600mA (Ta) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
125,695
En stock
1,392,000
Fábrica
1 : $0.84000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.20284
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
600mA (Ta)
6V, 10V
1Ohm a 600mA, 10V
4V a 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP10A13FQTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
Diodes Incorporated
19,033
En stock
327,000
Fábrica
1 : $1.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.28578
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
600mA (Ta)
6V, 10V
1Ohm a 600mA, 10V
4V a 250µA
1.8 nC @ 5 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
44,608
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.05324
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.8V, 4.5V
340mOhm a 600mA, 4.5V
1V a 250µA
2.2 nC @ 4.5 V
±8V
151 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523 conductores planos
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
903,456
En stock
783,000
Fábrica
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04369
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.8V, 4.5V
900mOhm a 430mA, 4.5V
1V a 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC856BMBYL
PMZB600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
187,622
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05317
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.2V, 4.5V
620mOhm a 600mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN1006B-3
3-XFDFN
3-UDFN
DMP21D6UFD-7
MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Diodes Incorporated
18,727
En stock
3,507,000
Fábrica
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06258
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.2V, 4.5V
1Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 250µA
0.8 nC @ 8 V
±8V
46.1 pF @ 10 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X1-DFN1212-3
3-UDFN
SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Vishay Siliconix
61,589
En stock
1 : $0.69000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12734
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
600mA (Ta)
4.5V, 10V
480mOhm a 600mA, 10V
3V a 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
-
-
280mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3
SC-70, SOT-323
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5801TRPBF
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Infineon Technologies
7,736
En stock
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17736
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
600mA (Ta)
10V
2.2Ohm a 360mA, 10V
5.5V a 250µA
3.9 nC @ 10 V
±30V
88 pF @ 25 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
ZX5T851A
ZVN4206AVSTZ
MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Diodes Incorporated
7,474
En stock
28,000
Fábrica
2,000 : $0.30025
Cinta y caja
1 : $1.13000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
600mA (Ta)
5V, 10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3V a 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
E-Line (compatible con TO-92)
E-Line-3
ZVN4306A
ZVN4206A
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Diodes Incorporated
4,115
En stock
8,000
Fábrica
1 : $1.13000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
600mA (Ta)
5V, 10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3V a 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN4306A
ZVN4206AV
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Diodes Incorporated
655
En stock
4,000
Fábrica
1 : $1.13000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
600mA (Ta)
5V, 10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3V a 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
SOT-223-3
ZVNL110GTA
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
Diodes Incorporated
4,452
En stock
1 : $1.46000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.43874
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
600mA (Ta)
5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
1.5V a 1mA
-
±20V
75 pF @ 25 V
-
1.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
BC856BMBYL
PMZB600UNEYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
29,123
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05042
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.2V, 4.5V
620mOhm a 600mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN1006B-3
3-XFDFN
SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Vishay Siliconix
24,634
En stock
1 : $0.69000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15917
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
600mA (Ta)
4.5V, 10V
480mOhm a 600mA, 10V
3V a 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
-
-
280mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SOT-883
PMZ600UNEZ
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
8,505
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03861
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.2V, 4.5V
620mOhm a 600mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
DMN1260UFA-7B
DMN2550UFA-7B
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Diodes Incorporated
9,225
En stock
260,000
Fábrica
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05756
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
600mA (Ta)
1.5V, 4.5V
450mOhm a 200mA, 4.5V
1V a 250µA
0.88 nC @ 4.5 V
±8V
52.5 pF @ 16 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
NX138AKHH
PMH850UPEH
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
4,063
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05934
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
600mA (Ta)
1.5V, 4.5V
1Ohm a 500mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
62.2 pF @ 15 V
-
660mW (Ta), 2.23W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN0606-3
3-XFDFN
ONSONSMBD54DWT1G
FDG361N
MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Fairchild Semiconductor
98,270
Mercado
683 : $0.44000
Granel
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
600mA (Ta)
6V, 10V
500mOhm a 600mA, 10V
4V a 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
153 pF @ 50 V
-
420mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-88 (SC-70-6)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
2N7002-CT
2N7002-CT
MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Analog Power Inc.
7,880
Mercado
1 : $0.45000
Tira
-
Tira
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
600mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 600mA, 10V
1V a 250µA
4 nC @ 4.5 V
±20V
474 pF @ 15 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFD9113
IRFD9113
-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
Harris Corporation
1,090
Mercado
485 : $0.62000
Granel
-
Granel
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
600mA (Ta)
-
1.6Ohm a 300mA, 10V
-
15 nC @ 15 V
-
250 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
Orificio pasante
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
4-DIP (0.300", 7.62mm)
SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Vishay Siliconix
3,003
En stock
1 : $0.69000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15917
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
600mA (Ta)
-
480mOhm a 600mA, 10V
3V a 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
-
-
280mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3
SC-70, SOT-323
0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
IRFD210
0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Harris Corporation
1,014
Mercado
329 : $0.91000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
600mA (Ta)
10V
1.5Ohm a 360mA, 10V
4V a 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
4-DIP (0.300", 7.62mm)
4-DIP
IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
3,721
En stock
1 : $1.93000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
600mA (Ta)
10V
1.5Ohm a 360mA, 10V
4V a 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
4-HVMDIP
4-DIP (0.300", 7.62mm)
2N7002
2N7002
MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Analog Power Inc.
7,900
Mercado
3,000 : $0.12013
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
600mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 600mA, 10V
1V a 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
474 pF @ 15 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AM2335P
AM2335P
MOSFET P-CH 250V 0.6A SOT-23
Analog Power Inc.
1,850
Mercado
1 : $0.27000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
600mA (Ta)
5.5V, 10V
-
1V a 250µA
4.4 nC @ 5.5 V
±20V
313 pF @ 15 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 53

600mA (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.