400mA (Tc) Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 20
Fabricante
Good-Ark SemiconductorHarris CorporationIXYSLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
Serie
-DepletionPolar P3™SuperMESH3™SuperMESH™TrenchFET®TrenchMOS™
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V60 V350 V400 V600 V1000 V3000 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V1.2V, 4.5V1.8V, 4.5V2.5V, 4.5V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
560mOhm a 200mA, 4.5V600mOhm a 300mA, 4.5V850mOhm a 250mA, 4.5V1.4Ohm a 350mA, 4.5V2.5Ohm a 250mA, 10V3.2Ohm a 250mA, 10V3.6Ohm a 200mA, 10V5.5Ohm a 220mA, 10V8Ohm a 600mA, 10V8Ohm a 700mA, 10V8.5Ohm a 200mA, 10V8.5Ohm a 500mA, 10V80Ohm a 50mA, 0V190Ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 250µA1.1V a 250µA1.2V a 250µA2V a 250µA3.7V a 250µA3.7V a 50µA4V a 250µA4.5V a 25µA4.5V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.68 nC @ 4.5 V0.84 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V3 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 10 V5.8 nC @ 5 V7.2 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V10 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V±12V±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
35 pF @ 10 V40 pF @ 10 V50 pF @ 15 V50 pF @ 25 V72.9 pF @ 15 V100 pF @ 25 V121 pF @ 25 V135 pF @ 25 V140 pF @ 50 V156 pF @ 25 V160 pF @ 25 V170 pF @ 25 V283 pF @ 25 V455 pF @ 25 V
Característica de FET
-Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
155mW (Ta)190mW (Ta), 200mW (Tc)275mW350mW (Ta), 1.14W (Tc)1W (Tc)1.1W (Ta), 25W (Tc)2W (Tc)2.5W (Tc)3W (Tc)3.3W (Tc)104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
4-DIP, HexdipSC-70-3SOT-223SOT-223 (TO-261)SOT-723SOT-883TO-220-3TO-236ABTO-247HVTO-251AATO-252AATO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)
4-DIP (0.300", 7.62mm)Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AASC-101, SOT-883SC-70, SOT-323SOT-723TO-220-3TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-247-3 varianteTO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63TO-261-4, TO-261AA
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
20Resultados
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Demostración
de 20
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT223-3L
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STMicroelectronics
20,055
En stock
1 : $1.07000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.44117
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
400mA (Tc)
10V
8.5Ohm a 500mA, 10V
3.7V a 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3.3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
TO-252-3
IXTY01N100D
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Littelfuse Inc.
7,501
En stock
1 : $3.83000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
400mA (Tc)
0V
80Ohm a 50mA, 0V
4.5V a 25µA
5.8 nC @ 5 V
±20V
100 pF @ 25 V
Modo de exclusión
1.1W (Ta), 25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO-252-3
IXTY01N100D-TRL
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Littelfuse Inc.
138
En stock
1 : $4.94000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.78662
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
400mA (Tc)
0V
80Ohm a 50mA, 0V
4.5V a 25µA
5.8 nC @ 5 V
±20V
100 pF @ 25 V
Modo de exclusión
1.1W (Ta), 25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO-236AB
NX3008NBK,215
MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
293,034
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04613
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
400mA (Tc)
1.8V, 4.5V
1.4Ohm a 350mA, 4.5V
1.1V a 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-92-3
STQ1HNK60R-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
STMicroelectronics
4,664
En stock
1 : $1.05000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.23312
Cinta y caja
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
400mA (Tc)
10V
8.5Ohm a 500mA, 10V
3.7V a 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-220-3
IXTP01N100D
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Littelfuse Inc.
