4A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 261

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMG3402L-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Diodes Incorporated	477,967 En stock	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10333 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	2.5V, 10V	52mOhm a 4A, 10V	1.4V a 250µA	11.7 nC @ 10 V	±12V	464 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3418L-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Diodes Incorporated	55,900 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10187 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	2.5V, 10V	60mOhm a 4A, 10V	1.5V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±12V	464.3 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AOSS32338C MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	33,767 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09797 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	2.5V, 10V	50mOhm a 4A, 10V	1.5V a 250µA	16 nC @ 10 V	±12V	340 pF @ 15 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
DMG3415U-7 MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	12,409 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10527 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4A (Ta)	1.8V, 4.5V	39mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	9.1 nC @ 4.5 V	±8V	294 pF @ 10 V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3401A MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	87,910 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11563 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	2.5V, 10V	44mOhm a 4.3A, 10V	1.3V a 250µA	12.2 nC @ 4.5 V	±12V	1200 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
AO3402 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	40,853 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11563 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	2.5V, 10V	55mOhm a 4A, 10V	1.4V a 250µA	4.34 nC @ 4.5 V	±12V	390 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
DMG3402LQ-7 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Diodes Incorporated	2,231 En stock	1 : $0.62000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13997 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	2.5V, 10V	52mOhm a 4A, 10V	1.4V a 250µA	11.7 nC @ 10 V	±12V	464 pF @ 15 V	-	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC658AP MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 onsemi	35,561 En stock	1 : $0.88000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.21265 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	4.5V, 10V	50mOhm a 4A, 10V	3V a 250µA	8.1 nC @ 5 V	±25V	470 pF @ 15 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
RUR040N02TL MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Rohm Semiconductor	3,649 En stock	1 : $1.06000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.27974 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4A (Ta)	1.5V, 4.5V	35mOhm a 4A, 4.5V	1.3V a 1mA	8 nC @ 4.5 V	±10V	680 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSMT3	SC-96
FDC658P MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 onsemi	8,619 En stock	1 : $1.22000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.30859 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	10V	50mOhm a 4A, 10V	3V a 250µA	12 nC @ 5 V	±20V	750 pF @ 15 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
NDT3055 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 onsemi	1,416 En stock	1 : $1.66000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.39792 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4A (Ta)	10V	100mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 30 V	-	3W (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
NDT3055L MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 onsemi	18,112 En stock	1 : $1.75000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.42473 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4A (Ta)	4.5V, 10V	100mOhm a 4A, 10V	2V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	345 pF @ 25 V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
EPC8010 GANFET N-CH 100V 4A DIE EPC	19,469 En stock	1 : $3.08000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.01137 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	4A (Ta)	5V	160mOhm a 500mA, 5V	2.5V a 250µA	0.48 nC @ 5 V	+6V, -4V	55 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
SI7846DP-T1-E3 MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	22,735 En stock	1 : $3.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.21022 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	4A (Ta)	10V	50mOhm a 5A, 10V	4.5V a 250µA	36 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
EPC8004 GANFET N-CH 40V 4A DIE EPC	10,203 En stock	1 : $4.59000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.50028 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	40 V	4A (Ta)	5V	110mOhm a 500mA, 5V	2.5V a 250µA	0.45 nC @ 5 V	+6V, -4V	52 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC8009 GANFET N-CH 65V 4A DIE EPC	8,973 En stock	1 : $4.60000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.63750 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	65 V	4A (Ta)	5V	130mOhm a 500mA, 5V	2.5V a 250µA	0.45 nC @ 5 V	+6V, -4V	52 pF @ 32.5 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
MMFTP3401 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3 Diotec Semiconductor	35,993 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05666 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	2.5V, 10V	65mOhm a 4A, 10V	1.3V a 250µA	-	±12V	954 pF @ 0 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3415_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	22,473 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05530 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4A (Ta)	1.8V, 4.5V	57mOhm a 4A, 4.5V	1.2V a 250µA	18 nC @ 4.5 V	±12V	756 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K376R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	27,833 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07371 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	1.8V, 4.5V	56mOhm a 2A, 4.5V	1V a 1mA	2.2 nC @ 4.5 V	+12V, -8V	200 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J374R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	3,214 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07525 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	4V, 10V	71mOhm a 3A, 10V	2V a 100µA	5.9 nC @ 10 V	+10V, -20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	35,340 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07678 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	4V, 10V	71mOhm a 3A, 10V	2V a 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J331R,LF MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	22,347 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07678 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4A (Ta)	1.5V, 4.5V	55mOhm a 3A, 4.5V	1V a 1mA	10.4 nC @ 4.5 V	±8V	630 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J340R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	17,101 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07983 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4A (Ta)	4V, 10V	45mOhm a 4A, 10V	2.2V a 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	492 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3K345R,LF MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	16,579 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09177 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4A (Ta)	1.5V, 4.5V	33mOhm a 4A, 4.5V	1V a 1mA	3.6 nC @ 4.5 V	±8V	410 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
DMP2065U-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	5,664 En stock 6,000 Fábrica	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09600 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4A (Ta)	1.8V, 4.5V	60mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±12V	808 pF @ 15 V	-	900mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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