6.2A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
FDD7N25LZTM MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK onsemi	8,172 En stock	1 : $1.32000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.34734 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	UniFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	6.2A (Tc)	5V, 10V	550mOhm a 3.1A, 10V	2V a 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	635 pF @ 25 V	-	56W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFBC40PBF MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Vishay Siliconix	479 En stock	1 : $3.21000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFBC40APBF MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Vishay Siliconix	896 En stock	1 : $3.21000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	1036 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
STP8NK80Z MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB STMicroelectronics	794 En stock	1 : $4.33000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	6.2A (Tc)	10V	1.5Ohm a 3.1A, 10V	4.5V a 100µA	46 nC @ 10 V	±30V	1320 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STW8NK80Z MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3 STMicroelectronics	544 En stock	1 : $4.71000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	6.2A (Tc)	10V	1.5Ohm a 3.1A, 10V	4.5V a 100µA	46 nC @ 10 V	±30V	1320 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IRFBC40LCPBF MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Vishay Siliconix	906 En stock	1 : $5.29000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
LSIC1MO170E0750 SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 Littelfuse Inc.	247 En stock	1 : $8.30000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	6.2A (Tc)	20V	1Ohm a 2A, 20V	4V a 1mA	13 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	60W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AD	TO-247-3
DMN2026UVT-7 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Diodes Incorporated	2,889 En stock	1 : $0.61000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13540 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6.2A (Tc)	2.5V, 4.5V	24mOhm a 6.2A, 4.5V	1.5V a 250µA	18.4 nC @ 8 V	±10V	887 pF @ 10 V	-	1.15W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSOT-26	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
IRFBC40PBF-BE3 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Vishay Siliconix	998 En stock	1 : $2.91000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	-	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFBC40LCPBF-BE3 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Vishay Siliconix	843 En stock	1 : $5.29000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	-	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFBC40STRLPBF MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Vishay Siliconix	169 En stock	1 : $5.33791 Cinta cortada (CT) 800 : $2.01500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 130W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRFBC40ASTRLPBF MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Vishay Siliconix	450 En stock	1 : $5.34000 Cinta cortada (CT) 800 : $2.01500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	1036 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FQD8N25TF MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK Fairchild Semiconductor	33,444 Mercado	413 : $0.73000 Granel	-	QFET®	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	6.2A (Tc)	10V	550mOhm a 3.1A, 10V	5V a 250µA	15 nC @ 10 V	±30V	530 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FQU8N25TU MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK Fairchild Semiconductor	5,629 Mercado	293 : $1.02000 Tubo	-	QFET®	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	6.2A (Tc)	10V	550mOhm a 3.1A, 10V	5V a 250µA	15 nC @ 10 V	±30V	530 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
FQB6N60TM MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Fairchild Semiconductor	19,124 Mercado	179 : $1.68000 Granel	-	QFET®	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.5Ohm a 3.1A, 10V	5V a 250µA	25 nC @ 10 V	±30V	1000 pF @ 25 V	-	3.13W (Ta), 130W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHFBC40AS-GE3 MOSFET N-CHANNEL 600V Vishay Siliconix	727 En stock	1 : $2.50000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	1036 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FQB6N70TM MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK Fairchild Semiconductor	3,322 Mercado	109 : $2.75000 Granel	-	QFET®	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	6.2A (Tc)	10V	1.5Ohm a 3.1A, 10V	5V a 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	1400 pF @ 25 V	-	3.13W (Ta), 142W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRFAF50 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	644 Mercado	38 : $8.00000 Granel	-	HEXFET®	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	900 V	6.2A (Tc)	10V	1.85Ohm a 6.2A, 10V	4V a 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-204AA (TO-3)	TO-204AA, TO-3
STP8NK80ZFP MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220FP STMicroelectronics	43 En stock	1 : $4.23000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	6.2A (Tc)	10V	1.5Ohm a 3.1A, 10V	4.5V a 100µA	46 nC @ 10 V	±30V	1320 pF @ 25 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
IRFBC40ASPBF MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Vishay Siliconix	71 En stock	1 : $5.33791 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	1036 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SFS9640 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Fairchild Semiconductor	666 Mercado	404 : $0.74000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	200 V	6.2A (Tc)	10V	500mOhm a 3.1A, 10V	4V a 250µA	59 nC @ 10 V	±30V	1585 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F	TO-220-3 paquete completo
IRFBC40APBF-BE3 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Vishay Siliconix	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $3.20829 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	-	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	1036 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFBC40SPBF MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Vishay Siliconix	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $5.34000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6.2A (Tc)	10V	1.2Ohm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 130W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
DMN2026UVT-13 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Diodes Incorporated	0 En stock 30,000 Fábrica Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.11603 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6.2A (Tc)	2.5V, 4.5V	24mOhm a 6.2A, 4.5V	1.5V a 250µA	18.4 nC @ 8 V	±10V	887 pF @ 10 V	-	1.15W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSOT-23-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
FQU8N25TU MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK onsemi	0 En stock	5,040 : $0.27820 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	QFET®	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	6.2A (Tc)	10V	550mOhm a 3.1A, 10V	5V a 250µA	15 nC @ 10 V	±30V	530 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	IPAK	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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