50 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SISS5808DN-T1-GE3
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
24,785
En stock
1 : $0.87000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.28350
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
5.6mOhm a 15A, 10V
2.2V a 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
4.8W (Ta), 57W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SIR401DP-T1-GE3
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
29,749
En stock
1 : $0.92000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.33212
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
5.2mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W (Ta), 48W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SISS5808DN-T1-GE3
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
18,247
En stock
1 : $1.12000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.34230
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
5.1mOhm a 15A, 10V
2.2V a 250µA
55 nC @ 4.5 V
±20V
4660 pF @ 15 V
-
57W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PG-TO252-3-11
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Infineon Technologies
5,954
En stock
1 : $1.41000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.37026
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
12mOhm a 50A, 10V
2.2V a 20µA
40 nC @ 10 V
±16V
2890 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252
SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
3,175
En stock
1 : $1.59000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.52605
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
11.5mOhm a 30A, 10V
2.5V a 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
62W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3-313
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Infineon Technologies
3,244
En stock
1 : $1.68000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.46042
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
50 A (Tc)
10V
12.6mOhm a 50A, 10V
4V a 85µA
51 nC @ 10 V
±20V
3670 pF @ 25 V
-
58W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3-313
IPD50P04P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Infineon Technologies
3,648
En stock
1 : $1.79000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.48538
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
10.6mOhm a 50A, 10V
2.2V a 85µA
59 nC @ 10 V
+5V, -16V
3900 pF @ 25 V
-
58W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BUK7626-100B,118
PSMN015-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,900
En stock
1 : $1.87000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.60180
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
10V
14.8mOhm a 15A, 10V
4V a 1mA
20.9 nC @ 10 V
±20V
1220 pF @ 30 V
-
86W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHD5N80AE-GE3
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
19,354
En stock
1 : $2.04000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.59357
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
8.1mOhm a 22A, 10V
2.5V a 250µA
159 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 20 V
-
2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRFZ44PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
6,162
En stock
1 : $2.08000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
10V
28mOhm a 31A, 10V
4V a 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
SIHD5N80AE-GE3
SQD45P03-12_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Vishay Siliconix
3,607
En stock
1 : $2.15000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.75511
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
10mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
83 nC @ 10 V
±20V
3495 pF @ 15 V
-
71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252
SQD50P06-15L_T4GE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
5,000
En stock
1 : $2.17000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.62903
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
15.5mOhm a 17A, 10V
2.5V a 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5910 pF @ 25 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Infineon Technologies
37,382
En stock
1 : $2.19000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.93488
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
50 A (Tc)
8V, 10V
20mOhm a 50A, 10V
4V a 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Infineon Technologies
2,106
En stock
1 : $2.39000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.77586
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
6.8mOhm a 50A, 10V
2.5V a 100µA
49 nC @ 4.5 V
±16V
3779 pF @ 50 V
-
143W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
9,608
En stock
1 : $2.70000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.11375
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
80 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 10.5A, 10V
2.5V a 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-1
IPP200N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Infineon Technologies
4,612
En stock
1 : $2.71000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
50 A (Tc)
8V, 10V
20mOhm a 50A, 10V
4V a 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TDSON-8-1
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Infineon Technologies
1,678
En stock
1 : $2.72000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.14660
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
50 A (Tc)
8V, 10V
19mOhm a 50A, 10V
4V a 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
2420 pF @ 75 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
SIHD5N80AE-GE3
SUD50P08-25L-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Vishay Siliconix
7,771
En stock
1 : $2.92000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.07533
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
80 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
25.2mOhm a 12.5A, 10V
3V a 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8.3W (Ta), 136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHD5N80AE-GE3
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
14,534
En stock
1 : $3.01000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.07533
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
15mOhm a 17A, 10V
3V a 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRFZ44RPBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
213
En stock
1 : $3.05000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
10V
28mOhm a 31A, 10V
4V a 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
SIHD5N80AE-GE3
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
7,253
En stock
1 : $3.29000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.07533
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
15mOhm a 17A, 10V
3V a 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 113W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SQM120P04-04L_GE3
SQM50P08-25L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Vishay Siliconix
4,940
En stock
1 : $3.32000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.11300
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
80 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 12.5A, 10V
2.5V a 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
1,207
En stock
1 : $3.32000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
50 A (Tc)
10V
40mOhm a 28A, 10V
4V a 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
SIHD5N80AE-GE3
SQD50P06-15L_GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
4,167
En stock
1 : $3.89000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.30625
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
15.5mOhm a 17A, 10V
2.5V a 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5910 pF @ 25 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
5,217
En stock
1 : $4.72000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
50 A (Tc)
10V
40mOhm a 28A, 10V
4V a 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
Demostración
de 555

50 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.