50mA (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 21
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
Excluir
21Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 21
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
BSS127S-7
MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Diodes Incorporated
140,112
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07854
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
50mA (Ta)
5V, 10V
160Ohm a 16mA, 10V
4.5V a 250µA
1.08 nC @ 10 V
±20V
21.8 pF @ 25 V
-
610mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS127SSN-7
MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Diodes Incorporated
5,774
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08568
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
50mA (Ta)
5V, 10V
160Ohm a 16mA, 10V
4.5V a 250µA
1.08 nC @ 10 V
±20V
21.8 pF @ 25 V
-
610mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1,172
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07119
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
50mA (Ta)
2.5V
40Ohm a 10mA, 2.5V
1.5V a 100µA
-
10V
5.5 pF @ 3 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-59
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-143 4L
SST214 SOT-143 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Linear Integrated Systems, Inc.
5,952
En stock
1 : $5.88000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $2.42060
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
50mA (Ta)
5V, 25V
50Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
±40V
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-143-4
TO-253-4, TO-253AA
2,827
En stock
1 : $5.88000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50mA (Ta)
5V, 25V
50Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
+25V, -300mV
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-143-4
TO-253-4, TO-253AA
1,442
En stock
1 : $6.12000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
50mA (Ta)
5V, 25V
50Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
+30V, -25V
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-143-4
TO-253-4, TO-253AA
5,442
En stock
1 : $6.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $2.59350
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50mA (Ta)
5V, 25V
50Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
±40V
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-143-4
TO-253-4, TO-253AA
SD213DE-TO-72-4L
SD213DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Linear Integrated Systems, Inc.
456
En stock
1 : $8.41000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
10 V
50mA (Ta)
5V, 25V
45Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
+25V, -15V
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72-4
TO-206AF, TO-72-4 lata
SD214DE-TO-72-4L
SD214DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Linear Integrated Systems, Inc.
463
En stock
1 : $8.60000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
50mA (Ta)
5V, 25V
45Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
±40V
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72-4
TO-206AF, TO-72-4 lata
284
En stock
1 : $8.60000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50mA (Ta)
5V, 25V
45Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
+25V, -300mV
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72-4
TO-206AF, TO-72-4 lata
349
En stock
1 : $8.97000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50mA (Ta)
5V, 25V
45Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
±40V
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72-4
TO-206AF, TO-72-4 lata
SD215DE-TO-72-4L
SD215DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Linear Integrated Systems, Inc.
248
En stock
1 : $8.97000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
50mA (Ta)
5V, 25V
45Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
+30V, -25V
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72-4
TO-206AF, TO-72-4 lata
0
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07119
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
50mA (Ta)
2.5V
40Ohm a 10mA, 2.5V
-
-
10V
5.5 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70
SC-70, SOT-323
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
Activo
-
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
10 V
50mA (Ta)
5V, 25V
50Ohm a 1mA, 10V
1.5V a 1µA
-
+25V, -15V
-
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-143-4
TO-253-4, TO-253AA
2N4118A-2
3N163
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
Vishay Siliconix
0
En stock
200 : $14.50000
Tubo
-
-
Tubo
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
50mA (Ta)
20V
250Ohm a 100µA, 20V
5V a 10µA
-
±30V
3.5 pF @ 15 V
-
375mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72
TO-206AF, TO-72-4 lata
2N4118A-2
3N163-E3
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
Vishay Siliconix
0
En stock
200 : $14.50000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
50mA (Ta)
20V
250Ohm a 100µA, 20V
5V a 10µA
-
±30V
3.5 pF @ 15 V
-
375mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72
TO-206AF, TO-72-4 lata
2N4118A-2
3N164
MOSFET P-CH 30V 50MA TO72
Vishay Siliconix
0
En stock
200 : $14.50000
Tubo
-
-
Tubo
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50mA (Ta)
20V
300Ohm a 100µA, 20V
5V a 10µA
-
±30V
3.5 pF @ 15 V
-
375mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72
TO-206AF, TO-72-4 lata
2N4118A-2
3N163-2
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
Vishay Siliconix
0
En stock
20 : $47.50000
Tubo
-
-
Tubo
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
50mA (Ta)
20V
250Ohm a 100µA, 20V
5V a 10µA
-
±30V
3.5 pF @ 15 V
-
375mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-72
TO-206AF, TO-72-4 lata
Mini3-G1
2SK122800L
MOSFET N-CH 50V 50MA MINI3-G1
Panasonic Electronic Components
0
En stock
Obsoleto
-
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
50mA (Ta)
2.5V
50Ohm a 10mA, 2.5V
1.1V a 100µA
-
10V
4.5 pF @ 5 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Mini3-G1
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70, SOT-323
2SK137400L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-G1
Panasonic Electronic Components
0
En stock
Obsoleto
-
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
50mA (Ta)
2.5V
50Ohm a 10mA, 2.5V
1.1V a 100µA
-
10V
4.5 pF @ 5 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SMini3-G1
SC-70, SOT-323
SMini3-F2-B
2SK1374G0L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2
Panasonic Electronic Components
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
50mA (Ta)
2.5V
50Ohm a 10mA, 2.5V
1.1V a 100µA
-
10V
4.5 pF @ 5 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SMini3-F2
SC-85
Demostración
de 21

50mA (Ta) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.