91000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	600mA (Ta)	-	1.6Ohm a 300mA, 10V	-	15 nC @ 15 V	-	250 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Orificio pasante	4-DIP, Hexdip, HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFD210 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL Harris Corporation	494 Mercado	224 : $1.34000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	600mA (Ta)	10V	1.5Ohm a 360mA, 10V	4V a 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	4-DIP, Hexdip, HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
FMOSG0P6N03E-H MOSFET Formosa Microsemi Co., Ltd.	30,000 Mercado	3,000 : $0.01640 Cinta y rollo (TR)	-	*	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	-	600mA (Ta)	4.5V, 2.5V	500mOhm a 500mA, 4.5V	1.5V a 250µA	-	±12V	-	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
PJE8404_R1_00001 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	605 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.07047 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	600mA (Ta)	1.8V, 4.5V	220mOhm a 600mA, 4,5V	1.3V a 250µA	1.5 nC @ 4.5 V	±8V	93 pF @ 15 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
AM2335P MOSFET P-CH 250V 0.6A SOT-23 Analog Power Inc.	644 Mercado	1 : $0.27000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	250 V	600mA (Ta)	5.5V, 10V	2.7Ohm a 500mA, 10V	1V a 250µA	4.4 nC @ 5.5 V	±20V	313 pF @ 15 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1302DL-T1-BE3 MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Vishay Siliconix	53 En stock	1 : $0.69000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15917 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	600mA (Ta)	-	480mOhm a 600mA, 10V	3V a 250µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	-	-	280mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3	SC-70, SOT-323
BSS138N-CT MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23 Analog Power Inc.	1,000 Mercado	1 : $0.39000 Tira	-	*	Tira	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	600mA (Ta)	4.5V, 10V	2.5Ohm a 500mA, 10V	1V a 250µA	4.6 nC @ 4.5 V	±25V	330 pF @ 15 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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