6.7 A (Ta) FET simple, MOSFET

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de 16
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252AA
FDD306P
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
onsemi
6,085
En stock
1 : $1.01000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.38850
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
6.7 A (Ta)
1.8V, 4.5V
28mOhm a 6.7A, 4.5V
1.5V a 250µA
21 nC @ 4.5 V
±8V
1290 pF @ 6 V
-
52W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SI9407BDY-T1-GE3
SI4896DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Vishay Siliconix
3,602
En stock
1 : $2.01000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.13750
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
6.7 A (Ta)
6V, 10V
16.5mOhm a 10A, 10V
2V a 250µA (mín.)
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.56W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SI9407BDY-T1-GE3
SI4896DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Vishay Siliconix
4,098
En stock
1 : $2.32000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.13750
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
6.7 A (Ta)
6V, 10V
16.5mOhm a 10A, 10V
2V a 250µA (mín.)
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.56W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
DMP3026SFDE-7
DMP2039UFDE-7
MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,906
En stock
45,000
Fábrica
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14490
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
25 V
6.7 A (Ta)
1.8V, 4.5V
27mOhm a 6.4A, 4.5V
1V a 250µA
48.7 nC @ 8 V
±8V
2530 pF @ 15 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico E)
6-PowerUDFN
2DB1184Q-13
DMP4025LK3-13
MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252
Diodes Incorporated
4,800
En stock
10,000
Fábrica
1 : $0.94000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.26775
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
6.7 A (Ta)
4.5V, 10V
25mOhm a 3A, 10V
1.8V a 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 20 V
-
1.7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMP4025LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Diodes Incorporated
2,027
En stock
1 : $1.35000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.34493
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
6.7 A (Ta)
4.5V, 10V
25mOhm a 3A, 10V
1.8V a 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 20 V
-
1.7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRG4RC10UTRPBF
FDD2512
MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Fairchild Semiconductor
9,940
Mercado
304 : $0.99000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
6.7 A (Ta)
6V, 10V
420mOhm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 75 V
-
42W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS3170N7
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Fairchild Semiconductor
179
Mercado
179 : $2.06000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
6.7 A (Ta)
6V, 10V
26mOhm a 6.7A, 10V
4V a 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
2714 pF @ 50 V
-
3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
TSOT-26
DMN2040UVT-7
MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
966
En stock
30,000
Fábrica
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07344
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.7 A (Ta)
2.5V, 4.5V
24mOhm a 6.2A, 4.5V
1.5V a 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±8V
667 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSOT-26
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
TSOT-26
DMN2040UVT-13
MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
10,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.07963
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.7 A (Ta)
2.5V, 4.5V
24mOhm a 6.2A, 4.5V
1.5V a 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±8V
667 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSOT-26
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
4,000 : $0.13833
Granel
-
-
Granel
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.7 A (Ta)
2.7V, 4.5V
40mOhm a 3.2A, 4.5V
550mV a 250µA
8.5 nC @ 10 V
±12V
1500 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
TO-252AA
FDD2512
MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
onsemi
0
En stock
2,500 : $0.71359
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
6.7 A (Ta)
6V, 10V
420mOhm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 75 V
-
42W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRF7404TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $0.94000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.35737
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.7 A (Ta)
2.7V, 4.5V
40mOhm a 3.2A, 4.5V
700mV a 250µA (mín.)
50 nC @ 4.5 V
±12V
1500 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
IRF7404QTRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.7 A (Ta)
-
40mOhm a 3.2A, 4.5V
700mV a 250µA (mín.)
50 nC @ 4.5 V
-
1500 pF @ 15 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
IRF7404PBF
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Infineon Technologies
0
En stock
Discontinuo en Digi-Key
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Discontinuo en Digi-Key
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.7 A (Ta)
2.7V, 4.5V
40mOhm a 3.2A, 4.5V
700mV a 250µA (mín.)
50 nC @ 4.5 V
±12V
1500 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
FDS3170N7
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
6.7 A (Ta)
6V, 10V
26mOhm a 6.7A, 10V
4V a 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
2714 pF @ 50 V
-
3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO FLMP
Placa descubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm ancho)
Demostración
de 16

6.7 A (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.