198
En stock
1 : $6.87000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
400mA (Tc)
0V
80Ohm a 50mA, 0V
4.5V a 25µA
5.8 nC @ 5 V
±20V
100 pF @ 25 V
Modo de exclusión
1.1W (Ta), 25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
GSFW3004
GSFW3004
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V
Good-Ark Semiconductor
6,000
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04620
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
400mA (Tc)
2.5V, 4.5V
560mOhm a 200mA, 4.5V
1.2V a 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
72.9 pF @ 15 V
-
155mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
SOT-223 (TO-261)
NDT01N60T1G
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
onsemi
0
En stock
138,431
Mercado
1,110 : $0.27000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
400mA (Tc)
10V
8.5Ohm a 200mA, 10V
3.7V a 50µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
2.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223 (TO-261)
TO-261-4, TO-261AA
SSF2319GE
SSF2319GE
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.40A, -2
Good-Ark Semiconductor
15,970
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.04555
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
400mA (Tc)
1.2V, 4.5V
600mOhm a 300mA, 4.5V
1V a 250µA
1 nC @ 4.5 V
±8V
40 pF @ 10 V
-
275mW
-55°C ~ 150°C
-
-
Montaje en superficie
SOT-723
SOT-723
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
IRFD1Z3
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Harris Corporation
12,307
Mercado
579 : $0.52000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Tc)
10V
3.2Ohm a 250mA, 10V
4V a 250µA
3 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
4-DIP, Hexdip
4-DIP (0.300", 7.62mm)
TO-92-3
STQ1HN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
STMicroelectronics
3,486
En stock
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.28497
Cinta y caja
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
400mA (Tc)
10V
8Ohm a 600mA, 10V
4.5V a 50µA
9.5 nC @ 10 V
±30V
140 pF @ 50 V
-
3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFD311
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
1,332
Mercado
300 : $1.00000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
350 V
400mA (Tc)
10V
3.6Ohm a 200mA, 10V
4V a 250µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
135 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
4-DIP, Hexdip
4-DIP (0.300", 7.62mm)
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFD323
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
982
Mercado
198 : $1.52000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
350 V
400mA (Tc)
10V
2.5Ohm a 250mA, 10V
4V a 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
455 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
4-DIP, Hexdip
4-DIP (0.300", 7.62mm)
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFD322
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
1,111
Mercado
177 : $1.70000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
400mA (Tc)
10V
2.5Ohm a 250mA, 10V
4V a 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
455 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
4-DIP, Hexdip
4-DIP (0.300", 7.62mm)
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH04N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
Littelfuse Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
300 : $15.63350
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
3000 V
400mA (Tc)
10V
190Ohm a 200mA, 10V
4V a 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
283 pF @ 25 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247HV
TO-247-3 variante
Pkg 5549
SI1300BDL-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3
Vishay Siliconix
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
400mA (Tc)
2.5V, 4.5V
850mOhm a 250mA, 4.5V
1V a 250µA
0.84 nC @ 4.5 V
±8V
35 pF @ 10 V
-
190mW (Ta), 200mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3
SC-70, SOT-323
Pkg 5549
SI1300BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3
Vishay Siliconix
0
En stock
3,000 : $0.12645
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
400mA (Tc)
2.5V, 4.5V
850mOhm a 250mA, 4.5V
1V a 250µA
0.84 nC @ 4.5 V
±8V
35 pF @ 10 V
-
190mW (Ta), 200mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3
SC-70, SOT-323
TO-92-3
STQ2NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
STMicroelectronics
0
En stock
1 : $0.69000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.26194
Cinta y caja
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
400mA (Tc)
10V
8Ohm a 700mA, 10V
4.5V a 50µA
10 nC @ 10 V
±30V
170 pF @ 25 V
-
3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados
IXTU01N100D
IXTU01N100D
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251
IXYS
0
En stock
Activo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
400mA (Tc)
0V
80Ohm a 50mA, 0V
4.5V a 25µA
5.8 nC @ 5 V
±20V
100 pF @ 25 V
Modo de exclusión
1.1W (Ta), 25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-251AA
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
SOT-223 (TO-261)
NDT02N40T1G
MOSFET N-CH 400V 400MA SOT223
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
400mA (Tc)
10V
5.5Ohm a 220mA, 10V
2V a 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
121 pF @ 25 V
-
2W (Tc)
-
-
-
Montaje en superficie
SOT-223 (TO-261)
TO-261-4, TO-261AA
Demostración
de 20

400mA (Tc) Transistores - FET, MOSFET - Individual


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.