57 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 60
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8-WDFN
FDMC86184
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
onsemi
6,851
En stock
1 : $2.72000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.85913
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
6V, 10V
8.5mOhm a 21A, 10V
4V a 110µA
20 nC @ 6 V
±20V
2090 pF @ 50 V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
13,483
En stock
1 : $2.19000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.76488
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
10V
23mOhm a 28A, 10V
4V a 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220AB PKG
IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Infineon Technologies
2,141
En stock
1 : $2.32000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
10V
23mOhm a 28A, 10V
4V a 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
FDP150N10
MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
onsemi
476
En stock
1 : $3.31000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
10V
15mOhm a 49A, 10V
4.5V a 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
4760 pF @ 25 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
D2PAK-7
NTBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
onsemi
410
En stock
800
Fábrica
1 : $10.53000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.92425
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
57 A (Tc)
18V
54mOhm a 20A, 18V
4.4V a 10mA
75 nC @ 18 V
+22V, -10V
1700 pF @ 800 V
-
263W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PowerPak SO-8L
SQJA06EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,818
En stock
1 : $1.73000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.47286
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
57 A (Tc)
10V
8.7mOhm a 10A, 10V
3.5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 25 V
-
55W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
onsemi
431
En stock
1 : $4.44000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.78663
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
10V
15mOhm a 49A, 10V
4.5V a 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
4760 pF @ 25 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHP23N60E-GE3
SUP57N20-33-E3
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Vishay Siliconix
401
En stock
1 : $4.80000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
57 A (Tc)
10V
33mOhm a 30A, 10V
4V a 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 25 V
-
3.75W (Ta), 300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3
NTHL041N60S5H
NTHL041N60S5H
onsemi
825
En stock
3,150
Fábrica
1 : $11.23000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
57 A (Tc)
10V
41mOhm a 28.5A, 10V
4.3V a 6.7mA
108 nC @ 10 V
±30V
5840 pF @ 400 V
-
329W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
PSMNR82-30YLEX
PSMN9R1-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,484
En stock
1 : $0.88000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.25398
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
57 A (Tc)
4.5V, 10V
9.1mOhm a 15A, 10V
2.15V a 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
894 pF @ 15 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
BUK7M6R7-40HX
PSMN7R5-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,933
En stock
1 : $0.97000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.23460
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
57 A (Tc)
4.5V, 10V
7.6mOhm a 15A, 10V
2.2V a 1mA
11.3 nC @ 10 V
±20V
655 pF @ 15 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
PowerPak SO-8L
SQJA92EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,670
En stock
1 : $1.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.48412
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
57 A (Tc)
10V
9.5mOhm a 10A, 10V
3.5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2650 pF @ 25 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SQS110ENW-T1_GE3
SQS110ENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100V (D-S)
Vishay Siliconix
3,000
En stock
1 : $0.88000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.40930
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
10V
13.2mOhm a 10A, 10V
4V a 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
3449 pF @ 25 V
-
119W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie, lateral humedecible
PowerPAK® 1212-8SLW
8-PowerVDFN
TK5A80E,S4X
TK7R4A15Q5,S4X
150V UMOS10-HSD TO-220SIS 7.4MOH
Toshiba Semiconductor and Storage
400
En stock
1 : $2.77000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
57 A (Tc)
8V, 10V
7.4mOhm a 28.5A, 10V
4.5V a 1.4mA
66 nC @ 10 V
±20V
4970 pF @ 75 V
-
46W (Tc)
175°C
-
-
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
9,791
En stock
1 : $2.87000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.86112
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
57 A (Tc)
6V, 10V
17mOhm a 20A, 10V
4V a 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2527 pF @ 75 V
-
104W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN5060
8-PowerTDFN
TO-262-3 Long Leads
FDI150N10
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
onsemi
2,526
En stock
1 : $3.50000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
10V
16mOhm a 49A, 10V
4.5V a 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
4760 pF @ 25 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-262 (I2PAK)
Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IMLT65R033M2HXTMA1
IMLT65R040M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 57A HDSOP-16
Infineon Technologies
227
En stock
1 : $9.40000
Cinta cortada (CT)
1,800 : $5.10521
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
57 A (Tc)
15V, 18V
49mOhm a 22.9A, 18V
5.6V a 4.6mA
28 nC @ 18 V
+23V, -7V
997 pF @ 400 V
-
268W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-16-6
Módulo 16-PowerSOP
C3M0016120K1
C3M0040120K1
MOSFET N-CH 1200V 57A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
281
En stock
1 : $16.26000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
57 A (Tc)
15V
53mOhm a 31.9A, 15V
3.8V a 8.377mA
94 nC @ 15 V
+19V, -8V
2726 pF @ 1000 V
-
242W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
D2PAK-7
NVBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
onsemi
746
En stock
17,600
Fábrica
1 : $19.64000
Cinta cortada (CT)
800 : $11.03750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
57 A (Tc)
18V
54mOhm a 20A, 18V
4.4V a 10mA
75 nC @ 18 V
+22V, -10V
1700 pF @ 800 V
-
263W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247-3 AC EP
IRFP4332PBF
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Infineon Technologies
44
En stock
1 : $5.22000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
57 A (Tc)
10V
33mOhm a 35A, 10V
5V a 250µA
150 nC @ 10 V
±30V
5860 pF @ 25 V
-
360W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
SOT-227-4, miniBLOC
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
SemiQ
97
En stock
1 : $30.67000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
57 A (Tc)
20V
52mOhm a 40A, 20V
4V a 10mA
121 nC @ 20 V
+25V, -10V
3185 pF @ 1000 V
-
242W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227
SOT-227-4, miniBLOC
TO-247-3 AC EP
IRFP3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Infineon Technologies
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $3.11000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
10V
25mOhm a 28A, 10V
4V a 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
C3M0065100K
E3M0040120K
SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-
Wolfspeed, Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $24.92000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
57 A (Tc)
15V
53mOhm a 31.9A, 15V
3.6V a 8.77mA
94 nC @ 15 V
+19V, -8V
2726 pF @ 1000 V
-
242W
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SOT-227-4, miniBLOC
GCMS040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
SemiQ
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $36.15000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
57 A (Tc)
20V
52mOhm a 40A, 20V
4V a 10mA
124 nC @ 20 V
+25V, -10V
3110 pF @ 1000 V
-
242W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227-4, miniBLOC
APT53F80J
MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP
Microchip Technology
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $69.91000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
57 A (Tc)
10V
110mOhm a 43A, 10V
5V a 5mA
570 nC @ 10 V
±30V
17550 pF @ 25 V
-
960W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
ISOTOP®
SOT-227-4, miniBLOC
Demostración
de 60

57 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.