40A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

de 390

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
AOD4189 MOSFET P-CH 40V 40A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	58,876 En stock	1 : $1.00000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.24991 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	22mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	1870 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD090N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Infineon Technologies	93,842 En stock	1 : $1.12000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.28416 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm a 30A, 10V	2.2V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	1600 pF @ 15 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Infineon Technologies	20,465 En stock	1 : $1.30000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.31222 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	7.4mOhm a 20A, 10V	2V a 10µA	17 nC @ 10 V	±16V	920 pF @ 25 V	-	34W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8	8-PowerVDFN
AOD4185 MOSFET P-CH 40V 40A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	193,629 En stock	1 : $1.40000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.36702 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	15mOhm a 20A, 10V	3V a 250µA	55 nC @ 10 V	±20V	2550 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Infineon Technologies	10,146 En stock	1 : $1.46000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.35691 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	4.8mOhm a 20A, 10V	2V a 17µA	29 nC @ 10 V	±16V	1560 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8	8-PowerVDFN
BSC096N10LS5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6 Infineon Technologies	9,797 En stock	1 : $1.52000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.90092 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	9.6mOhm a 20A, 10V	2.3V a 36µA	14.6 nC @ 4.5 V	±20V	2100 pF @ 50 V	-	3W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-6	8-PowerTDFN
SI7655ADN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S Vishay Siliconix	15,867 En stock	1 : $1.59000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.41866 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	40A (Tc)	2.5V, 10V	3.6mOhm a 20A, 10V	1.1V a 250µA	225 nC @ 10 V	±12V	6600 pF @ 10 V	-	4.8W (Ta), 57W (Tc)	-50°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8S	PowerPAK® 1212-8S
SIS488DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	48,037 En stock	1 : $1.60000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.41981 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	5.5mOhm a 20A, 10V	2.2V a 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	1330 pF @ 20 V	-	3.7W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
BSZ065N06LS5ATMA1 MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Infineon Technologies	9,812 En stock	1 : $1.81000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.46121 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	6.5mOhm a 20A, 10V	2.3V a 20µA	13 nC @ 4.5 V	±20V	1800 pF @ 30 V	-	46W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
SIS862DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	22,740 En stock	1 : $1.83000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.49227 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	8.5mOhm a 20A, 10V	2.6V a 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	1320 pF @ 30 V	-	3.7W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SIR422DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	26,747 En stock	1 : $1.84000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.49538 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	6.6mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	48 nC @ 10 V	±20V	1785 pF @ 20 V	-	5W (Ta), 34.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
AON6262E MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	66,451 En stock	1 : $1.91000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.51775 Cinta y rollo (TR)	-	AlphaSGT™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	6.2mOhm a 20A, 10V	2.2V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1650 pF @ 30 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN (5x6)	8-PowerSMD, conductores planos
SISA04DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	7,254 En stock	1 : $1.91000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.52023 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	2.15mOhm a 15A, 10V	2.2V a 250µA	77 nC @ 10 V	+20V, -16V	3595 pF @ 15 V	-	3.7W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI7139DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	9,294 En stock	1 : $2.24000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.62544 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	5.5mOhm a 15A, 10V	2.5V a 250µA	146 nC @ 10 V	±20V	4230 pF @ 15 V	-	5W (Ta), 48W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	12,558 En stock	1 : $2.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.66642 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	40A (Tc)	1.8V, 4.5V	2.5mOhm a 15A, 4.5V	1V a 250µA	84 nC @ 4.5 V	±8V	5760 pF @ 6 V	-	5W (Ta), 48W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
BSZ096N10LS5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Infineon Technologies	1,926 En stock	1 : $2.37000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.63917 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	9.6mOhm a 20A, 10V	2.3V a 36µA	22 nC @ 10 V	±20V	2100 pF @ 50 V	-	69W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
SIR876ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	22,774 En stock	1 : $2.40000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.73801 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	10.8mOhm a 20A, 10V	2.8V a 250µA	49 nC @ 10 V	±20V	1630 pF @ 50 V	-	5W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQD40N06-14L_GE3 MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA Vishay Siliconix	5,016 En stock	1 : $2.60000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.78053 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	51 nC @ 10 V	±20V	2105 pF @ 25 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRF5210PBF MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB Infineon Technologies	15,061 En stock	1 : $3.40000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	40A (Tc)	10V	60mOhm a 24A, 10V	4V a 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
SUD40N10-25-E3 MOSFET N-CH 100V 40A TO252 Vishay Siliconix	11,012 En stock	1 : $4.40000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $1.45379 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	40A (Tc)	10V	25mOhm a 40A, 10V	3V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPDD60R075CFD7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10 Infineon Technologies	2,813 En stock	1 : $6.59000 Cinta cortada (CT) 1,700 : $2.42088 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ CFD7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	40A (Tc)	-	75mOhm a 11.4A, 10V	4.5V a 570µA	51 nC @ 10 V	±20V	2102 pF @ 400 V	-	266W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HDSOP-10-1	Módulo 10-PowerSOP
IPL60R060CFD7AUMA1 MOSFET N CH Infineon Technologies	379 En stock	1 : $7.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.87375 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ CFD7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	40A (Tc)	10V	60mOhm a 18A, 10V	4.5V a 900µA	79 nC @ 10 V	±20V	3193 pF @ 400 V	-	219W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-VSON-4-1	4-PowerTSFN
GS0650306LLMRXUMA1 GAN POWER TRANSISTOR Infineon Technologies	594 En stock	1 : $9.63000 Cinta cortada (CT) 250 : $4.72772 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	700 V	40A (Tc)	6V	58mOhm a 5.5A, 6V	2.6V a 7.5mA	6.7 nC @ 6 V	+7V, -10V	235 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TOLL	8-PowerSFN
GS0650306LRMRXUSA1 GS-065-030-6-LR-MR Infineon Technologies	897 En stock	1 : $11.68000 Cinta cortada (CT) 250 : $5.51020 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	700 V	40A (Tc)	6V	54mOhm a 5.5A, 6V	2.6V a 7.5mA	6.7 nC @ 6 V	+7V, -10V	235 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PDFN (8x8)	Placa descubierta 8-VDFN
IXTX40P50P MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3 IXYS	707 En stock	1 : $24.01000 Tubo	-	PolarP™	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	500 V	40A (Tc)	10V	230mOhm a 20A, 10V	4V a 1mA	205 nC @ 10 V	±20V	11500 pF @ 25 V	-	890W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PLUS247™-3	TO-247-3 variante

Demostración

de 390

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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