6-PowerUDFN FET simple, MOSFET

Resultados : 59
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
59Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 59
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
U-FDFN 2523-6
DMP2018LFK-7
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
22,089
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13755
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
9.2 A (Ta)
1.5V, 4.5V
16mOhm a 3.6A, 4.5V
1.2V a 200µA
113 nC @ 10 V
±12V
4748 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2523-6
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Diodes Incorporated
113,455
En stock
822,000
Fábrica
1 : $0.73000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15606
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
12 V
11 A (Ta)
1.2V, 4.5V
10mOhm a 9.7A, 4.5V
800mV a 250µA
50.6 nC @ 8 V
±8V
2425 pF @ 10 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
33,846
En stock
4,071,000
Fábrica
1 : $0.79000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15855
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
3.3 A (Ta)
4.5V, 10V
33mOhm a 4.4A, 10V
2.2V a 250µA
23.2 nC @ 10 V
±20V
1382 pF @ 20 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN3016LFDE-13
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Diodes Incorporated
28,662
En stock
260,000
Fábrica
1 : $0.56000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.09384
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
10 A (Ta)
4.5V, 10V
12mOhm a 11A, 10V
2V a 250µA
25.1 nC @ 10 V
±20V
1415 pF @ 15 V
-
730mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Diodes Incorporated
13,588
En stock
1 : $0.56000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10812
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
10 A (Ta)
4.5V, 10V
12mOhm a 11A, 10V
2V a 250µA
25.1 nC @ 10 V
±20V
1415 pF @ 15 V
-
730mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP4047LFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
1,830
En stock
123,000
Fábrica
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13744
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
6.5 A (Ta)
4.5V, 10V
34mOhm a 4.4A, 10V
2.2V a 250µA
24.9 nC @ 10 V
±20V
1265 pF @ 20 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP3028LFDE-13
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Diodes Incorporated
438,970
En stock
100,000
Fábrica
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.13230
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6.8 A (Ta)
4.5V, 10V
32mOhm a 7A, 10V
2.4V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1241 pF @ 15 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP3028LFDE-7
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Diodes Incorporated
86,404
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13230
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6.8 A (Ta)
4.5V, 10V
32mOhm a 7A, 10V
2.4V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1241 pF @ 15 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP3026SFDE-7
MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,400
En stock
63,000
Fábrica
1 : $0.73000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14281
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
10.4 A (Ta)
4V, 10V
19mOhm a 4.5A, 10V
3V a 250µA
19.6 nC @ 10 V
±25V
1204 pF @ 15 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN30H4D0LFDE-7
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Diodes Incorporated
7,638
En stock
228,000
Fábrica
1 : $0.78000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17340
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
550mA (Ta)
2.7V, 10V
4Ohm a 300mA, 10V
2.8V a 250µA
7.6 nC @ 10 V
±20V
187.3 pF @ 25 V
-
630mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN2011UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Diodes Incorporated
40,172
En stock
81,000
Fábrica
1 : $0.99000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.21114
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
11.7 A (Ta)
1.5V, 4.5V
9.5mOhm a 7A, 4.5V
1V a 250µA
56 nC @ 10 V
±12V
2248 pF @ 10 V
-
610mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
UT6JE5TCR
RF4G060ATTCR
PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Rohm Semiconductor
940
En stock
1 : $1.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.33212
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
6 A (Ta)
4.5V, 10V
40mOhm a 6A, 10V
2.5V a 1mA
17.2 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 20 V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
HUML2020L8
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN4020LFDE-7
MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Diodes Incorporated
5,802
En stock
75,000
Fábrica
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16320
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
8 A (Ta)
4.5V, 10V
20mOhm a 8A, 10V
2.4V a 250µA
19.1 nC @ 10 V
±20V
1060 pF @ 20 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP2021UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Diodes Incorporated
1,466
En stock
1,845,000
Fábrica
1 : $0.81000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.19186
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
11.1 A (Ta)
1.5V, 4.5V
16mOhm a 7A, 4.5V
1V a 250µA
59 nC @ 8 V
±10V
2760 pF @ 15 V
-
1.9W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN6040SFDE-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
15,414
En stock
1 : $0.86000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17442
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
5.3 A (Ta)
4.5V, 10V
38mOhm a 4.3A, 10V
3V a 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
UT6JE5TCR
RF4L040ATTCR
PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Rohm Semiconductor
5,937
En stock
1 : $1.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.32760
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4 A (Ta)
4.5V, 10V
89mOhm a 4A, 10V
2.5V a 1mA
17.3 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 30 V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
HUML2020L8
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP25H18DLFDE-7
MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Diodes Incorporated
14,281
En stock
276,000
Fábrica
1 : $1.94000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.57000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
250 V
260mA (Ta)
3.5V, 10V
14Ohm a 200mA, 10V
2.5V a 1mA
2.8 nC @ 10 V
±40V
81 pF @ 25 V
-
600mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN2015UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,960
En stock
30,000
Fábrica
1 : $0.78000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17340
Cinta y rollo (TR)
1 : $0.78000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
10.5 A (Ta)
1.5V, 4.5V
11.6mOhm a 8.5A, 4.5V
1.1V a 250µA
45.6 nC @ 10 V
±12V
1779 pF @ 10 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP2039UFDE-7
MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,906
En stock
60,000
Fábrica
1 : $0.69000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13230
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
25 V
6.7 A (Ta)
1.8V, 4.5V
27mOhm a 6.4A, 4.5V
1V a 250µA
48.7 nC @ 8 V
±8V
2530 pF @ 15 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP3026SFDE-13
MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Diodes Incorporated
9,746
En stock
50,000
Fábrica
1 : $0.73000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.14100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
10.4 A (Ta)
4V, 10V
19mOhm a 4.5A, 10V
3V a 250µA
19.6 nC @ 10 V
±25V
1204 pF @ 15 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMN10H170SFDE-7
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,843
En stock
267,000
Fábrica
1 : $0.77000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16830
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
2.9 A (Ta)
4.5V, 10V
160mOhm a 5A, 10V
3V a 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
U-FDFN 2523-6
DMP3013SFK-7
MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
Diodes Incorporated
2,488
En stock
3,000
Fábrica
1 : $0.99000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24360
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
-
-
-
10.5 A (Ta)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2523-6
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP1022UFDEQ-7
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Diodes Incorporated
705
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.25861
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
9.1 A (Ta)
1.2V, 4.5V
16mOhm a 8.2A, 4.5V
800mV a 250µA
42.6 nC @ 5 V
±8V
2953 pF @ 4 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
U-FDFN 2523-6
DMP3018SFK-7
MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,548
En stock
111,000
Fábrica
1 : $1.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.32865
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
10.2 A (Ta)
4.5V, 10V
14.5mOhm a 9.5A, 10V
3V a 250µA
90 nC @ 10 V
±25V
4414 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2523-6
6-PowerUDFN
DMP3026SFDE-7
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
331
En stock
12,000
Fábrica
1 : $0.66000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15373
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
36mOhm a 4.6A, 4.5V
1.1V a 250µA
14.4 nC @ 4.5 V
±12V
1537 pF @ 10 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
Demostración
de 59

6-PowerUDFN FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.