55A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
TK7R7P10PL,RQ X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	17,845 En stock	1 : $1.87000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.50708 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	7.7mOhm a 27.5A, 10V	2.5V a 500µA	44 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 50 V	-	93W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SCT025H120G3AG AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics	455 En stock	1 : $17.16000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $9.28125 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	55A (Tc)	15V, 18V	37mOhm a 25A, 18V	4.2V a 5mA	73 nC @ 18 V	+18V, -5V	1990 pF @ 800 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	H2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT3040KLGC11 SICFET N-CH 1200V 55A TO247N Rohm Semiconductor	569 En stock	1 : $39.09000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	55A (Tc)	18V	52mOhm a 20A, 18V	5.6V a 10mA	107 nC @ 18 V	+22V, -4V	1337 pF @ 800 V	-	262W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
DMNH6021SPSQ-13 MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8 Diodes Incorporated	1,216 En stock	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.30504 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	23mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	19.7 nC @ 10 V	±20V	1016 pF @ 30 V	-	1.6W (Ta), 53W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
SQJ423EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	10,907 En stock	1 : $1.66000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.44359 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
STP55NF06L MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB STMicroelectronics	1,434 En stock	1 : $2.13000 Tubo	-	STripFET™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	55A (Tc)	5V, 10V	18mOhm a 27.5A, 10V	1.7V a 250µA	37 nC @ 4.5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	95W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STB55NF06LT4 MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK STMicroelectronics	671 En stock	1 : $2.20000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.70232 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	STripFET™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	55A (Tc)	5V, 10V	18mOhm a 27.5A, 10V	4.7V a 250µA	37 nC @ 4.5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	95W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FDPF55N06 MOSFET N-CH 60V 55A TO220F onsemi	3,691 En stock	1 : $2.61000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	UniFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	55A (Tc)	10V	22mOhm a 27.5A, 10V	4V a 250µA	37 nC @ 10 V	±25V	1510 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
STL120N4F6AG MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT STMicroelectronics	1,459 En stock	1 : $2.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.76927 Cinta y rollo (TR)	-	STripFET™ F6	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	55A (Tc)	10V	3.6mOhm a 13A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	3700 pF @ 25 V	-	96W (Tc)	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6)	8-PowerVDFN
FQB55N10TM MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK onsemi	1,022 En stock	1 : $3.15000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.08844 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	QFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	55A (Tc)	10V	26mOhm a 27.5A, 10V	4V a 250µA	98 nC @ 10 V	±25V	2730 pF @ 25 V	-	3.75W (Ta), 155W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRL2910STRLPBF MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Infineon Technologies	3,358 En stock	1 : $3.63000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.24844 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	55A (Tc)	4V, 10V	26mOhm a 29A, 10V	2V a 250µA	140 nC @ 5 V	±16V	3700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SUM55P06-19L-E3 MOSFET P-CH 60V 55A TO263 Vishay Siliconix	1,588 En stock	1 : $3.63000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.28519 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	19mOhm a 30A, 10V	3V a 250µA	115 nC @ 10 V	±20V	3500 pF @ 25 V	-	3.75W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FDMS8050 MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN onsemi	2,117 En stock	1 : $5.54000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.09900 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	0.65mOhm a 55A, 10V	3V a 750µA	285 nC @ 10 V	±20V	22610 pF @ 15 V	-	156W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PQFN (5x6)	8-PowerTDFN
IMZC120R034M2HXKSA1 SICFET N-CH 1200V 55A TO247 Infineon Technologies	435 En stock	1 : $11.19000 Tubo	-	CoolSiC™ G2	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	55A (Tc)	15V, 18V	34mOhm a 20A, 18V	5.1V a 6.4mA	45 nC @ 18 V	+23V, -7V	1510 pF @ 800 V	-	244W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-4-17	TO-247-4
IMW120R040M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	397 En stock	1 : $12.19000 Tubo	-	CoolSiC™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	55A (Tc)	15V, 18V	54.4mOhm a 19.3A, 18V	5.2V a 10mA	51 nC @ 18 V	+20V, -5V	1620 pF @ 800 V	-	227W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3	TO-247-3
DMPH4013SK3Q-13 MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R Diodes Incorporated	836 En stock	1 : $1.65000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.43784 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	15mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	4004 pF @ 20 V	-	2.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMPH4013SK3-13 MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R Diodes Incorporated	3,251 En stock 22,500 Fábrica	1 : $1.66000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.43969 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	15mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	4004 pF @ 20 V	-	2.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMNH10H028SK3Q-13 MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Diodes Incorporated	1,933 En stock 40,000 Fábrica	1 : $2.55000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.73500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	55A (Tc)	10V	28mOhm a 20A, 10V	4V a 250µA	36 nC @ 10 V	±20V	2245 pF @ 50 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
NTMT045N065SC1 SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3 onsemi	6,606 En stock	1 : $12.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $6.18237 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	55A (Tc)	15V, 18V	50mOhm a 25A, 18V	4.3V a 8mA	105 nC @ 18 V	+22V, -8V	1870 pF @ 325 V	-	187W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-TDFN (8x8)	4-PowerTSFN
NTH4L045N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL onsemi	188 En stock 10,350 Fábrica	1 : $13.92000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	55A (Tc)	15V, 18V	50mOhm a 25A, 18V	4.3V a 8mA	105 nC @ 18 V	+22V, -8V	1870 pF @ 325 V	-	187W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
NVH4L045N065SC1 SIC MOS TO247-4L 650V onsemi	375 En stock	1 : $18.89000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	55A (Tc)	15V, 18V	50mOhm a 25A, 18V	4.3V a 8mA	105 nC @ 18 V	+22V, -8V	1870 pF @ 325 V	-	187W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
PJP45N06A_T0_00001 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	1,835 En stock	1 : $1.31000 Tubo	-	-	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	12mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	39 nC @ 10 V	±20V	2256 pF @ 25 V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
SQJ423EP-T1_BE3 P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Vishay Siliconix	3,000 En stock	1 : $1.66000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.44359 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	55A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
PSMN015-100YSFX NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Nexperia USA Inc.	978 En stock	1 : $1.91000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.48784 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	55A (Tc)	7V, 10V	15mOhm a 15A, 10V	4V a 1mA	36 nC @ 10 V	±20V	2234 pF @ 50 V	-	105W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
R6055VNZ4C13 600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH Rohm Semiconductor	476 En stock	1 : $7.73000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	55A (Tc)	10V, 15V	71mOhm a 16A, 15V	6.5V a 1.5mA	80 nC @ 10 V	±30V	3700 pF @ 100 V	-	543W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247	TO-247-3

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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