6.5 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 79
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT223-3L
STN4NF03L
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
STMicroelectronics
12,634
En stock
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.28254
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6.5 A (Tc)
5V, 10V
50mOhm a 2A, 10V
1V a 250µA
9 nC @ 10 V
±16V
330 pF @ 25 V
-
3.3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
44,124
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10953
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6.5 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 6A, 10V
2.5V a 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT223
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Infineon Technologies
8,072
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23970
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
6.5 A (Tc)
10V
750mOhm a 1.4A, 10V
3.5V a 70µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
306 pF @ 400 V
-
6.7W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
BSS138
TSM260P02CX RFG
-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Taiwan Semiconductor Corporation
11,298
En stock
1 : $0.65000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17745
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.5 A (Tc)
1.8V, 2.5V, 4.5V
26mOhm a 5A, 4.5V
1V a 250µA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1670 pF @ 15 V
-
1.56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
-
9,154
En stock
1 : $0.81000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.24684
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
6.5 A (Tc)
4.5V, 10V
95mOhm a 5A, 10V
2.5V a 250µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
9W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
SIHP23N60E-GE3
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Vishay Siliconix
963
En stock
1 : $1.80000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
6.5 A (Tc)
10V
800mOhm a 3.9A, 10V
4V a 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3
IRF9630STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Vishay Siliconix
1,021
En stock
1 : $3.07000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.27244
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
6.5 A (Tc)
10V
800mOhm a 3.9A, 10V
4V a 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
DPAK
STD7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
STMicroelectronics
1,781
En stock
1 : $3.49000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.60088
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
6.5 A (Tc)
10V
1.05Ohm a 3.25A, 10V
5V a 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 25 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PQFN_8x8
TP65H300G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Transphorm
6,346
En stock
1 : $4.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.65479
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
6.5 A (Tc)
8V
312mOhm a 5A, 8V
2.6V a 500µA
9.6 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
21W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
3-PQFN (8x8)
3-PowerDFN
TO-220-3
STP8NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
STMicroelectronics
996
En stock
1 : $5.41000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
6.5 A (Tc)
10V
1.85Ohm a 3.15A, 10V
4.5V a 100µA
102 nC @ 10 V
±30V
2180 pF @ 25 V
-
160W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
19,992
En stock
1 : $0.82000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17179
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.5 A (Tc)
1.8V, 4.5V
26mOhm a 5A, 4.5V
1V a 250µA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1670 pF @ 15 V
-
1.56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-26
SOT-23-6
PG-TO252-3-313
IPD25DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Infineon Technologies
735
En stock
1 : $1.17000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.29505
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
6.5 A (Tc)
10V
250mOhm a 6.5A, 10V
4V a 270µA
10.6 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 30 V
-
28W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8 PowerVDFN
STL13N65M2
MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,453
En stock
1 : $2.69000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.79114
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
6.5 A (Tc)
10V
475mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6) HV
8-PowerVDFN
TO-263-3
IRF9630SPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Vishay Siliconix
3,440
En stock
1 : $2.88000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
6.5 A (Tc)
10V
800mOhm a 3.9A, 10V
4V a 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220FP
STF7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP
STMicroelectronics
464
En stock
1 : $5.05000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
6.5 A (Tc)
10V
1.05Ohm a 3.25A, 10V
5V a 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 25 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
11,507
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14790
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6.5 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 6A, 10V
2.5V a 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-26
SOT-23-6
SIHP050N60E-GE3
IRF9630PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Vishay Siliconix
1,770
En stock
1 : $1.18000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
6.5 A (Tc)
-
800mOhm a 3.9A, 10V
4V a 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
DPAK
STD9NM60N
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
STMicroelectronics
2,335
En stock
1 : $1.89000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.99825
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6.5 A (Tc)
10V
745mOhm a 3.25A, 10V
4V a 250µA
17.4 nC @ 10 V
±25V
452 pF @ 50 V
-
70W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TSMT6
RQ6C065BCTCR
MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
6,000
En stock
1 : $0.79000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.25500
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.5 A (Tc)
4.5V
21mOhm a 6.5A, 4.5V
1.2V a 1mA
22 nC @ 4.5 V
±8V
1520 pF @ 10 V
-
1.25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSMT6 (SC-95)
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
TO-263-3
SIHF9630STRL-GE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Vishay Siliconix
783
En stock
1 : $1.87000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.59583
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
6.5 A (Tc)
10V
800mOhm a 3.9A, 10V
4V a 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TP65H300G4LSGB-TR
TP65H300G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Transphorm
2,838
En stock
1 : $4.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.43750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
6.5 A (Tc)
6V
312mOhm a 6.5A, 6V
2.8V a 500µA
8.8 nC @ 10 V
±12V
730 pF @ 400 V
-
21W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (8x8)
Placa descubierta 8-VDFN
SSF2307
SSF2307
MOSFET, P-CH, SINGLE, -6.50A, -2
Good-Ark Semiconductor
8,376
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05969
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.5 A (Tc)
1.8V, 4.5V
23mOhm a 5A, 4.5V
1V a 250µA
29 nC @ 4.5 V
±10V
2430 pF @ 15 V
-
1.56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6L
SOT-23-6
PG-TO251-3
IPSA70R750P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Infineon Technologies
0
En stock
2,832
Mercado
1,500 : $0.32950
Tubo
1,019 : $0.29000
Granel
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Granel
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
6.5 A (Tc)
10V
750mOhm a 1.4A, 10V
3.5V a 70µA
8.3 nC @ 400 V
±16V
306 pF @ 400 V
-
34.7W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO251-3
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
BAT54
SSF3912S
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 30V-
Good-Ark Semiconductor
8,945
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07788
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6.5 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 6A, 10V
2.5V a 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
1.56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BYR29X-600,127
IRFS630A
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
55,970
Mercado
683 : $0.44000
Granel
-
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
6.5 A (Tc)
10V
400mOhm a 3.25A, 10V
4V a 250µA
29 nC @ 10 V
±30V
650 pF @ 25 V
-
38W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F
TO-220-3 paquete completo
Demostración
de 79

6.5 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.