58 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
3,677
En stock
1 : $1.52000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.52000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
58 A (Tc)
4.5V, 10V
3.1mOhm a 29A, 10V
2.4V a 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
4670 pF @ 20 V
-
87W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO263-3
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Infineon Technologies
1,145
En stock
1 : $1.90000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.68034
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
58 A (Tc)
6V, 10V
12.3mOhm a 46A, 10V
3.5V a 46µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
94W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIR401DP-T1-GE3
SI7884BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,228
En stock
1 : $2.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.31250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
58 A (Tc)
4.5V, 10V
7.5mOhm a 16A, 10V
3V a 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
3540 pF @ 20 V
-
4.6W (Ta), 46W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-4
NTH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
615
En stock
2,250
Fábrica
1 : $19.59000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
58 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1762 pF @ 800 V
-
319W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SIR401DP-T1-GE3
SIRA14DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,995
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.38024
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
58 A (Tc)
4.5V, 10V
5.1mOhm a 10A, 10V
2.2V a 250µA
29 nC @ 10 V
+20V, -16V
1450 pF @ 15 V
-
3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
1,087
En stock
1 : $1.30000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.65000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
58 A (Tc)
4.5V, 10V
4.4mOhm a 29A, 10V
2.5V a 500µA
48.2 nC @ 10 V
±20V
3280 pF @ 30 V
-
87W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRF60R217
MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Infineon Technologies
4,624
En stock
1 : $1.55000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.47788
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
58 A (Tc)
6V, 10V
9.9mOhm a 35A, 10V
3.7V a 50µA
66 nC @ 10 V
±20V
2170 pF @ 25 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIR401DP-T1-GE3
SI7884BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,070
En stock
1 : $3.91000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.31250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
58 A (Tc)
4.5V, 10V
7.5mOhm a 16A, 10V
3V a 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
3540 pF @ 20 V
-
4.6W (Ta), 46W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
IMW65R030M1HXKSA1
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
204
En stock
1 : $12.88000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
58 A (Tc)
18V
42mOhm a 29.5A, 18V
5.7V a 8.8mA
48 nC @ 18 V
+20V, -2V
1643 pF @ 400 V
-
197W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
D2PAK-7
NVBG022N120M3S
SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
onsemi
1,025
En stock
12,800
Fábrica
1 : $26.67000
Cinta cortada (CT)
800 : $16.60400
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
58 A (Tc)
18V
30mOhm a 40A, 18V
4.4V a 20mA
148 nC @ 18 V
-
3200 pF @ 800 V
-
234W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-264 PKG
APL502LG
MOSFET N-CH 500V 58A TO264
Microchip Technology
75
En stock
1 : $54.84000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
58 A (Tc)
15V
90mOhm a 29A, 12V
4V a 2.5mA
-
±30V
9000 pF @ 25 V
-
730W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264 [L]
TO-264-3, TO-264AA
SQJA80EP-T1_GE3
SQJ858AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,795
En stock
1 : $1.71000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.44363
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
58 A (Tc)
4.5V, 10V
6.3mOhm a 14A, 10V
2.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 20 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-4
NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
221
En stock
1 : $19.71000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
58 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1762 pF @ 800 V
-
319W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SQJA80EP-T1_GE3
SQJ858AEP-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,893
En stock
1 : $1.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.52763
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
58 A (Tc)
-
6.3mOhm a 14A, 10V
2.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 20 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PSMNR82-30YLEX
BUK7Y13-40B,115
MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,470
En stock
1 : $1.48000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.42154
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
58 A (Tc)
10V
13mOhm a 25A, 10V
4V a 1mA
19 nC @ 10 V
±20V
1311 pF @ 25 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
SQJA60EP-T1_BE3
SQJ868EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
5,988
En stock
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.39603
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
58 A (Tc)
10V
7.35mOhm a 14A, 10V
3.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 20 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8 Dual
PowerPAK® SO-8 Dual
BUK7626-100B,118
BUK7613-60E,118
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,793
En stock
1 : $1.51000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.65338
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
58 A (Tc)
10V
13mOhm a 15A, 10V
4V a 1mA
22.9 nC @ 10 V
±20V
1730 pF @ 25 V
-
96W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3
NVHL050N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
onsemi
212
En stock
1 : $6.62000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
58 A (Tc)
10V
50mOhm a 29A, 10V
5V a 1.7mA
119 nC @ 10 V
±30V
4880 pF @ 400 V
-
403W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
STW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A TO247
STMicroelectronics
477
En stock
1 : $10.92000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
58 A (Tc)
10V
45mOhm a 29A, 10V
5V a 250µA
143 nC @ 10 V
±25V
6420 pF @ 100 V
-
330W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL050N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
onsemi
389
En stock
1 : $12.25000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
58 A (Tc)
10V
50mOhm a 29A, 10V
5V a 1.7mA
125 nC @ 10 V
±30V
5017 pF @ 400 V
-
378W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW69N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
STMicroelectronics
385
En stock
1 : $13.03000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
58 A (Tc)
10V
45mOhm a 29A, 10V
5V a 250µA
143 nC @ 10 V
±25V
6420 pF @ 100 V
-
330W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-3PF
STFW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
STMicroelectronics
135
En stock
1 : $14.78000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
58 A (Tc)
10V
45mOhm a 29A, 10V
5V a 250µA
143 nC @ 10 V
±25V
6420 pF @ 100 V
-
79W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3PF
TO-3P-3 paquete completo
PowerPAK-SO-8L
SQRS152ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,642
En stock
1 : $1.11000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.43350
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
58 A (Tc)
4.5V, 10V
5mOhm a 15A, 10V
2.2V a 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1633 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8SW
PowerPAK® SO-8
TO-247-3
NVHL050N65S3F
SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
onsemi
450
En stock
450
Fábrica
1 : $9.56000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
58 A (Tc)
10V
50mOhm a 29A, 10V
5V a 1.7mA
123 nC @ 10 V
±30V
5404 pF @ 400 V
-
403W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
448
En stock
1 : $9.81000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $5.91954
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
650 V
58 A (Tc)
15V, 20V
30mOhm a 27.9A, 20V
5.6V a 5.7mA
34 nC @ 18 V
+23V, -7V
1214 pF @ 400 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Demostración
de 92

58 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.