4-UFBGA, DSBGA FET simple, MOSFET

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de 7
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
4-DSBGA-YZB
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Texas Instruments
4,504
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10710
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
12 V
1.6 A (Ta)
2.5V, 4.5V
17.1mOhm a 1A, 4.5V
1.3V a 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±10V
862 pF @ 6 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
4-DSBGA-YZB
CSD23202W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
12,755
En stock
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12075
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
2.2 A (Ta)
1.5V, 4.5V
53mOhm a 500mA, 4.5V
900mV a 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
-6V
512 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
4-DSBGA-YZB
CSD25213W10
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Texas Instruments
8,713
En stock
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10920
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.6 A (Ta)
2.5V, 4.5V
47mOhm a 1A, 4.5V
1.1V a 250µA
2.9 nC @ 4.5 V
-6V
478 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
4-DSBGA-YZB
CSD13201W10
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Texas Instruments
32,895
En stock
1 : $0.49000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11934
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
12 V
1.6 A (Ta)
1.8V, 4.5V
34mOhm a 1A, 4.5V
1.1V a 250µA
2.9 nC @ 4.5 V
±8V
462 pF @ 6 V
-
1.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
4-DSBGA-YZB
CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
15,056
En stock
1 : $1.26000
Cinta cortada (CT)
250 : $0.57568
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
2.2 A (Ta)
1.5V, 4.5V
53mOhm a 500mA, 4.5V
900mV a 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
-6V
512 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
4-DSBGA-YZB
CSD13302WT
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Texas Instruments
1,237
En stock
500
Mercado
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
250 : $0.54460
Cinta y rollo (TR)
500 : $0.49000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
12 V
1.6 A (Ta)
2.5V, 4.5V
17.1mOhm a 1A, 4.5V
1.3V a 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±10V
862 pF @ 6 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
4-DSBGA-YZB
CSD23201W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
0
En stock
455,050
Mercado
993 : $0.30000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
2.2 A (Tc)
1.5V, 4.5V
82mOhm a 500mA, 4.5V
1V a 250µA
2.4 nC @ 4.5 V
-6V
325 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
Demostración
de 7

4-UFBGA, DSBGA FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.