5.8 A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 50

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

DMN3404L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	83,426 En stock 1,323,000 Fábrica	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07316 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	3V, 10V	28mOhm a 5.8A, 10V	2V a 250µA	9.2 nC @ 10 V	±20V	386 pF @ 15 V	-	720mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFML8244TRPBF MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 Infineon Technologies	21,697 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11502 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	24mOhm a 5.8A, 10V	2.35V a 10µA	5.4 nC @ 10 V	±20V	430 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC608PZ MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6 onsemi	12,810 En stock 66,000 Fábrica	1 : $0.61000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20380 Cinta y rollo (TR)	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	5.8 A (Ta)	2.5V, 4.5V	30mOhm a 5.8A, 4.5V	1.5V a 250µA	23 nC @ 4.5 V	±12V	1330 pF @ 10 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
AO3404A MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	479,706 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06355 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	28mOhm a 5.8A, 10V	3V a 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	820 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
DMP3037LSS-13 MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO Diodes Incorporated	5,230 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.13761 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	32mOhm a 7A, 10V	2.4V a 250µA	19.3 nC @ 10 V	±20V	931 pF @ 15 V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
DMN3042L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Diodes Incorporated	227,722 En stock 789,000 Fábrica	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09210 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	2.5V, 10V	26.5mOhm a 5.8A, 10V	1.4V a 250µA	20 nC @ 10 V	±12V	860 pF @ 15 V	-	720mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3042L-13 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Diodes Incorporated	16,409 En stock 1,560,000 Fábrica	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.07149 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	2.5V, 10V	26.5mOhm a 5.8A, 10V	1.4V a 250µA	20 nC @ 10 V	±12V	860 pF @ 15 V	-	720mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3051L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	32,516 En stock 42,000 Fábrica	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12086 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	38mOhm a 5.8A, 10V	2.2V a 250µA	-	±20V	424 pF @ 5 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFTS9342TRPBF MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP Infineon Technologies	21,074 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15210 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	40mOhm a 5.8A, 10V	2.4V a 25µA	12 nC @ 10 V	±20V	595 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6
DMN3404LQ-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	2,945 En stock 45,000 Fábrica	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11118 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	3V, 10V	28mOhm a 5.8A, 10V	2V a 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	498 pF @ 15 V	-	720mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3037LSSQ-13 MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Diodes Incorporated	2,160 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.15150 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	32mOhm a 6A, 10V	2.4V a 250µA	17.3 nC @ 10 V	±20V	969 pF @ 15 V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
TK6P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	2,008 En stock	1 : $1.90000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.54727 Cinta y rollo (TR)	DTMOSIV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	5.8 A (Ta)	10V	1.05Ohm a 2.9A, 10V	3.5V a 180µA	11 nC @ 10 V	±30V	390 pF @ 300 V	-	60W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
SI3400K-TP N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Micro Commercial Co	2,800 En stock	1 : $0.21000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04257 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	2.5V, 4.5V	40mOhm a 5A, 4.5V	1.4V a 250µA	6.1 nC @ 4.5 V	±12V	576 pF @ 15 V	-	1W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMSF4N01HDR2 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET onsemi	105,281 Mercado	2,049 : $0.15000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	5.8 A (Ta)	2.7V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1.1V a 250µA	13 nC @ 4.5 V	±8V	595 pF @ 10 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
AO3400-5.8A MOSFET SOT-23 N Channel 30V MDD	237,000 Mercado	6,000 : $0.18850 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	3.3V, 4.5V	32mOhm a 5.8A, 10V	1.2V a 250µA	10.5 nC @ 15 V	±12V	630 pF @ 15 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC608PZ-F171 -20V P-CHANNEL 2.5V POWERTRENCH onsemi	345,222 Mercado	2,500 : $0.21000 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	5.8 A (Ta)	2.5V, 4.5V	30mOhm a 5.8A, 4.5V	1.5V a 250µA	23 nC @ 4.5 V	±12V	1330 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
GSF3404B MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO Good-Ark Semiconductor	4,130 En stock	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05111 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	31mOhm a 5A, 10V	2V a 250µA	5.2 nC @ 10 V	±20V	255 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSF3404 MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V Good-Ark Semiconductor	5,625 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05134 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	31mOhm a 5A, 10V	2.5V a 250µA	5.2 nC @ 10 V	±20V	255 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3404A 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2 UMW	2,139 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10632 Cinta y rollo (TR)	UMW	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	25mOhm a 5.8A, 10V	3V a 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	820 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3400A 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V UMW	1,160 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08359 Cinta y rollo (TR)	UMW	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	2.5V, 10V	28mOhm a 5.8A, 10V	1.4V a 250µA	12 nC @ 4.5 V	±12V	1050 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3416-AU_R1_000A1 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	1,687 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08669 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	5.8 A (Ta)	1.8V, 4.5V	27mOhm a 5.8A, 4.5V	1.2V a 250µA	6.7 nC @ 4.5 V	±12V	513 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3416_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	11,655 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09861 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	5.8 A (Ta)	1.8V, 4.5V	27mOhm a 5.8A, 4.5V	1.2V a 250µA	6.7 nC @ 4.5 V	±12V	513 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRF7421D1TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO Infineon Technologies	1,391 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT)	FETKY™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	35mOhm a 4.1A, 10V	1V a 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 25 V	Diodo Schottky (aislado)	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
NTMS5838NLR2G MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC onsemi	0 En stock 22,538 Mercado	1,665 : $0.18000 Granel	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	25mOhm a 7A, 10V	3V a 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	785 pF @ 20 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
FDS5692Z MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC Fairchild Semiconductor	8,231 Mercado	281 : $1.07000 Granel	UltraFET™	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	5.8 A (Ta)	4.5V, 10V	24mOhm a 5.8A, 10V	3V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1025 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

5.8 A (Ta) FET simple, MOSFET

5.8 A (Ta) FET simple, MOSFET

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